非对称接触氧化钨纳米线器件电输运性能研究

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1、＿咖雜炎摩硕士学位论文非对称接触氧化钨纳米线器件电输运性能研究学科专业微电子学与固体电子学学位类型工学硕士学位研究生姓名王立州导师姓名、职称唐东升教授论文编号Ｓ１８０２９３０湖南师范大学学位评定委员会办公室二？一八年六月分类号密级学校代码１０５４２学号２０１５２０１１０９６０非对称接触氧化钨纳米线器件电输运性能研究ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＴｒａｎｓｏｒｔＰｒｏｅｒｔｉｅｓｏｆＴｕｎｓｔｅｎｐｐｇＯｘｉｄｅＮａｎｏｗｉｒｅｓｗｉｔｈＡｓｙｍｍｅｔｒｉｃＣｏｎｔａｃｔｓ研究生姓名

2、王立州指导教师姓名、职称唐东升教授学科专业微电子学与固体电子学研究方向纳米材料与纳米器件湖南师范大学学位评定委员会办公室二〇一八年六月摘要目前，传统的ＣＭＯＳ工艺器件在物理尺度逐渐接近其极限，其中ＣＰＵ与存储器的速度之差形成的存储墙日渐严重，限制了计算机。忆阻器是与电阻技术的发展、电容与电感并称为基本的电学器件，其同时具有存储信息以及逻辑运算的功能一种新型的非易失型存，是储技术，在解决计算机存储墙问题上具有很大的潜力。一维结构纳米材料因其独特的结构和优异的物理化学性质，成为构筑纳米元器件的理想材料。在纷繁复杂的纳米材料中

3、，Ｗ０３因其在电致色变、气敏传感器、阻变存储器以及超导方面有着优异的性质，引起了广泛的关注与研究。本文主要研宄了基于ｗｏ３纳米线构筑对称电极（Ａｕ／Ｗ０３／Ａｕ）和非对称电极（Ｃｕ／Ｗ０３／Ａｕ）两端器件，研宄其忆阻性能。主要工作如下：１．采用水热法成功合成单分散性好的六方Ｗ０，３纳米线并利用深紫外光刻微加工技术和金属剥离技术构筑基于单根纳米线的两端纳米器件；２．通过不同金属电极构筑了对称和非对称忆阻器原型，实现界面接触性能及其阻变行为调控；＋２＋２３．基于Ｃｕ／Ｗ０３／Ａｕ纳米器件，通过施加偏压调控Ｃｕ迁移与Ｃｕ导电丝的通断，实现器件高

4、低阻态的调控。希望在后续的研究中，基于非对称Ｃｕ／Ｗ〇３／Ａｕ纳米线器件实现Ｉ＋对２Ｃｕ导电丝精确的控制，进而使其忆阻性能应用到实际中去。：三氧化钨纳米线关键词；阻变存储电输运性能空位；忆；；氧阻器。ｎＡＢＳＴＲＡＣＴＡｔｐｒｅｓｅｎｔ，ｔｈｅｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌＣＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓｄｅｖｉｃｅｓｇｒａｄｕａｌｌｙａｐｐｒｏａｃｈｔｈｅｉｒｌｉｍｉｔｓａｔｔｈｅｐｈｙｓｉｃａｌｓｃａｌｅ，ｉｎｗｈｉｃｈｔｈｅｍｅｍｏｒｙｗａｌｌｒｏｂｌｅｍｃａｕｓｅｄｂｙｔｈｅｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅｂｅｔｗｅｅｎ

5、ｔｈｅｓｅｅｄｏｆＣＰＵａｎｄｍｅｍｏｒｐｐｙｂｅｃｏｍｅｓｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｌｙｓｅｒｉｏｕｓ，ｌｅａｄｉｎｇｔｏｔｈｅｈｉｎｄｒａｎｃｅｔｏｔｈｅｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｃｏｍｐｕｔｅｒｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．Ｍｅｍｒｉｓｔｏｒｉｓａｂａｓｉｃｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｄｅｖｉｃｅｔｏｅｔｈｅｒｗｉｔｈｒｅｓｉｓｔｏｒｓｃａａｃｉｔｏｒｓａｎｄｉｎｄｕｃｔｏｒｓ．Ｈａｖｉｎｔｈｅ，ｇ，ｐｇｆｕｎｃｔｉｏｎｏｆｓｔｏｒｉｎｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎａｎｄｌｏｉｃａｌｏｅｒａｔｉｏｎｓｉｔｉｓａｎ

6、ｅｗｔｅｏｆｇｇｐ，ｙｐｎｏｎ－ｖｏｔｔｅｔｌａｔｉｌｅｓｏｒａｅｃｈｎｏｌｏａｎｄｈａｓａｒｅａｔｏｅｎｔｉａｌｏｎｓｏｌｖｉｎｔｈｅｇｇｙｇｐｇｒｏｂｌｅｍｏｆｃｏｍｕｔｅｒｍｅｍｏｒｙｗａｌｌ．ｐｐＤｕｅｔｏｉｔｓｕｎｉｑｕｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄｅｘｃｅｌｌｅｎｔｐｈｙｓｉｃａｌａｎｄｃｈｅｍｉｃａｌｒｏｅｒｔ－－ｉｅｓｏｎｅｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄｍａｔｅｒｉａｌｓｈａｖｅｂｅｃｏｍｅｉｄｅａｌｐｐ，－ｍａｔｅｒｉａｌｓｆｏｒｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｎｎａｎｏ

7、ｃｏｍｏｎｅｎｔｓ．Ａｍｏｎｔｈｅｎｕｍｅｒｏｕｓｇｐｇｎａｎｏｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｗ０３ｈａｓａｔｔｒａｃｔｅｄｗｉｄｅａｔｔｅｎｔｉｏｎａｎｄｃｏｎｓｉｄｅｒａｂｌｅｒｅｓｅａｒｃｈｅｓｗｉｔｈｉｔｓａｌｉｆｉｅｄｒｏｅｒｔｉｅｓｉｎｅｌｅｃｔｒｏｃｈｒｏｍｉｓｍａｓｓｅｎｓｏｒ，ｑｕｐｐ，ｇ，ｒｅｓｉｓｔｉｖｅｍｅｍｏｒｙａｎｄｓｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ．Ｔｈｉｓｐａｐｅｒｍａｉｎｌｙｓｔｕ