射频功率放大器设计技术及快速电磁优化方法的研究

射频功率放大器设计技术及快速电磁优化方法的研究

ID:37023149

大小:2.97 MB

页数:78页

时间:2019-05-17

射频功率放大器设计技术及快速电磁优化方法的研究_第1页
射频功率放大器设计技术及快速电磁优化方法的研究_第2页
射频功率放大器设计技术及快速电磁优化方法的研究_第3页
射频功率放大器设计技术及快速电磁优化方法的研究_第4页
射频功率放大器设计技术及快速电磁优化方法的研究_第5页
资源描述:

《射频功率放大器设计技术及快速电磁优化方法的研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、射频功率放大器设计技术及快速电磁优化方法的研究ResearchonRFPowerAmplifierDesignTechniqueandFastEM-BasedOptimizationMethod学科专业:电路与系统研究生:王彩霞指导教师:马建国教授天津大学微电子学院二零一七年十二月独创性声明i本人声明所呈交的学位念文是本人在导部指导下进行的研究工作和取得的研究成果,除了文中特别}JU以在i�注在i致握之处外,论文中不包含其结人已在发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得天津太注或某位教育机构的学位或iiE书而使用过的材抖。我才可工作的同志对本;研究研做的任向贡献均已在论文中作了明确1'.1

2、11�.明并表示了谢意。学位:论文作者签名:主和农日期:")1?17年/'t,月2日学{Z:论文版权使用授权书本学校论文作者完全解…天津式步向有关保留、使用学位治文的特授权天津大学l可以将i:台文的全部政部分内容编入有数如1号:进行检.ill.l..,_L索,并采用影印、结E'Plixt::JH1�等复制于战保存、¥[辅以供资[�和借阅。同子汇亿之向国家有关部门或tJL;ttJ送交战文的复印件和磁盘。〈{呆密的学位论文在解密J§适用本授权现明)学位;:告文非者签名:主机r�瓦日期:〉啊?/,ι月

3、模块之一,其性能的好坏直接决定了整个通信系统的良莠。为了减少无线通信系统的功耗并降低对系统散热装置的要求,近年来业界已经提出了多种射频功率放大器的效率提升策略,如E类、F类和逆F(F-1)类等。然而,随着工作频率的升高,晶体管的寄生效应等非理想因素给高效功放阻抗匹配的实现带来很大困难,进而给高效功放的设计带来新的挑战。另一方面,在射频功率放大器的设计过程中,由原理图生成版图后,受实际互联线、器件的寄生效应和耦合效应等多重因素的影响,版图仿真的性能往往低于设计指标,因而版图优化成为设计者提高成品率的重要步骤,然而传统的电磁仿真较为耗时且耗费大量的CPU资源。因此,基于以上两个亟待解决的问题

4、,本文分别针对高效射频功放的设计技术和射频功放的快速电磁优化方法进行了研究,其主要内容包括以下两个方面:1.针对由于晶体管寄生效应的存在导致E类功率放大器最大工作频率(fmax)受限和谐波调谐类功放多谐波匹配电路设计较为复杂的问题,本文分别提出了新型的E类功放输出匹配电路结构和新型的多谐波匹配电路结构。不仅实现了晶体管寄生效应在基波以及各次谐波下的精确补偿,同时避免了寄生补偿电路和基波匹配电路的单独设计,简化了设计过程,实现的结构也较为简单。基于提出的方法分别设计实现了工作在2.5GHz的逆F类和E类功率放大器,并分别达到了79.8%和80%的最大功率附加效率,证明了所提出方法的有效性。

5、2.针对传统电磁优化较为耗时且耗费CPU资源的问题,本文提出了一种基于单点空间映射算法的射频功率放大器快速电磁优化方法。由于单点空间映射算法既不需要大量的电磁仿真作为训练数据点,也不需要对电路中的无源器件进行额外的器件建模,所以提出的优化方法只需要较少的迭代次数就可以获得功放最优的电路设计参数。利用所提出的方法,对工作在35~42GHz的宽带MMIC功率放大器进行了电磁优化,经过两次迭代优化后,功放性能就可以达到期望的设计指标,大大缩短了优化时间。关键词:射频,功率放大器,高效率,空间映射,电磁优化IABSTRACTAradiofrequencypoweramplifier(RFPA)i

6、soneofthecriticalmodulesofwirelesstransmitters,whichdirectlydeterminestheperformanceofwirelesscommunicationsystems.Inordertoreducethepowerdissipationofwirelesscommunicationsystemsandtherequirementsofcoolingequipments,variousefficiencyboostingstrategieshavebeenproposed,suchasClass-E,Class-Fandinve

7、rseClass-F(Class-F-1)PAs.However,theparasiticeffectsofthetransistorandothernon-idealfactorswillbringgreatdifficultiestotheimplementationofimpedancematchingwithfrequencyincreasing,thusbringingnewchallengestothedesignofh

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。