PECVD对膜层的影响分析

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1、國立中央大學物理研究所碩士論文非晶矽繞射光學元件的製作與分析FabricationandAnalysisofAmorphousSiliconDiffractiveOpticalElements研究生：陳建勳指導教授：紀國鐘博士中華民國九十四年七月國立中央大學圖書館碩博士論文電子檔授權書(93年5月最新修正版)本授權書所授權之論文全文電子檔，為本人於國立中央大學，撰寫之碩/博士學位論文。(以下請擇一勾選)(ˇ)同意(立即開放)()同意(一年後開放)，原因是：()同意(二年後開放)，原因是：()不同意，

2、原因是：以非專屬、無償授權國立中央大學圖書館與國家圖書館，基於推動讀者間「資源共享、互惠合作」之理念，於回饋社會與學術研究之目的，得不限地域、時間與次數，以紙本、微縮、光碟及其它各種方法將上列論文收錄、重製、公開陳列、與發行，或再授權他人以各種方法重製與利用，並得將數位化之上列論文與論文電子檔以上載網路方式，提供讀者基於個人非營利性質之線上檢索、閱覽、下載或列印。研究生簽名:陳建勳論文名稱:非晶矽繞射光學元件的製作與分析指導教授姓名：紀國鐘系所：物理所§博士X碩士班學號：92222022日期：民國9

3、4年7月20日備註：1.本授權書請填寫並親筆簽名後，裝訂於各紙本論文封面後之次頁（全文電子檔內之授權書簽名，可用電腦打字代替）。2.請加印一份單張之授權書，填寫並親筆簽名後，於辦理離校時交圖書館（以統一代轉寄給國家圖書館）。3.讀者基於個人非營利性質之線上檢索、閱覽、下載或列印上列論文，應依著作權法相關規定辦理。I非晶矽繞射光學元件的製作與分析研究生：陳建勳指導教授：紀國鐘國立中央大學物理研究所摘要本實驗主要目的為以電漿輔助化學氣相沉積系統(PlasmaEnhancedChemicalVaporDe

4、position:PECVD)在石英基板上成長平坦的非晶矽薄膜，並進一步以平坦的非晶矽薄膜製作高繞射效率二階相位Fresnellens。在實驗中，改變電漿輔助化學氣相沉積系統的SiH4氣體流量、腔體工作壓力、RFpower大小，成功沉積出表面粗度小於3nm的非晶矽薄膜。製作非晶矽薄膜二階相位Fresnellens時，我們以G-solver軟體模擬及理論計算，求出當以入射光波長633nm，元件所需厚度，以期達到高繞射效率。再利用微影製程及蝕刻技術，製作出二階相位Fresnellens，當厚度為320n

5、m，有最高繞射效率可達32%，與模擬值34%相當接近。II致謝在這研究所的兩年裡，在這學到的東西，不只是研究方面，做人處事方面也有許多的成長。然而，在這裡要先感謝許多人，有了你們的幫助，使我在求學的過程能更加順利。首先我要感謝紀國鐘老師，他教導我做事的方法與態度，讓我受用無窮，再來是張正陽、藍山明老師，對我論文的指正，以及口試時觀念的釐清，還有彭保仁、李建階博士，平常給我許多的建議，謝謝你們。在半導體物理實驗室裡，與學長及同學共同努力，也受到大家的照顧。陳景宜，敦俊儒、陳孟炬、高治舟、潘敬仁、張志仰

6、、廖宜銘、李明洪學長們，感謝你們在實驗方面幫忙，尤其是陳景宜學長，在我實驗迷失方向的時候，與我討論，給我許多的建議。而金福、平盛、煥哲、吉興、阿胖、天蔚和光電所的同學，與你們一起，使我研究所兩年多采多姿，謝謝你們。最後感謝我的父母，有你們的支持，讓我在求學研究的過程，能無後顧之憂。III目錄摘要..……..………………………………………………………………………..Ⅰ致謝………………………………………………………………..………………Ⅱ目錄……………………………………………………………………………….

7、.Ⅲ圖目錄……………………………………………………………………………..Ⅵ表目錄……………………………………………………………………………..Ⅸ第一章簡介…………………………………………………………….1參考資料……………………………………………………….3第二章非晶矽薄膜製作………………...……………………………..42.1非晶矽薄膜........…....................................................................42.2電

8、漿輔助化學氣相沉積的基本原理………….........................42.2.1電漿輔助化學氣相沉積基本原理........................................42.2.2電漿輔助化學氣象沉積的優點…………………………….62.3電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)非晶矽薄膜之成長.............72.3.1非晶矽薄膜成長機制.............................................