《磁阻效应实验》PPT课件

《《磁阻效应实验》PPT课件》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、磁阻效应实验大学物理实验实验目的了解磁阻效应的基本原理及测量磁阻效应的方法.测量锑化铟传感器的电阻与磁感应强度的关系.实验原理一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B变化的规律称为磁阻效应。应用这种效应做成的传感器称为磁阻元件。实验原理图1霍尔效应当导体或半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转,在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。实验原理在霍耳电场和外加磁场的共同作用下，沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大，也就是由于磁场的存在,增加了电阻,此现象称为磁阻效应。URIS-eFBFE++++

2、++------Bab图2磁阻效应如果将图2中a端和b端短路,磁阻效应更明显。实验原理通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小，即用Δρ/ρ(0)表示。其中ρ(0)为零磁场时的电阻率，设磁电阻电阻值在磁感应强度为B的磁场的电阻率为ρ(B)，则Δρ=ρ(B)-ρ(0)由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/R(0)正比于Δρ/ρ(0)，因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量ΔR/R(0)来表示磁阻效应的大小.ΔR=R(B)-R(0)图2磁阻效应曲线实验原理一般情况下外加磁场较弱时，电阻相对变化率正比于磁感应强度B的二次方；随磁场的加强，

3、与磁感应强度B呈线性函数关系；当外加磁场超过特定值时，与磁感应强度B的响应会趋于饱和。实验操作要求1.在锑化铟磁阻传感器工作电流保持不变的条件下（IS=1mA）,测量锑化铟磁阻传感器的电阻与磁感应强度的关系，作△R/R(0)~B关系曲线。2.用磁阻传感器测量一个未知的磁场强度(275mT),与毫特计测得的磁场强度相比较,估算测量误差.IM霍尔、磁阻元件每一个数据点测量两组数据：磁场强度和磁电阻（电压）磁阻效应测量电路示意图——伏安法实验仪器ΔR/R(0)~B关系曲线（IS=1mA）电磁铁InSbΔR/R(0)~B关系IM(mA)U

4、R(mV)B(mT)R(Ω)ΔR/R(0)01020100150500275数据表格1.不要在实验仪器附近放置具有磁性的物品.注意事项2.加电前必须保证测试仪的调节和调节旋钮均置零位(即逆时针旋到底)。工作电流不超过1mA。3.严禁在励磁线圈加电后插拔励磁电流连线!因为此时会有极强的感应电压,可能损坏仪器.如须插拔励磁电流连线,应将励磁电流调至最小,再关闭电源,才可进行插拔!作业1.磁阻效应是怎样产生的?磁阻效应和霍尔效应有何内部联系?2.实验时为何要保持霍尔工作电流和流过磁阻元件的电流不变?3.不同的磁场强度时,磁阻

5、传感器的电阻值与磁感应强度的关系有何变化?*4.磁阻传感器的电阻值与磁场的极性和方向有何关系?实验报告基本要求：字迹清晰，文理通顺，图表正确，数据完备和结论明确实验报告内容包括：（1）实验名称（2）实验目的（3）实验原理：原理图、电路图、主要计算公式（4）数据处理：原始数据重新列表并计算处理（5）实验结论：阐述得到的规律特征及分析*（6）误差分析（7）签字数据