ZnWO,4单晶为衬底溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜

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时间:2019-05-19

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1、摘要氧化锌(ZIlO)是一种具有六方纤锌矿结构的宽带隙半导体材料,室温下带隙宽度高达3-37eV。由于氧化锌具有较高的激子束缚能(60mev),使其在室温下具有较强的激子发光,因而被认为是制作紫外和蓝光半导体激光器的合适材料。本文采用溶胶.凝胶(soI.gel)工艺以znw04单晶作为衬底材料,成功制备出透明的znO薄膜。采用的溶胶体系是以乙二醇甲醚为溶剂,醋酸锌为前驱体,乙醇胺为稳定剂反应制得。镀膜方法采用浸渍提拉法,经过干燥、预烧、退火,最后形成透明的多晶ZnO薄膜。采用三“3。I)正交实验对工艺参数进行了优化,通过分析得到一组较优的工艺参数:预烧温度330℃、退火温

2、度600℃、提拉速度lOⅡ蚰/min、镀膜层数15层。通过光学显微镜对薄膜的成核生长过程进行了观察。实验结果表明:ZIlO薄膜的形成经历了表面成核、晶粒长大和岛的形成三个不同的阶段。由于s01.gel法制备znO薄膜时,znO晶核的生长是在远离平衡的条件下进行的,生长过程非常复杂,其生长形态往往呈树枝状的枝晶,传质不均匀性导致尖端随机分叉,进而产生分形形态。通过控制薄膜的生长条件,选择合适的生长工艺参数,可以使生长界面处于稳定状态,从而控制枝晶生长、分形生长及失稳分解。通过XRD分析得知,znO薄膜为六方晶系纤锌矿结构,具有高度的c轴取向性。样品在退火温度为600℃时,衍

3、射峰强度最大,取向性最好。薄膜表面均匀致密,由许多星状晶粒组成,晶粒尺寸大约为40~80砌左右,单层镀膜厚度约为106~150姗。利用RF.540荧光分光光度计测试了样品的荧光光谱,分析了不同工艺参数和不同基体材料对ZnO薄膜光学性能的影响。结果表明:随着预烧温度和退火温度的增加,zn0/znw0。的相对强度先增大后减小。温度过高或过低都不利于薄膜生长,最佳预烧温度在330℃附近,最佳退火温度在600℃附近,这与J下交实验法得到的结果是一致的。不同基体材料上的光学性能分析得知:发光峰位的偏移与znO薄膜的生长应力和与衬底的品格失配有关。关键词溶胶.凝胶法;znO薄膜:表顽

4、形貌:znw04衬底ABSTRACTZincoxideisawideband-gap(3.37eV)compoundsemiconductorwithwurtzitecrystalslructureDueto111ela唱eexcitationbindingene唱yof60mev'whichensurestllehighemcientexcitonicemissionatmomtemperature,itisregardedasoneoftlIemostpromisingmateriaIsforfabricatingemcientultraviolet(UV)柚dblu

5、elightsemiconducloremittingdeVices.Inttlispaper'transparentZn0t11infilmswerepreparedonZnW04crystalsUIbs仃:重teby∞l·geltechnolog弘Theo唱anosolSystemwerecOmposedOfprecurS0rzi】∞acetate(Zn(AC)2‘2H20),solventethyleneglycolmo∞methyletller’stabilizeret}啪10l锄ine.Homogenous,tmnsparent,polycrystalIineZ

6、n0tllinfilmswerep哟埘ededfinallybyimmersionpullingtechniqueafterdWing,pre-蛐eali唱,an∞aling.neoptimumtechnologicalpar啪eterWeregairl甜by以34)onllogollalexpcriment.Thepar锄eterSwerepre一锄ealingtempemture330℃,an∞alingtcmperature600℃,pullingVeIocitylOmm/min,andplated蛀lms15layeLnlefilmsgmwtllprocesses

7、wereobservedbyopticalmicroscope.TheresultSshowtIlat瑚filInswerefomlcdinthrcediff色rentstagesf幻mnucleationons眦{bce,gfain掣_owmtoisl雅dfomation.Thefilmsgrowmmodeswerecombinationoflayc璐growtll锄dislandsgrowm.Becausezn0crystalnucleusweregrownmldernon-仪l试libri眦删mon,itisinevit

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