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时间:2019-05-03
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1、.一种高性能的CMOS电压比较器设计作者:苟欣来源:《电子技术与软件工程》2016年第12期 设计一种高性能的电压比较器,该比较器采用两级放大电路和推挽输出级电路,应用差分放大电路减少共模干扰,应用共源共栅电路减少失调电压,应用推挽输出级电路提高输出驱动能力。在Cadence环境下基于TSMC0.18μmCMOS工艺下完成电压比较器的设计。仿真得到比较器的增益为92.123dB,带宽为10MHz,上升延时为913ps,下降延时为754ps,失调电压为150μV,功耗为0.289mW,版图面积为29.56μm×25.68μ
2、m。它具有高增益、低失调电压、低功耗等特点,可用于高精度测时电路中。 【关键词】电压比较器高增益低功耗失调电压 模拟集成电路中比较器是一个基本模块,广泛应用于模拟信号到数字信号的转换。在A/D转换器中,电压比较器的增益,带宽,功耗,失调电压的特性严重影响整个转换器的转换速度和精度,传统的电压比较器采用多级结构,使用输入失调存储技术(IOS)和输出失调存储技术(OOS)对失调电压进行消除,增加了电路结构的复杂度和功耗,芯片面积也越来越大。但随着应用速度越来越高,功耗要求越来越低,IOS和OOS要求放大器有足够
3、高的增益和带宽,这些因素对于其发展有一定的制约作用。 本文设计的电压比较器电路结构简单,采用了两级放大结构,前级放大采用差分放大电路,利用差分电路抑制共模信号的干扰,提高了共模抑制比,减少了信号中噪声的干扰,第二级放大采用共源共栅电路对失调电压进行了很好的控制,使电路的失调电压达到150μV,输出级采用推挽输出电路提升了输出的驱动能力,整个比较器的功耗非常低,芯片整个面积仅为29.56μm×25.68μm。该比较器设计主要用于高精度时间测量芯片中,通过比较器产生一个低延时的门控信号,对于整个时间测量电路达到一个精准的控制
4、。通过仿真结果得知,该电压比较器满足应用需求。 1电压比较器结构 如图1所示为CMOS电压比较器原理图,该比较器由偏置电路、差分放大器、共源放大器和推挽级输出电路组成。其中,M1管和M2管组成偏置电压电路,为差分放大器和共源放大器提供偏置电压。通过调节M1管和M2管的宽长比,让差分放大器和共源放大器得到合适的工作电流,合理设计差分放大器和共源放大器,主要考虑输入失调电压、输入共模范围、输出信号的增益和带宽的影响,设计出一个性能最优的比较器电路。M10管和M11管组成一个推挽输出级电路,提升输出信号的驱动能力
5、,为了能更好的和其它电路进行协同工作。.. 该电压比较器的工作原理如下:是同相输入端,是反相输入端。当输入电压高于时,M3管导通,,M3管和M7管的电流相同,M8管又与M7管为镜像电流关系,M8管导通,使,b点为高电平,c点为低电平,Vo输出高电平。当输入电压低于Vb时,,因此,M4管导通阻抗低,b点为低电平,导致M9管导通,c点为高电平,Vo输出为低电平。 1.1偏置电压电路设计 M1管和M2管组成偏置电路提供M5管和M6管的栅极电位。偏置电路采用PMOS管和NMOS管栅漏极相连,两管子均工
6、作于饱和区,为差分放大器和共源放大器提供恒定的电流源。因此, 1.2差分放大器的设计 差分放大电路的作用有两个:首先对输入信号进行放大,这样就可以对比较级电路的比较时间进行降低,同时把总体延时降到最低;其次是对输入信号差值进行放大,这样就可以把失调电压对整个电路的影响降到最低。高带宽在高速比较器中是一个重要影响因素,高的带宽可以使整个电路的比较时间减少,从而对于比较器的速度进行提高。 负向共模输入电压决定了差分输入对管。负向共模输入电压取决于M5管进入饱和区的条件。负向共模输入电压为。
7、 M3管、M4管和M5都工作在饱和区,三个管子的阈值电压相等。 考虑到负向共模范围低和电压增益高的要求,取=1.2V,由式(7)可以得到M3管的宽长比。 M3管和M4管是完全对称的输入对管,所以可以得到。 有源负载对管M7和M8由正向共模输入电压决定,正向共模输入电压取决于M3管进入饱和区的条件,则得到: 设计共模输入电压=3V,。I0为差分放大器的工作电流。由式(8)可以得到M7管的宽长比。M8管和M7为对称有源负载对管,所以得到。 差分放大器的放大倍数为:
8、 1.3共源放大器的设计 共源放大器由M6管和M9管组成,M6管为有源负载,M6管与M2管为镜像电流关系,已经确定M6管的宽长比,M9的设计主要考虑共源放大器的放大倍数和输入失调电压的影响。为
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