X波段微波功率放大模块的设计与研制

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1、摘要摘要伴随着无线通信，雷达和电子对抗的迅猛发展，近些年来，人们对各种固态功率源的需求越来越来迫切。其中，一个最主要的趋势就是对微波高功率放大器的需求。本文研究了X波段功率放大模块的理论和设计方法。采用理论分析与微波电路软件仿真相结合的方法，设计出一款基于GaAsMESFET的X波段宽带微波功率放大模块，包括宽带功率分配合成器设计，直流偏置设计，驱动级的设计和功率放大级的设计。本文设计出的X波段宽带功率放大模块在8～12GHz频率范围内ldB压缩点输出功率约为33dBm，增益可达29dB，带内波动小于2dB，驻波比小于2。

2、以GaN为代表的第三代半导体器件以其优良的微波功率性能获得了研究者的关注，本文利用已有的AIGaN／GaNHEMT器件，设计和制作了大功率输出的GaN型功率放大器，其中漏压24V下，单路放大器的输出功率就已达到8W。功率增益大于6dB。关键词：X波段功率放大模块GaAsGaN功率合成AbstractAbstractWiththerapiddevelopmentofthewirelesscommunications，radarandElectronCountermeasure，thedemandfordifferentkin

3、dsofsolid—statepowersourcehasbeencontinuallyincreasingovertherecentyears．Oneofthemostmajortrendsisthedemandforhighpoweramplifieratmicrowavefrequencies．ThetheoryanddesignmethodofX-Bandpoweramplifiermodulearestudiedinthisthesis．Throughtheoreticalanalysisandsimulatio

4、nwithsoftware，wehavedesignedtheGaAsMESFETwidebandpoweramplifierinX-band，includingthepowerdividerandcombiner,DCbias，thedriverstageamplifierandthepoweramplifier．TheamplifierwasdevelopedwiththePIdBof36dBmandthegainof29dBmoverthe8～12GHzrange．Itsothermajorfeaturesinclu

5、detherippleinband2dB，theVSWR2．TheGaN—basedfamilyofthethirdgenerationsemiconductorshasquicklygainedattentionbecauseofitsexcellentpowerabilityinmicrowaveband．Inthispaper,allX—bandhi：gllpoweramplifierwithavailableAIGaN／GaNHEMTWasdeveloped．Underthedrainbiasvoltageof24

6、V,thesinglepoweramplifiercandeliveroutputpowerof8W、Ⅳitllpowergainofmorethan6dB．Keywords：X-bandPowerAmplifierModuleGaAsGaNPowerCombining西安电子科技大学学位论文独创性(或创新性)声明秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究丁作及取得的研究成果。尽我所知，除了文il·特别加以标注和致谢·lt所罗列的内容以外，论文-l·不包含其他人已经发表或撰写过的

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