模拟电路实用知识讲座（2）

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1、维普资讯http://www.cqvip.com人到基区的电子并非全部到达集电区．也就是说发射极电流第二讲晶体三极管I并非百分之百的分配给集电极并形成集电报电子电流，而的工作原理只是把1中的大部分，即IE分配给槊电撅表示发射投电流I转化为受控集电极电子电的能力。此外一迁必须注意晶体三报管(以下称晶体营)是构成双极型集成电路的基本器件．它的品种虽然多种多样，但其基本结构和原理却都是到，由于集电结反偏，集电区的空穴和基区中的电子都能顺利有共性的。车讲舟绍晶体管的基车工作原理。地通过集电结，而形成反向漂移电流Ic)。1．

2、昌体警的基奉结构爰工怍状志在分析晶体管内部载饼￡子运动的基础上，可得出三十电晶体管是由报电流1I、1的关系如下；两十PN结构成叫口Ⅱ卫卜IE—Ic+IB(21)的，这样就有两种b6b—IEIc)IE(22)可能的形式，如图—、f一—、r。由(2])式和(22)式得到：1(a)、(b)所示．其1aI扎①__／(1一i)]·Is一H(23)中图1(a)称为其中=i／(1一i)称为共射电路晶体管电流放大倍数。PNP壅晶体管，图(b)称为NPN型晶体管。晶体管的两十3晶体蕾的放大作用PN结引出三十电报，即发射撅、基撅和集电

3、报，分别以e、b晶体管内部发生的物理过程，最本质的就是发射投(或基和c表示．当在两十PN结上加上不同极性电压时，晶体管会投)电流能够控箭集电极电流，这就决定了晶体管具有放大作有不同的工作转态发射结正偏、集电结反偏时，晶体管处于用。下面图4所示倚单放放大状态F两十PN结均正向偏置时，晶体管处于饱和状志F大电路来说明晶体管是怎样两十PN结均加反向偏置时．晶体管处于截止状态。将礅弱信号进行放大的。2．‘悻警内t瀛子的运动情况被放大信号ul(t)加到现以NPN型晶体管为倒，讲述晶体管在放大转态时载放大器输入端1—1’，电阻

4、瘴子适动情况，进而舟绍双投型晶体管的工作原理。R接在集电极电路．R称为保证晶体管工作在放大状态，应使发射结正偏，集电结为负载电阻．放大后的电压从2—2输出。由图可知，晶体管反偏。外加电源极性应如图2的发射结处于正偏，集电结处于反偏，因此，晶体管处于放大状态。实际上加蓟晶体曾发射结的电压V是正向直流偏压E和正弦交变信号ul(t)之和．因此，在u1(t)作用下tVh将随ul(t)而变。如E=500mV，当al(t)=0时tV500mV，此时=50A。正弦电压U1(t)的峰值如为50mV，则在1(t)妁作用下，V．在45

5、0mY(500mV一50mV)到550mY(500mV一50mV)之间变化。由于Vk的变化将引起Ib的变化，由此可知．信号电压ul(t)的作用就是甩来控制Ib使它随u1(t)而变。当v在450mV～550mV之闻变化时tIb在450mA～550mA之间变化，可见I在起始电赢50A上下变动．如也作正弦变化，则I的交变峰值为5A。通过晶体管的电流放大作用，I的变化将『起I较大的变化。若酱皆的放大倍数日=p=100，喇由(2—3)式，集电撅电流Ic的交变峰值为一△=100X5A=5mA，它在负载电阻RL上产生的交变电压峰

6、值△v．一5mA×1M1=5V，这十正弦交变电压通过电容C从2—2输出，就是输出电压u2。比起来可略去不计，所以可认为发射敏电赢It—IBⅡ从以上讨论可知，输^电压al一50mV(峰值)通过放大电于在基区中的辖运和童告由于发射区的电子浓度比器放大，可从输出端得到u2=5V(峰值)的辅出电压，即输^基区大，固此进^到基区的电子将向集电区方向扩散．在扩散．电压被放大了u2／ul=5V／50mV=100倍。这就是放大器放过程中，电子有可能与基区中的空亢相遇导致复台。空一(不断大电信号的物理过程同电子复合，因此基撅电源V要

7、不断供给空穴．这就形成了4．昌悻警的特性曲线基敏电流I在分析和设计晶体营电路时．往往需要用一种倚单而卫集电极电1虎的形成过程在集电结反偏电压的作用下，明了的形式来表示晶体管各极电流和电压之问的关系。晶体除去少数在基区艘复合掉的电子之外，绝大多数电子被拉过管特性曲线就是用来描述晶体管各投电流和电压关系的曲集电结到达集电区，形成集电报电子电赢显然，发射区注线1997年5期29,(总157)维普资讯http://www.cqvip.comj入门篇口由于实际中共射连接的放大器用的最多，所以，我们p』它曲线的这一范围许沟放大

8、厦；(2)当Ib达到90f~A以后，尽管、为倒来讨论晶体管的特性曲线。测绘晶体管特性线的电路调小Rh使T继续增加r输出电流I却基本E保持在6mA不如图5所示图中的电变(见附表)．这种现象件为饱和-这就是图7中A点昕源Eu甩来供给发射示的状杰。在饱和状态下，集电概与擞射撤问的电雕称饱和结正向偏压，而电源降，一般用VⅢ表～V总足很小的．如附丧中宴秘』数据为E刚用