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时间：2019-05-10
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1、5.3结型场效应管5.3.1JFET的结构和工作原理5.3.2JFET的特性曲线及参数5.3.3JFET放大电路的小信号模型分析法5.3.1JFET的结构和工作原理1.结构#符号中的箭头方向表示什么？2.工作原理①vGS对沟道的控制作用当vGS＜0时（以N沟道JFET为例）当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP（或VGS(off)）。对于N沟道的JFET，VP<0。PN结反偏耗尽层加厚沟道变窄。vGS继续减小，沟道继续变窄。2.工作原理（以N沟道JFET为例）②vDS对沟道的控制作用当vGS=0时，vDSIDG、D间PN结的反向电压增加，使
2、靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。当vDS增加到使vGD=VP时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时vDS夹断区延长沟道电阻ID基本不变2.工作原理（以N沟道JFET为例）③vGS和vDS同时作用时当VP3、阻比BJT高得多？JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG0，输入电阻很高。5.3.2JFET的特性曲线及参数2.转移特性1.输出特性与MOSFET类似3.主要参数5.3.2JFET的特性曲线及参数5.3.2FET放大电路的小信号模型分析法1.FET小信号模型（1）低频模型（2）高频模型2.动态指标分析（1）中频小信号模型2.动态指标分析（2）中频电压增益（3）输入电阻（4）输出电阻忽略rds，由输入输出回路得则通常则end
3、阻比BJT高得多？JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG0，输入电阻很高。5.3.2JFET的特性曲线及参数2.转移特性1.输出特性与MOSFET类似3.主要参数5.3.2JFET的特性曲线及参数5.3.2FET放大电路的小信号模型分析法1.FET小信号模型（1）低频模型（2）高频模型2.动态指标分析（1）中频小信号模型2.动态指标分析（2）中频电压增益（3）输入电阻（4）输出电阻忽略rds，由输入输出回路得则通常则end
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