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1、摘要电力电子技术对于现代电网的发展起着至关重要的作用。现如今，电力电子技术已经随着计算机技术、单片机技术以及新材料、新器件的发展得到了长足的进步。随着电力电子的继续发展，将会在电力系统中获得更为广阔的应用空间。随之也会给电力电子带来更为革命性的进步。文章基于实际应用视角，分别对以下项目进行讨论：新近发展的光传输技术、电力通信现状、未来电力系统的需求以及电力特种光缆在电力系统中的应用。SiliconCarbide(SiC)isawide-bandgapsemiconductorthathasdrawnsigni
2、ficantresearchinterestsinrecentyearsforitssuperiorphysicalandelectricalproperties,suchaslargerbandgap,highbreakdownelectricfield,highelectronsaturationvelocityandhighthermalconductivity.ThepaperintroducesthedevelopmentsofSiliconCarbidepowerdevicesinpowergri
3、d,includingtheSiCPiNdiodes,SiC-MOSFETs,SiC-IGBTsandSiCThyristors.TheperspectivesofSiCpowerelectronicdevicesinpowergridarealsoproposed.ThespeedygrowthofhighpowerandhighcurrentSiCdeviceswillhaveastrongimpactonthedevelopmentofpowergrid.0引言一个理想的功率半导体器件，应当具有下列理想
4、的静态和动态特性：在阻断状态，能承受高电压；在导通状态，具有高的电流密度和低的导通压降；在开关状态和转换时，具有短的开、关时间，能承受高的di/dt和du/dt，具有低的开关损耗，并具有全控功能。从电力系统应用角度看,在有源滤波器中采用IGBT将是一个比较理想的方案。随着IGBT串联技术和保护技术的进一步完善,SITH器件成本的下降,将IGBT和SITH用于静止无功发生器也是可能的,而且具有比现有GTOSVG装置的响应更快和主电路结线更简单的特点。可以预料,随着场控复合器件容量的进一步增大,现代电力电子器件在
5、电力系统各种调控装置中的应用前景将是非常美好的。下面列出IGBT和SITH器件的主要特点,供读者选用时参考。IGBT:(1)系电压控制型自关断器件(2)栅极输人阻抗非常高,且呈容抗性质(同于功率场效应管)(3)正向静态伏安特性类似于功率场效应管(4)反向耐压很低,只有十几伏(5)工作频率在10一20kHz(6)大电流区段具有负温度系数,即具有易并联的特点SITH:(l)系电压控制型自关断器件(2)正向静态伏安特性类似于真空三极管(3)工作频率大于10kHz(4)与IGBT比,器件电压更高,电流更大(5)di/
6、dt和dV/dt耐量高进入九十年代以来,国际上大容量电力电子器件的研究重点放在集高频、高压和大电流于一身的复合器件上,而且近几年的发展速度很快.以IGBT器件为例,1990年商用产品最大定额为200A/l000V,1992年为600A/1200V,1994年为1200A/1600V,器件的频率也从10kHz提高到50kHz,研制水平已达1600A/20O0V;SITH器件的研究水平达2500A/4500V,这已可同GTO容量相比拟,然而它的工作频率为100kHz,是GTO无法相比的。毫无疑义,这些器件的进一步
7、成熟,其应用范围将大大扩大。随着使用性能优越的场控复合器件的gyVol.18No.6ELECTRICSOUTHCHINA‘95第二届国际华南电力技术及设备展览会暨国际发电设备及电工器材展览会一九九五年四月五日至九日广州国际展览中心展品范围:·各种高、中、低压电器设备·开关柜·测试仪器·自动化仪器仪表·节能装置·电线电缆·安全保护设备·电厂辅助设备·核能发电·电工器材·汽油柴油发电机组·继电保护装置主办单位:中国电机工程学会广东分会华南电力企业管理协会广州市对外贸易广告展览公司贸华(香港)发展公司组委会联系地址
8、:510064广州市环市东路白云宾馆803室联系人:朱小姐电话:3333998一803传真:3355700本单位有兴趣参加土述展览会,希望得到有关资料单位名称:地址(邮编):联系人:电话:传真:习召习召习召屯召超召习么花召屯召健召屯召是召边召心石屯召易石是召是召屯召屯召电召之亏毯召屯心佗召屯召屯召召玄之召弓玄花召、弓玄是召忍公习召健召习召召谷佗召之心之召健召召弓之召弓召屯召(接上页)发展,电力电子学
