《物性型传感器》PPT课件

《物性型传感器》PPT课件

ID:36909220

大小:237.10 KB

页数:20页

时间:2019-05-10

《物性型传感器》PPT课件_第1页
《物性型传感器》PPT课件_第2页
《物性型传感器》PPT课件_第3页
《物性型传感器》PPT课件_第4页
《物性型传感器》PPT课件_第5页
资源描述:

《《物性型传感器》PPT课件》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、第8章物性型传感器物性型传感器是利用敏感材料本身的物理或化学特性随输入量的变化实现信号转换的一类传感器的统称,半导体、电介质、铁电体以及其他高分子材料是构成这一类传感器的常用敏感材料。工程技术上常用的物性型传感器包括光电传感器、光纤传感器、压电传感器、霍尔传感器以及用于气体、湿度等检测的化学传感器。本章主要介绍在工程技术上广泛应用的物性型传感器的工作原理、典型结构、参数与应用特点。8.1光电式传感器光电式传感器是以光电器件作为转换元件,实现光—电信息转换的一种能量型传感器。不但能够适应检测可见光的需要,

2、也能够满足对紫外光或近红外光的检测需要。特点:响应速度快、性能稳定可靠、非接触测量、灵敏度高等应用:在生产线的产品计数、气体成分分析、光控、工业生产烟尘监测、零件的表面粗糙度测量、振动监测与分析实用的光电传感器既有模拟式的、也有数字式(包括脉冲式)。8.1.1光电效应1.外光电效应在光的照射下,物质表面具有电子逸出并向外发射光电子的现象,即光电发射效应。根据光的粒子性,光束是由大量的光子微粒所形成的粒子流所组成,每个光子微粒具有特定的能量:(8.1)爱因斯坦光电效应方程式:(8.2)式中,,是电子的静止

3、质量;是电子逸出物质表面的初始速度,A是物质电子逸出功,取决于物质材料并受物质表面状态影响。2.内光电效应光波照射到半导体材料时,可以激发电子—空穴对,引起半导体内部载流子数量的改变,这些载流子仍然处于半导体的内部,而不像外光电效应那样向外发射光电子,所以称作内光电效应。8.1.2光电器件1.光电管光电管是一个封装有光电阴极与阳极的玻璃器件、结构简单,具体结构形式多种多样。图8.3是一种真空光电管的外型示意图。光电管的阴极受到光线的照射作用会在极短的时间内(通常都在ns范围内)产生外光电效应,向外发射光

4、电子。被发射的光电子在阳极加速电压的作用下进行聚集与加速,在空间形成光电子流。通过电极引脚外接适当的电阻器件,即可将光电流转换为电压输出进行信号处理。8.1.2光电器件2.光电倍增管(PMT)由于光电管的灵敏度难以适应微弱光的检测要求,即使在电路设计上使光电流信号能够被放大到一定程度,但是受到噪声电平的影响,检测信号的信噪比也满足不了工程应用的实际需要。技术上为克服这个缺陷,人们研制了光电倍增管即光子计数器以满足对微弱光线的检测需求。(1)光电倍增管的结构与工作原理光电倍增管的基本组成包括光电阴极、一定

5、数量的倍增电极、阳极与真空管外壳四部分。光电倍增管的结构如图8.4所示。光电倍增管是利用高速电子的撞击产生二次电子发射效应进行光电流放大的内增益光电器件。阴极光电敏感材料在光照作用下产生的光电子,依次在各倍增电极电压的作用下加速撞击,倍增电极材料在高速电子的轰击下产生二次电子发射,使电子数目逐级增加,最后大量的二次发射电子与光电子一起被阳极收集形成随输入光信号变化的光电流。8.1.2光电器件2.光电倍增管(PMT)(2)光电倍增管的使用光电倍增管在选型与使用时,应注意以下问题:(a)光电倍增管的阴极材料

6、按照光电发射材料的不同有单碱与多碱锑化物光电阴极、银氧铯和铋氧铯光电阴极、紫外光电阴极、III—V族化合物光电阴极四种类型。不同的光电阴极具有不同的光谱响应范围,实际应用中应根据检测的光谱要求进行选择。(b)由于光电倍增管具有很高的灵敏度,实际使用过程中应注意过强的光线的照射,防止光电倍增管的损坏。(c)倍增极的加速电压的稳定性对光电倍增管的电流增益稳定性具有直接影响作用,应用光电倍增管进行微弱光线检测电路设计时,选择高稳定性的电源对系统增益稳定性的提高具有重要作用。(d)外磁场光电倍增管的光电流具有影

7、响作用,是一种重要的噪声来源之一,对光电倍增管进行良好的电磁屏蔽是克服外来电磁场干扰的技术措施。背景噪声的干扰可以通过光滤波片加以限制。同光电管一样,光电倍增管也存在暗电流,应考虑降温、选择合适的工作电压等技术措施防止暗电流的增长,提高信噪比。8.1.2光电器件3.光敏电阻光敏电阻是电阻阻值随光照改变工作的电阻器件。由于具有较高的光谱灵敏度、结构紧凑小巧、工作性能稳定、价格低廉,在现代光检测、光控制领域具有广泛应用。(1)光敏电阻的结构与工作原理光敏电阻的结构相对简单,用于制造光敏电阻的半导体材料禁带宽

8、度往往都较高,如硫化镉CdS(禁带宽度为2.4eV)、硒化镉CdSe(禁带宽度为1.8eV)。选用高禁带宽度的半导体材料制作光敏电阻其目的是提高光敏电阻的灵敏度。常温下,这类半导体由于热激发产生的电子、空穴的数量很少,无光线照射的条件下阻值很高,通常在级。在光照作用下,光作用产生的电导率变化很大,阻值急剧下降,一般在100以下,从而表现出较高的电阻灵敏度。图8.5是常用的硫化镉(CdS)光敏电阻的结构与工作原理。8.1.2光电器件4.光电二

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。