半导体设备的可靠性、维修性和可用性

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时间:2019-05-16

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1、维普资讯http://www.cqvip.com半导体设备的可靠性◆维修性和可用性北京七星华创电子公司董大为当今在半导体设备采购中,需方(Purchaser)除技术、管理、供方(Supplier)和使用方(User)都有关.关注设备的性能和工艺保证性指标(Guaranteed因此,要作为一项考核指标,应进行合理的界定。Specifications)外,还普遍关注设备的可靠性(Relia—SEMIEl0—0304用设备在生产中占用的时间来确bility)、维修性(Maintainability)和可用性(Avail—定并计算设备的可靠性、维

2、修性和可用性,成为需方ability)。和供方统一的、可操作的技术指标。SEMIEl0—可靠性在国标GB/T3187—94中被定义为:产0304把设备所处的时间分成六类如图1所示。品在规定的条件下和规定的时间区间内完成规定功图1中六类时间所包含的内容如下能的能力,它常用平均失效间隔时间MTBF(Mean①非计划时间TimeBetweenFailures)来表示,MTBF是指失效间隔◎设备不安排生产(如轮休、周末、假日等)时间的期望。.维修性在上述国标中被定义为:在规定◎设备安装、改进、重建和升级的条件下并按规定的程序和手段实施维修时,产品

3、◎离岗培训在规定的使用条下,保持或恢复能执行规定功能状②无计划不能工作时间态的能力,它常用平均修复时间Mq'TR(MeanTime◎维修延误(如等待人员、另件或消费品)ToRepair)来表示,Mq'TR是指修复前时间的期望。◎修复(如诊断、修复、测试、检验)可用性在上述国标中被(1)非计划时间定义为:在要求的外部Non·——ScheduledTime资源得到保证的前提t(2)无计划不能工作时间下,产品在规定的条件设备不能工作UnscheduledDowntime总时间下和规定的时刻或时间时间TlnVLI_区间内处于可执行规定Equipm

4、entDowntime(3)有计划不能工作时间Tile功能状态的能力,它常』ScheduledDowntime●用设备能工作时间(Up●(4)T程时间乏各能工作EngineeringTime工作时间Time)%或可用时间来寸间Operations表示。可用时间是指产!quipment(5)待命时间TimI品处于可用状态的时间IptimeStandbyTime制造时间区间。可用性是产品可Manufactunng(6)生产时间靠性,维修性和维修保TimeProductiveTime障性的综合反映,它与-图1维普资讯http://www.cqv

5、ip.comlI-!⋯巾国集成电路复l●_ChinaIntegratedCircuit’◎更换消耗品/化学品(如更换酸、气、靶、源(b)由动力冷却水、室内气体、排气、液氮等;等.包括与更换有关的清洗和冲洗)(c)其它设备或主机间通讯连接等。◎不规范的输入④工程时间如(a)不规范的承片架、舟、探针卡、中间掩模◎工艺(如工艺鉴定等)等;◎设备(如设备评定)(b)翘曲或沾污的晶片、翘曲的引线框架等;◎软件(如软件认证))(c)没有校正的量具、看错了图表和输入错误⑤待命时间数据等;◎无操作人员(如休息、就餐、开会)(d)沾污的酸、有毛病的靶、变质

6、的光刻胶等。◎无产品(如晶片等)◎由设施造成的◎无工具(如承片架、舟、探针卡等)如(a)由温度、湿度、振动、颗粒等;◎无外部自动系统的输入(如主机)(b)由动力、冷却水室内气体、排气、液氮等;⑥生产时间(c)由其它设备或主机间通讯连接等。◎正常生产③有计划不能工作时间◎为第三方加工◎维修延误(如等待人员、另件或消耗品)◎返工◎生产试验(如中断设备、对设备按技术要求进行评估)现以某台设备运行一年的统计资料为例进行分◎预防性维修析:如(a)根据运行周期,按维修程序对设备进行一年总时间:8时/班×3班/天×7天/周×维修;52周/年=8736时

7、/年(b)预修后为演示设备功能如本底压力、片子(1)因安装未安排生产有2天×24时/天=传输、气体流量、等离子体激发和源等达技术要求而48时进行的试验;故非计划时间=48时(c)预修后进行检验以确定设备达到技术要求故工作时间=8736—48=8688时的规定。(2)生产中出现故障7次,修复时间共20时◎更换消耗品/化学品(如更换酸、气、靶、源修复时发生维修延误2次共4时等.包括有关的清洗和冲洗。)输入不合格载片架1次共1.5时◎设置故无计划不能工作时间=20+4+1.5=25.5时如(a)为适应工艺、产品的变化而转换设备,它(3)预防性维

8、修安排不包括改造、重建、升级在内;0.5时/天×365天/年:182.5时/年(b)转换后为演示设备功能如本底压力、片子3时/周×52周/年=156时/年传输、气体流量、等离子体激发和源等达技

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