冷轧低压电子铝箔退火加热过程中的再结晶和晶粒长大

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1、第!’卷专辑!中国有色金属学报’""’年+月IF;6!’(!’()*($+),)-./0+12.34.+3)00./,5)612,JCK’""’[文章编号]!""#$"%"&(’""’)(!$"!)*$"+冷轧低压电子铝箔退火加热过程中的再结晶和晶粒长大!舒龙卫,毛卫民,冯惠平,余永宁,徐进(北京科技大学材料学系,北京!"""*,)[摘要]采用-.(/微取向分析、织构定量分析、晶粒尺寸分析等手段研究了低压电子铝箔不同退火加热过程对再结晶和晶粒长大行为的影响,并利用再结晶理论对相关过程进行了讨论。初次再结晶前的回复处理会明显降低冷轧铝箔的储存能及再结晶驱动力,并对再结晶晶粒尺寸和立

2、方织构量产生规律性影响。特定的退火加热过程会诱发电子铝箔的晶粒异常长大,并导致立方织构量的明显下降。[关键词]电子铝箔;退火;再结晶;晶粒长大;立方织构[中图分类号]01!!![文献标识码]2低压电子铝箔是制作低压电解电容器阳极极板并统计计算晶粒的平均尺寸。实验结果中所用的材料,采用腐蚀化成技术可使铝箔表面形成起{!!!}极图的极密度水平统一为!,’,#,*,!%,,’伏[!,’],以扩大极板表面积而大幅度提高比电容。和%#。目前低压电子铝箔多采用交流腐蚀的方式扩面,其效果的好坏与铝箔中的晶粒尺寸及取向有直接的关"实验结果系。除了控制冷轧过程外[,!+],借助调整退火工艺可以控制

3、再结晶和晶粒长大行为,影响再结晶晶粒图!给出了冷轧铝箔经’""<,!>加热后的的尺寸和取向,进而影响铝箔的扩面效果。因此有{!!!}极图。图’,,是两组铝箔试样在不同温度作必要系统分析退火工艺对低压电子铝箔再结晶和晶,"38=退火后的{!!!}极图。图!中的极密度分布呈粒长大过程的影响规律。现较典型的轧制织构,根据图!所示的极图和组织观察可以断定,’""<,!>加热并未使纯度较高的!实验方法冷轧铝箔发生明显再结晶,但根据基本的再结晶理选用工业用&+厚冷轧低压电子铝箔,其化"3学成分波动范围为45"6""!7!"6"",7,(8"6""!7!"6"",7,9:"6"",7!"6""

4、%7,2;!&&6&*7。将铝箔样品分成两组,在盐浴炉中作不同退火处理。其中一组作一次加热,温度分别为,"",,+",#"",#+"<,加热时间为,"38=。另一组作两次加热,先进行’""<,!>预处理,水冷后再作,"",,+",#"",#+"<加热,加热时间仍为,"38=。用西门子/+"""型?射线衍射仪测定铝箔的{!!!},{’""},{’’"}和{!!,}极图[%],用正态分图!’""<,!>退火后的织构({!!!}极图)布函数拟合计算法计算退火箔立方织构占有率[)]。#$%&!05@A:B5CDA5BC==5C;8=ECA’""<用背散射电子衍射(-.(/)技术测定微区晶

5、粒取向,DFB!>({!!!}GF;5D8E:B5H)#[基金项目]北京市自然科学基金资助项目(’""’"!#)和北京市科学技术委员会资助项目(&++",!"#"")万方数据[收稿日期]’""!$")$’%;[修订日期]’""!$!!$"#[作者简介]舒龙卫(!&)&$),男,硕士研究生第!;卷专辑!舒龙卫,等:冷轧低压电子铝箔退火加热过程中的再结晶和晶粒长大·!ED·图!不同退火温度退火处理后的织构({!!!}极图)"#$%!"#$%&’#()%*+,,#’#-%)--#).+-/%#01#’)%&’#({!!!}12.#,+/&’#()())—3445,2’340+-;(6)

6、—3745,2’340+-;(8)—9445,2’340+-;(*)—9745,2’340+-图&预处理后不同退火温度退火处理的织构({!!!}极图)"#$%&"#$%&’#()%*+,,#’#-%)--#).+-/%#01#’)%&’#),%#’1’#:%’#)%0#-%({!!!}12.#,+/&’#()())—3445,2’340+-),%#’;445,2’!<;(6)—3745,2’340+-),%#’;445,2’!<;(8)—9445,2’340+-),%#’;445,2’!<;(*)—9745,2’340+-),%#’;445,2’!<论可知冷轧试样会经历一个较强的

7、回复过程。在两个试样用?@AB技术检测到的退火组织,可以观3445以上加热则可使铝箔发生再结晶,并产生一察到两试样晶粒尺寸分布的巨大差别。定的立方织构组分(参见图;,3)。若将经回复预处理的试样在更高的3745加图9列出了各退火试样的立方织构占有率和平热,则平均晶粒尺寸急剧增大,且立方织构量却大均晶粒尺寸。未经回复处理的冷轧铝箔其立方织构幅度降低。试样中所呈现的织构特点也有明显变占有率随退火温度的升高而增加,但晶粒尺寸变化化。随后继续退火温度的提高,晶粒尺寸和立方织不大,基本保持

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