电路及电子技术习题库

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1、中篇模拟电子技术基础第五章半导体二极管、晶体管和场效应管一、填空题1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，定域的杂质离子带正电。2、双极型三极管内部有基区、发射区和集电区，有发射结和集电结及向外引出的三个铝电极。3、PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，PN结反向偏置时，内、外电场方向相同。4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个工作区。5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，

2、可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。6、双极型三极管简称晶体管，属于电流控制型器件，单极型三极管称为MOS管，属于电压控制型器件。MOS管只有多数载流子构成导通电流。7、场效应管是利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小的。二、判断正误1、P型半导体中定域的杂质离子呈负电，说明P型半导体带负电.。（×）2、晶体管和场效应管一样，都是由两种

3、载流子同时参与导电。（×）3、用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10K档位。（×）4、PN结正向偏置时，其内电场和外电场的方向相同。（×）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（×）6、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通。（×）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。（×）8、三极管集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必定被击穿。（×）9、场效应管若出厂前衬底与源极相连，则漏极和源极就不能互换使用。（√）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。

4、（×）29三、选择题1、单极型半导体器件是（C）。A、二极管；B、稳压管；C、场效应管；D、双极型三极管。2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。3.N型半导体是在本征半导体中加入微量的（C）元素构成的。A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1KΩ，说明该二极管（A）。A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判

5、断。5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（C）而成。A、多子漂移；B、少子漂移；C、多子扩散；D、少子扩散。6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（C）。A、截止区；B、饱和区；C、放大区；D、反向击穿区。7、绝缘栅型场效应管的输入电流（A）。A、为零；B、较小；C、较大；D、无法判断。8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。A、集电极最大允许电

6、流ICM；B、集—射极间反向击穿电压UBRCEO；C、集电极最大允许耗散功率PCM；D、管子的电流放大倍数。10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。11、场效应管是___C___器件。A、电压控制电压B、电流控制电压C、电压控制电流D、电流控制电流12、场效应管漏极电流由__C__的运动形成。A、少子B、电子C、多子D、两种载流子13、稳压二极管稳压时，其工作在(C)，发光二极管发光时，其工作在(A

7、)。A、正向导通区B、反向截止区C、反向击穿区29四、简述题1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。2、N型半导体和P型半导体有何不同？各有何特点？它们是半导体器件吗？答：本征半导体中掺入五价杂质元素后可得到N型半导体，N型半导体中多子是自由电子，少子是

8、空穴，定域的离子带正电；本征半导体中掺入三价杂质元素后可得到P型半导体，P型半导体中多子是空穴，少子是自由电子，定域的离子带负电。这两种类型的半导体是构成半导体器件的基本元素，但它们都不能称之为半导体器件。3、何谓PN结？PN结具有什么特性？答：在同一块晶体中的