理论：晶体极管教学首页

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1、新会冈州职业技术学校教案首页课程名称：电子技术（上册）授课教师：麦亚勇授课班级15汽电、15制冷授课日期2016年9月12日-2016年9月23日授课内容（章节名称）晶体管理论教学授课方式讲演练相接合教具万用表、烙铁、电子元件教学目标1、学会使用万用表判别二、三极管的管脚2、通过测量煅炼学生的观察能力、动手能力、实践能力。教学重点1、学会判别NPN型三极管的管脚。教学难点1、集电极与发射极的判别。教学过程时间分配共4课时；其中：二极管实训2课时三极管实训2课时课后体会：7新会冈州职业技术学校教案第页1

2、．1半导体二极管1.1.1半导体二极管的结构、符号晶体二极管的电路符号△半导体是制作晶体二极管、晶体三极管、场效应管和集成电路的材料。△温度升高，半导体的导电能力增强。△在半导体材料中掺入微量杂质元素，电阻率下降，导电能力增强。△半导体的导电能力随着光照强度的增强而增强。△常用的半导体材料有硅（元素符号为Si）和锗（元素符号为Ge）两种。△△杂质半导体有两种：N型半导体和P型半导体。（1）N型半导体在半导体硅（或锗）元素中掺入五价元素，例如磷（元素符号P）。N型半导体中自由电子占大多数，称为多数载流子

3、；而空穴称为少数载流子。在外电场的作用下电流中主要部分是电子流。（2）P型半导体在本征半导体硅（或锗）元素中掺入三价元素，例如硼（元素符号B）。在P型半导体中空穴占大多数，称为多数载流子；而自由电子称为少数载流子。在外电场的作用下电流中主要部分是空穴流。1.1.2PN结和它的单向导电性△按照制造材料的不同分为硅二极管和锗二极管。△按照用途分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管等。△按照制造工艺分类有点接触型、面接触型、平面型等。1、2．将N型半导体与P型半导体采用特殊的工艺结合在一起时，在

4、其交界处会形成一种特殊的层，这就是PN结。2、PN结具有很重要的特性——单向导电性。3、PN结加正向电压－导通△将PN结按照图（a）所示接上电源称为加正向电压，称为PN结处于导通状态。7△PN结加反向电压——截止将PN结按照图（b）所示接上电源称为加反向电压，称为PN结处于截止状态。综上所述，当PN结加正向电压时会导通，加反向电压时会截止，这就是PN结的单向导电性。1.1.3伏安特性1．二极管两端的电压u与电流i之间的变化规律称为晶体二极管的伏安特性。2．晶体二极管伏安特性曲线3．1.1.4二、半导体

5、二极管的主要参数1.最大整流电流IF2.最高反向工作电压UR3.最高工作频率fM1.1.5三、特殊二极管1.稳压管2.发光二极管发光二极管（LED）是一种直接将电能转化为光能的器件。1．2半导体三极管7一、半导体三极管的结构、符号1．半导体三极管的外形课本P4图1-52．半导体三极管的电路符号3．半导体三极管的结构特点△晶体三极管中间的区域为基区，基区较薄，两边的分别为发射区和集电区。三个电极分别称为基极(用b表示)、发射极(用e表示)、集电极(用c表示)。△发射极与基极之间的PN结称为发射结（简称e

6、结）；集电极与基极之间的PN结称为集电结（简称c结）。按照制造材料的不同分为硅二极管和锗二极管。4．（补充）半导体三极管的分类△按照制作材料分类：有硅管和锗管。△按照内部结构分类：有NPN型和PNP型（不论是硅管还是锗管都有NPN型和PNP型）。△按照用途分类：有放大管和开关管等。△按照工作频率分类：有低频管和高频管。△按照功率分类：有小功率管、中功率管和大功率管等。二、三极管电流放大作用1．三极管放大的外部条件，发射结正偏；集电结反偏。2．晶体三极管中的电流分配关系△当发射结两端的电压变化时IB就要

7、变化，IC也要随之变化，因此IC的变化量与IB的变化量之比称为共发射极交流电流放大系数，用β表示，即β＝ΔIC/ΔIB3．7三、一、伏安特性1．三极管的输入特性。△输入特性曲线与二极管的正向特性曲线相似。当uBE大于门限电压UT以后，iB随着uBE的增加而增加。2．输出特性曲线△在一定的基极电流IB下，输出回路中集电极电流iC与uCE之间的关系曲线称为输出特性曲线。按照图1-10（a）连接电路，改变RB使IB为某一个固定的数值（例如20µA）并保持不变。逐渐增加VCC，测出一系列iC和uCE的值，描点

8、连线即可以得到一条输出特性曲线。△曲线分成三个区域：当uCE较小时，曲线陡峭，这部分称为饱和区。在饱和区，iB增加时iC变化不大，不同iB下的几条曲线几乎重合，表明iB对iC失去控制，呈现“饱和”现象。实训报告晶体管的简单测试一、实验目的7（1）熟悉二极管的管脚与质量的判别。（2）熟悉三极管的管脚、管型与质量的判别。一、实验知识第一章第二节半导体二极管、第三节半导体三极管。二、实验仪器与器材万用表，各种型号的二极管、三极管各一个。三、实验内容与步骤1、二