《功放分析制作》PPT课件

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1、学习情境2功率放大器的分析与制作2.3功率放大器的分析与检测2.450W功率放大器制作2.2集成前置放大电路的分析与检测2.1分立前置放大电路的分析与检测2.1分立前置放大电路的分析与检测一、晶体三极管发射极NNP基极集电极PPN基极发射极集电极符号：BECIBIEICBECIBIEIC(1)NPN型三极管（2）PNP型三极管1、结构基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极结构特点：集电区：面积最大2、电流分配和放大原理（1）三极管放大的外部条件BECNNPEBRBECRC发射结正偏、集电结反偏NPNPNP发射结正偏VB>VEVB

2、VBVC

3、E。但IB对IC有控制作用，IC随IB改变而改变。IC的变化量与IB的变化量之比称为共发射极交流电流放大倍数，即：通常ICIB，因此把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。三极管的实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是电流控制型器件。一般，共发射极电路输入回路输出回路测量晶体管特性的实验线路ICEBmAAVUCEUBERBIBECV++––––++3、三极管特性曲线（1）输入特性死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。IB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1VO正常工作时发射结电压：硅管:0

4、.6~0.7V锗管:0.2~0.3V(2)输出特性IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O放大区放大区特点：在放大区有IC=IB，具有恒流特性。条件：发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。截止区IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O截止区IB<0以下区域为截止区。条件：发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。特点：有IC0IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O饱

5、和区饱和区特点：在饱和区，IBIC，IC不受IB的控制；UCE很小，深度饱和时，硅管UCES0.3V，锗管UCES0.1V。条件：发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。4、主要参数（1）电流放大系数，发射极开路时，集电结在反向电压作用下，集、基极间的反向电流。ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大，ICBO越小越好。直流电流放大系数和交流电流放大系数的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0较小的情况下，两者数值接近。常用晶体管的值在20～200之间。（2）集-基极反向截止电流ICBOICBOA+–EC（3）集-射极反向截止电流

6、(穿透电流)ICEOAICEOIB=0+–基极开路时，集电极和发射极间的反向电流，也称为穿透电流。ICEO受温度的影响大，ICEO越小越好极限参数：（4）集电极最大允许电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。（5）集-射极反向击穿电压U(BR)CEO（6）集电极最大允许耗散功耗PCM集电极电流流过集电结时，产生的功耗使结温升高，结温太高时会使晶体管烧毁，因此规定PC=ICUCEPCM。PCM取决于三极管允许的温升，一般硅管允许结温约为150C，锗管约为7090C。基极开路时，集电极和发射极之间最大

7、允许电压。当集—射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。使用时，一般取ICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区由三个极限参数可画出三极管的安全工作区ICUCEO5、晶体管参数与温度的关系（1）温度每增加10C，ICBO增大一倍。硅管优于锗管。（2）温度每升高1C，UBE将减小(2～2.5)mV，即晶体管具有负温度系数。（3）温度每升高1C，增加0.5%～1.0%。