《电致发光显示器EL》PPT课件

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1、2009.8.52010wangxuewen第六章电致发光显示器（electroLuminescensedisplay【ELD】）2009.8.5定义：电致发光（Electroluminescence,EL）是将电能直接转换成光能的一种物理现象。-----是一种电控发光器件,是某些物质受电子激发而发出光.-----是一种冷光源，-----是靠荧光粉在交变电场作用下的本征发光，但亮度低，寿命仅有5000小时EL按激发过程不同可分为两大类：注入电致发光LED——在半导体PN结加正偏压时产生少数载流子注入，与多数载流子复合发光。

2、高场电致发光ELD——将发光材料粉末与介质的混合体或单晶薄膜夹持于透明电极板之间，外施电压，由电场直接激励电子与空穴复合而发光.2009.8.5特点：ELD是一种主动发光型、平板式、全固体的显示器件。可作为面光源和图形显示。发光的颜色：黄橙色、绿色、红色、蓝色等,且蓝-绿色、绿色、黄色和黄-绿色EL显示器也已有样机。具有多功能如存储记忆功能、光图像存储、光消除、电读出等功能与LED相比，较为大型化、方便易看，平均每一个像素的成本低。但是，在彩色化、多像素、大面积显示时亮度、发光效率则不够理想。与CRT相比成本较高。2009.

3、8.5EL显示器的亮度在85到3400cd/m2(25到1000ftＬ)。对比度很高，图像质量也很理想。至少一个模块有一个灰度，能满足图像的要求。全色和视频是其未来可能的应用领域。可视范围较大（从通常的位置到70度），工作环境温度从0℃~55℃。虽然其需要的电压相当高，但其电流很小，有时也可使用电池。电致发光显示器价格贵，因此很少用于消费产品中。其典型的阵列尺寸为256×512、320×240和640×200。2009.8.5发展简况1920年德国学者古登和波尔发现的，在某些物质加电压后会发光。1923年苏联的罗塞夫发现了S

4、iC中偶然形成的p-n结中的光发射。1936年G.Destriau(德斯垂)发现掺入荧光粉ZnS的蓖麻油一加上电场就会发光。1947年美国学者Mcmaster(麦克玛斯特)发明了导电玻璃，引起开发了平面光源--交流ELD，但亮度不够高1955年美国的沃尔夫在GaP上观测到Ⅲ-Ⅴ族半导体发出的可见光，1962年美国的潘可夫从GaAs中获得了红外光，1966年以日本广播电视中心为首的三菱电机、松下电器等相继研制成矩阵型电极结构的ELD屏电视图像显示装置。2009.8.51968年英国Vecht等人最早开发了DC分散型ELD显示器

5、件。20世纪60年代末松下公司开发了电视图像用224×224显示屏。1968年美国贝尔(Ball)所研制出薄膜型ELD显示器件，称为“LUMOCEN”．即分子中心发光的ELD。以ZnS为母体、发光中心是稀土卤素化合物分子(TbF3)，发光亮度比分散型ELD高20世纪70年代后，由于薄膜晶体管（TFT）技术的发展，EL在寿命、效率、亮度、存储上的缺点得到了部分克服，成为大型显示技术三大最有前途的发展方向之一。1974年S1D’74国际会议上日本夏普T．Inoguchi等人发表了三层结构薄膜型ELD，高亮度、高可靠性、长寿命。夏

6、普接着又开发了具有1000V高耐压MOS晶体管和MOSIC，三层结构的ELD具备了存储功能、光写入和光消除等多种功能。在SID’74国际会议上，希望薄膜型ELD能成为矩阵的大型信息显示屏。2009.8.51978年法国M．Abdalla等人开发了直流驱动薄膜型ELD。1980年荷兰学者Tuowosuntola用原子层外延技术制作发光层，使器件的特性得到了显著改善。接着，东京工业大学为实现低压驱动采用了MIS结构，大幅度地改善了驱动电压，用分子束外延技术在GaAs基板上ZnSe发光层，实现了低压驱动显示屏。大阪大学采用多层重叠

7、制作薄膜型ELD，用控制电压法使之发出红、黄、绿、蓝各色光。在SID’92国际会议上报道了单色直流型DC-ELD和交流型AC-ELD显示屏。薄膜型AC—ELD比DC-ELD具有更大的显示容量和高亮度、长寿命。在DC-ELD的显示容量达640×480个像素。薄膜型AC-ELD的高达1024×864个像素，显示尺寸为对角线45.7cm。2009.8.5松下已报道了对角线25.4cm，有1024×768个像素加黑色衬底的薄膜型显示屏。在10001x的环境照度下，对比度为100：1，最大功耗40W，采用能量复得电路，使对角线25.4

8、cm，640×480个像素的显示屏最大功耗降低到15W。荷兰Lohia公司和日本夏普公司在2.5cm×2.5cm的显示屏上做出分辨力为20线/mm的薄膜型AC-ELD。美国cherry公司通过对ZnS：Mn荧光粉进行滤色得到红、绿和蓝三基色光。获得了多色显示。研制出640×200个像素、对