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时间:2019-05-14
《Al,2O,3-Si-Al系统中原位合成Sialon的动力学研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、两立建筑科技大学碗}:学位论文A1203一si—Al系统中原位合成Sialon的动力学研究专业:材料学作者姓名:王黎导师:蒋明学摘要本文通过连续称重法研究了A1203一Si—_A1系统中原位合成Sialon的氮化反应机理及反应过程动力学,并对反应的热力学和反应产物的显微结构进行了分析。首先,通过对灿203一si—Al系统原位合成Sialon反应的热力学分析,证明了原位反应合成Sialon的可行性。实验研究表明,AJ203_Si—灿系统的氮化反应在900~1150℃,氮化反应总速率受化学反应控制,反应活化能为E=58.5KJ·mol~;在1200--1
2、450℃,则受扩散反应控制,反应活化能为E=27.26KJ·mol~。据此本文提出~203一Si—舢系统中原位合成Sialon的氮化反应过程为:一、气体经过试样中气孔,扩散到金属粒子表面:二、气体与金属粒子发生反应;三、气体扩散通过产物层,与金属Si、Al进一步发生反应。在上述反应过程的基础上,建立了简化的动力学模型。利用对不同阶段的反应表观活化能进行的计算,实验数据与推测的动力学模型相符。实验结果表明:制备试样的成型压力、材料本身的Si/A1比、氮化温度对氮化率有一定影响。随压力的增大,氮化率的数值逐渐下降:Si/A1比值越小,氮化率越大;当Si/
3、A1比为1:2的时候,材料由于合理的配比,在材料内部形成良好的结合界面,使材料具有较高的常温耐压强度:对低压力下成型的试样,随氮化率的增加,这种试样在空气中会发生水化现象。关键词:Sialon原位合成氮化动力学A1203一Si—-A1系统论文类型:应用基础堡耋些墼墼垒尘茎竺±兰竺耋!兰,,,,:,!,:。。:!!:ResearchontheKineticsofin.situFormationofSialonintheA1203-Si-AISystemSpeciality:MaterialScienceName:wangliInstructor:Pro
4、.JiangMingxueAbstractThispaperresearchesthemachanismfornitridationofthein—situformationintheA1203-Si—A1systemandtheprocessofthereactionbyusingcontinouswei曲ingTheauthorhasanalysedthethermodynamicsofAl203一Si—A1system,themicrostructureandthefunctionofreactionalproducts.Theresearch
5、showsthereationalfeasibilityisdeterminedbythermodynamicanalysis,BasedOnthereaction,theadynamicmodelissetup.First,thegasdiffusesontothesurfaceofmetalparticlesthroughporesofthesample.Second.thegasreactswimthemetalparticles.Third,thegasdiffusesthroughthelayeroftheproductsandreacts
6、withSiandAI.fromwhichweknowthattotalreactionrateofnitridationisdeterminedbythechemicalreactionatlowtemperaturebetween900~1150"C,theactivationenergiesisE=58.5KJ·mol一,whileathi曲termperaturestagebetween1200---1450℃,itdeterminedbythediffusion,E=27.26KJ·tool~.Theresultisinaccordance
7、withthedynamicmodel.Theexperimentresultsshowthatthenitrigonreactionisconnectedwiththemoldingpressure,Si/A1ofthesampleandnilridationtemperature.Theratioofnitridationwilldecreasewiththerisingpressure.ThesmallertheratioofSi/AIis,thehighertheratioofnitridationis.ThesampleofB5,which
8、havethereationalrateofSi/AI(I:2),enhancesthecontactsbe
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