高海拔下不同伞形结构750kV合成绝缘子短样交流污秽闪络特性及其比较

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1、第25卷第12期中国电机工程学报Vol.25No.12Jun.20052005年6月ProceedingsoftheCSEE©2005Chin.Soc.forElec.Eng.文章编号：0258-8013（2005）12-0159-06中图分类号：TM852文献标识码：A学科分类号：470·40高海拔下不同伞形结构750kV合成绝缘子短样交流污秽闪络特性及其比较蒋兴良，张志劲，胡建林，舒立春，孙才新（重庆大学高电压与电工新技术教育部重点实验室,重庆市沙坪坝区400044）ACPOLLUTIONFLASHOVERPERFORMANCEANDCOMPARISONOFSHORTSAMPLES

2、OF750kVCOMPOSITEINSULATORSWITHDIFFERENTCONFIGURATIONINHIGHALTITUDEAREAJIANGXing-liang,ZHANGZhi-jin,HUJian-lin,SHULi-chun,SUNCai-xin（TheKeyLaboratoryofHighVoltageandElectricalNewTechnologyofMinistryofEducation,ChongqingUniversity,ShapingbaDistrict,Chongqing400044,China）ABSTRACT:Fortheexternalinsu

3、lationdesignof750kVAC爬电距离提高了，但其污闪电压没有明显提高；高海拔下合transmissionlineattheWesternhighaltituderegion,laboratory成绝缘子的气压影响特征指数n大于瓷和玻璃绝缘子，并受investigationswerecarriedoutonthepollutionflashover伞裙结构形式、污秽程度的影响，且随着污秽程度增加，n逐渐减小，此外，染污方法和方式对n也有一定影响但不明显。performanceofshortsamplesoftwoconfigurationsof750kVcompositei

4、nsulatorsintheartificialclimatechamber.It关键词：高电压技术；高海拔；低气压；污秽；合成绝缘子；analyzestheeffectsofthepollutionseverityandthealtitudeor闪络特性atmosphericpressureontheflashovervoltage(FOV)orthe1引言flashovergradient(FOG).ItisshownthatFOVisdeterminedbytheconfiguration,andtheinsulatorwithasimpledesignis我国第一条750kV线

5、路建在西北1500~2850mofahigherFOVthantheonewithacomplexdesign,andthe的高海拔、污秽严重地区。合成绝缘子虽存在一些[1]specialexponentn,whichshowstheeffectoftheatmospheric不足，但因其有重量轻、污闪电压高、免维护等pressureonFOVandisdependentonthepollutionseverity,优点，仍是750kV线路外绝缘最重要的选择之一[2]。insulatordesignortheconfigurationaswellasthepolluting随着海拔升高

6、，气压降低，污秽绝缘子闪络电压降method,isgreaterthanthatofaporcelainorglassinsulator.[3]低，其降低程度和绝缘子类型、结构以及污秽程[4]KEYWORDS:Highvoltageengineering;Highaltitude;度等有关。国内外对高海拔地区瓷和玻璃绝缘子Loweratmosphericpressure;Pollution;Compositeinsulator;的污闪特性进行了广泛研究，提出高海拔下的污秽Flashoverperformance绝缘子闪络电压与气压成幂函数关系，其幂指数或摘要：为适应高海拔污秽地区750

7、kV线路外绝缘选择的要求，气压影响特征指数n反映了高海拔下污秽闪络电压[3-10]在人工气候室内模拟高海拔气压条件对三伞五组合伞形和大下降的特征。如文献[3]指出，XP-70、XWP-70小伞形结构的二种750kV合成绝缘子短样的污秽闪络特性进的气压影响特征指数n分别为0.48、0.46，可以不考行了试验研究，分析了试品污闪电压和污闪梯度与伞裙结构虑污秽程度的影响；文献[4]指出，n与污秽程度有的关系以及海拔高度或气压对污闪电压的影响。结果表明