钛合金用含贵金属钎料的耐蚀性研究

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1、2008年8月第29卷第3期贵金属PreciousMetalsAug.2008V01.29.No.3钛合金用含贵金属钎料的耐蚀性研究+陈登权,许昆,罗锡明,李伟,刘泽光(贵研铂业股份有限公司,云南昆明650106)摘要:研究了AuNiPdTi(ANT一0.5)、TiCuNiPd2(TCN一2)钎料合金对Ti—Al—Nb、TC4合金的润湿性、对无水肼和N2、H:、NH,流动气体的耐蚀性以及钎焊接头气体耐蚀性试验前后显微组织和力学性能的变化。结果表明:ANT一0.5钎料的润湿性、耐蚀性、力学性能均优于TCN一2钎料,耐蚀性达到一级

2、相容水平,可实用于航天用Ti—Al—Nb、TC4合金的钎焊。关键词:金属材料;贵金属钎料;钛合金;耐蚀性;显微组织;力学性能中图分类号:TGl36+.3;TGl46.2+3文献标识码:A文章编号:1004—0676(2008)03—0017—05StudyonCorrosionResistanceofPreciousMetalsBrazingFillerMetalsforTitaniumAlloysCHENDengquan,XUK帅,LUoXiming,LIWei,LIUZeguang(Sino—PlatinumMetalsC

3、o.Ltd.,Kunming,Yunnan650106,China)AbstI丑ct:ThewettabilityofbrazingfillermetalsAuNiPdTi(ANT一0.5)、TiCuNiPd2(TCN一2)withTi—Al—NbandTC4titaniumalloymatrices,thecoH0sionresistanceofthesebmzing付lermetalsagainstan—hydroushydrazineand“N2,H2,NH3nowinggases,andthemicrostmcture

4、andmechanicalpropertiesofbrazingjointsfore—and—aftexperimentswereinVestigated.Theexperimentalresultsshowedthatthewettability,con.osionresistanceandmechanicalpmpeniesofANT一0.5arebetterthanthoseofTCN一2.ThecoHosionresistanceofANT一0.5reachesthefirst一铲adeleVel.Itcanbeapp

5、liedtobrazingTi—Al—Nband7I’C:4titaniumalloysinthespaceindustry.Keywords:metalmatedals;preciousmetalsbrazingfillermetals;titaniumalloys;con.osionresistance;microstmcture;mechanicalproperty随着航天技术的发展,高温强度更高、重量更轻的Ti—Al—Nb、TC4钛合金材料将获得越来越多的应用。利用钎焊技术实现钛合金的连接是一种非常有效的连接方法,钎料

6、体系的选择尤为关键。钎料中若含有cu、sn、cd、Al等合金元素时,钎焊中容易与钛形成脆性金属间化合物,降低接头的塑性和可靠性,因此应避免钎料与钛合金形成脆性相⋯。其次,钎焊温度必须低于钛合金的相变温度。本工作通过钎料对Ti—Al—Nb、TC4的润湿性,对无水肼和N:、H:、NH,三种流动气体的耐蚀性以及钎焊接头气体耐蚀性试验前后显微组织和力学性能变化的研究,力求设计一种对Ti—Al—Nb、TC4合金钎焊性能优良的钎料,使该钎料对无水肼和N:、H:、NH,三种流动气体的耐蚀性能达到一级水平,为实现Ti—Al—Nb、TC4等钛合

7、金材料在我国航天工业中的应用提供实验依据。1实验方法1.1钎料的选择和制备从图l的Ti,Al—Nb伪二元相图可见,合金·收稿口期:2007一08—28作者简介:陈翳权,男,高级T程师,主要从事钎料的研究与开发丁作。E—mail:chdqll@163.c一18贵金属第29卷TiAl:,Nb。,理想的组织状态为a2+卢相,而届相转变温度在1100℃左右,若钎焊温度达到届相温度范围时,大部分合金元素都增大了对Ti的溶解度,进一步增加了钎料与Ti合金的反应,钎焊区域出现熔蚀等缺陷,因此选择的钎料钎焊温度在1000℃以下较好‘2

8、。p划

9、赠’',(Nb)/%图1Ti3Al—Nb系伪二元相图Fig.1PseudobinaryphasediagmmofTi3Al—NbAu与N:、H:、NH,气体不产生化合,对一般的酸、碱均具有良好的抗腐蚀性,因此金基钎料被广泛应用于航天、航空、电子等行业。金基钎料对Ni、Fe、M

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