引进部分灭磁装置质量隐患问题

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1、对引进部分灭磁装置质量隐患问题查处探讨陈福山1潘传理21.中水东北勘测设计研究公司,吉林省长春市,1300212.安徽通辰电气有限公司,安徽省合肥市,230088内部资料,请勿外泄!2012年10月23日2二、对部分引进磁场断路器结构和断流弧压存在质量隐患查处探讨2、二滩磁场断路器和SiC灭磁电阻的缺陷隐患三、SiC灭磁电阻存在的缺陷隐患查处探讨3、瑞士SėcheronHPB型直流断路器的缺陷隐患1、法国AMF-CC-NOR-2000A型常闭触头间距太小提纲2、引进SiC存在混入个別质量差片子的原因3、对SiC质量隐患查处措施的建议1、对SiC质量隐患4次试验和4次亊故调查一、引

2、言(我国标准与外国标准有相同处和不同处)四、参考文献一、引言(我国标准与外国标准不同)1/4(1)2007年10月26日<国家电网公司发电厂重大反事故措施(试行)>[1]（以下简称“反措”）发布执行,其中规定:“安全第一、预防为主、综合治理”工作方针。在“反措”第15条防止励磁系统事故中第15.4.10.2款规定：“励磁系统的灭磁能力应达到国家标准要求，且灭磁装置应具备独立于调节器的灭磁能力。灭磁开关的弧压应满足误强励灭磁的要求。”2011年11月1日国家能源局发布实施DL/T294.1-2011<磁场断路器>[2]规定:·“磁场断路器最大弧压应大于灭磁电阻两瑞最大电压与晶闸管整

3、流桥输出最大电压之和。即Ukmax〉Ummax+Uzmax”DL/T294.2-2011<非线性电阻>[3]规定:·“对标称能容量的检验要求任选样品10片，在型式试验和出厂试验都要做。”·“对非线性灭磁电阻组件灭磁能容量检验要求在出厂试验中做。”·“氧化锌非线性电阻串并联后均能系数不得小于90%。碳化硅非线性电阻串并联后均能系数不得小于80%。”内部资料,请勿外泄!一、引言(我国标准与外国标准不同)2/4内部资料,请勿外泄!“最严重灭磁工况下，需要非线性电阻承受耗能容量应不超过其标称能容量的80%，同时，当装置内20%的组件退出运行吋，应满足最严重灭磁工况下的要求，并允许连续2次

4、灭磁。在以上工况下，灭磁电阻的最大温升不大于120K。”“氧化锌非线性电阻串并联后均能系数不得小于90%。碳化硅非线性电阻串并联后均能系数不得小于80%。”(2)ANSI/IEEEC37-18ANSI/IEEEC37.18-1979(R2003)《用于旋转电机的封闭式磁场放电放电断路器》是国际公认的磁场断路器标准。其中规定:“磁场断路器最大弧压应大于灭磁电阻两端最大电压与晶闸管整流桥输出最大电压之和”国内外标准基本一致;不同处是:对最严重事故灭磁条件不同;C37-18规定是“发电机定子机端三相突然短路灭磁”;我囸标准规定是“发电机误強励灭磁”。在“C37-18-应用指南”节中对灭

5、磁电阻线性电阻值和磁场断路器的选择采用5个公式,很全面,详见[4]。一、引言(我国标准与外国标准不同)3/4内部资料,请勿外泄!(3)英国M&I公司对SiC片生产组件选片和工程设计、运控标准:[6]“对每个选用的SiC片子加注250A电流，测量阀片电压U250A，保证选用并联每片SiC上述电压值U250A尽量相同，相差不超过5%。”“以元件的温升作为确定元件容量的标准。如果重复进行灭磁，组件允许的最大温升为80K；非重复灭磁状态组件温升可允许到110K。建议元件最大工作温升不超过130℃;元件的最大温度极限不应超过160℃（组件如到160℃，就应作绝缘5000V的耐压检验)。Si

6、C破坏温度为250℃。SiC片边缘击穿电压为250V/mm。为了提高运行安全可靠性,在选择灭磁电阻容量时,建议元件最大工作温不超过130℃。”(我囯标准为120℃)内部资料,请勿外泄!(4)ABB2005年2月签署提供1993年2月对600A/US16/P/Spec.6298型SiC组件所作的型式试验报告[6]见下述笔者所作表1.ABB600A/US16/P型SiC组件型式试验数据统计表试验序号直流电流组件电压通流时间注入能量试前温度试后温度试验温升(1)十次循环1#片外侧温度直流(录波图)直流脉动(录波图)690V每次加流0.5s冷却30min十次循环每次加流时录波环境温度23

7、ºC注入能量每次770kJSiC测点最大温升107K<145K报告结论是：在给定负载条件下温升低于限值26ºC92ºC66ºC3#片侧边温度25ºC106ºC81ºC6#片里侧温度36ºC130ºC94ºC温升最大片温度？130ºC(2)一次冲击1#片外侧温度直流(录波图)直流脉动(录波图)1000V一次加流0.1s，加流时录玻环境温度24ºC注入能量每次600kJSiC测点最大温升96K<145K报告结论是：在给定负载条件下温升低于限值25ºC90ºC65ºC3#片侧边温度25