MOS器件模型参数提取

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1、摘要将要引起第二次电子革命的智能功率集成电路获得了日益广泛的应用，它的应用范围包括开关电源、电子镇流器、电机驱动、汽车电子和显示驱动，本文中介绍的智能功率集成电路是特别用于电子镇流器的。本文首先简述了智能功率集成电路的研究和发展，从中可以得出本课题的目的：功率集成电路中将功率器件与低压逻辑控制电路集成在一个芯片上，其重要性和价值是菲常重大的。其次，本文阐述了在已经设定的工艺下，通过器件模拟和AURORA软件，提取低压MOS模型参数的方法。提取出的模型参数被用于低压逻辑控制电路的设计和仿真，并为下一步通过工艺

2、测试获取模型参数作为参考。接下来介绍了陈星弼教授提出的功率MOS模型及其提取方法。本文围绕这种方法，说明了提取压变电阻和势垒电容的过程，并讨论了如何将压变电阻和势垒电容模型用于电路仿真的问题。在附录中，给出了UNIX下shell程序和Medici运算结合的实例。利用shell程序能够提高器件模拟和数据处理的效率。关键词：智能功率集成电路功率MOS器件模型参数提取AbstractSmartpowerintegratedcircuits(sPies)，whichwillcausethesecondtechnol

3、ogyrevolution，areusedmoreandmorewidely．TheapplicationfieNsincludeswitchingpowersupply,electronicballast，motordrive，mobileelectronic，displaydrive，etc．．Inthispaper,theSPICmentionedhereisusedtotheelectronicballast．Firstly，theresearchanddevelopmentonSPICsarere

4、viewedbriefly,formwhichwegettheaimofthisdesign：thepowerintegratedcircuitcomprisesnotonlypowerdevices，butalsologiccontrolleddevices．Secondly,accordingtotheprocesswhichisusedinthisSPIC，themethodofparameterextractionoflow-voltageMOSFETispresented，withthehelpo

5、fdevicesimulationandsoflwamAURORA．TheextractedmodelparametersareusedintheSPICdesign，andwouldactasareferenceaftertheprocesstestparameterswereget．Then，apowerMOSFETmodelandtheparameterextractionmethodforitareintroduced，bothofthemalepresentedbyProf．Chen．Basedo

6、nthemethod，thewaytomeasuretheresistanceandthecapacitance，bothofwhichvarywiththeappliedvoltage，isdiscussed．Andthenitisprovidedthathowtoincludethevoltage—dependentresistanceandcapacitanceintothedevicemodellibraryforschematicsimulation．Inappendix，severalexamp

7、lesofshellprogramassociatedwithsoftwareMEDICIinUNIXoperationsystemareintroduced．Devicesimulatiortanddataprocessingmaybemoreefficientwiththehelpofshellprogram．Keywords：SPIC，powerMOSFET,modelparameterextractionU独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知，

8、除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。签名：日期：年月日关于论文使用授权的说明本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权