用于场致发射显示的MIM型电子发射结构的研制

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1、用于场致发射显示的MIM型电子发射结构的研制中文摘要本文介绍了一种可用于场致发射显示的平面薄膜金属一绝缘一金属型电子发射结构的研制过程。利用薄膜的各种真空溅射沉积技术，在玻璃基片上按一定的工序沉积Cr/Cu-Si0,/A1,0,---Cr/Cu薄膜，并经过相应的丝网印刷、化学腐蚀等工艺，形成层状交又的MIM结构。在制备Cr/C。底电极时，分析了基片加热温度对薄膜表面形貌的影晌。在介质层的制备中，主要分析了薄膜沉积速率与溅射气压及溅射功率的关系，并对中频反应溅射制备A120:，膜的迟滞回线作了重点研究，同时介

2、绍了Ta_0。膜的反应溅射制备。在Mim结构的性能测试上，主要测试了这种结构的工一V特性曲线，以及介质层的耐压性能。通过电子发射结构的改进，基本达到了降低电子场致发射电压的目的。并在显示样屏中己能实现对字符及视频图象的显示。关键词:场致发射，真空溅射，丝网印刷，迟滞回线DevelopmentprocessofMIMelectronemissionstructureusedinFEDAbstractThedevelopmentprocessofanewkindofelectronemissionstructu

3、reisintroducedinthispaper.Thiselectronemissionstructureismadeupofmetal-insulator-metalfilms,whichcanbeusedinfieldemissiondisplay,TheCr/u-SiO2/A1203-r/ufilmsareordinallygrownonglasssubstancebywaysofvacuumsputtering,andtheMIMstructureisformedthroughsilk-scre

4、enprindtandchemicalerodeaccordingly.DuringtheCr/Cubottomelectrodedeposited,theeffectofglasssubstancetemperatureonfilmmicro-structureisanalyzed.Inthecourseofinsulatorfilmformed,therelationsbetweenthefilmgrowthrateandthesputteringpressureandpowerarediscussed

5、.ThehysteresisloopappearinginreactivesputteringA1203filmisespeciallystudied,andreactivesputteringTAZ05filmisalsomentioned.TheI-Vcurveandthevoltage-standingofthisMIMstructurearealsoobtainedwhenmeasureditsperformance.Thepurposetodecreasetheemissionvoltageisa

6、chievedbyandlargethroughthiswayofstructureimprovement,andthecharacterandvideofrequencyimagecanbedisplayonthesamplescreen.姚eywords:Fliedemission,Vacuumputtering,Silk-screenprinting,Hysteresisloop用于场致发射显示的MIA型电子发射结构的研制引言信息、材料、能源是现代文明的三大支柱。当今社会已经进入了信息化时代，信息量与

7、日俱增，信息交流已经成为人们日常生活和工作中不可或缺的组成部分。信息的获取、处理、传输、显示构成现代信息技术的四个环节川，作为人机界面的显示器件是人类获取信息的主要手段。在这样的大环境下，各种显示器件获得蓬勃生机，并在不断相互竞争发展着。随着人们对显示器使用要求的提高，平板显示器(FPD)己经成为显示器件的发展方向[Z1。它与传统的明极射线管(CRT)相比，具有电压低、重量轻、体积小、显示质量优异等优点，使得它在便携电脑、壁挂电视、移动显示、PDA、电器显示等方面得到广泛的应用，尤其是近几年的发展十分迅猛，

8、大有取代CRT之势。因此，21世纪被称为是平板显示的世纪[31[41。平板显示器家族中主要成员液晶显示器(LCD),发光二极管显示器(LED)、等离子体显示器(PDP)、电致发光显示器(ELD)和场致发射显示器(FED)等。场致发射显示器(FED)作为平板显示领域中的一支新生力量，因其兼备了CRT和LCD两者的优点[5l如比CRT轻薄、功耗低、无辐射而显示原理相似，又不需要LCD的背景光，大的视角以及宽的工作温度