半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究

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1、河北工业大学硕士学位论文半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究姓名：唐蕾申请学位级别：硕士专业：材料物理与化学指导教师：徐岳生2003.2.1s．fs协半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究摘要砷化镓(GaAs)是一种重要的化合物半导体材料，具有电子迁移率高、直接跃迁型能带结构等优点，其用途主要在两方面：一为SI．GaAs微电子器件；～为半导体GaAs光电子器件。目前，液封直拉技术生长GaAs单晶获得了广泛关注，因为它能够以合理的成本生产大直径的半绝缘单晶。半绝缘材料是生产集成电路等微

2、电子器件的良好材料，而这种应用就要求整个晶片具有很高的均匀性。研究证明，SI．GaAs衬底电学特性的不均匀与材料中深能级微缺陷，特别是EL2(深能级施主，被认为是As的反位缺陷的复合体)有极大的关系，而这些深能级微缺陷又与热应力形成的长入位错有密切联系。本课题采用择优腐蚀法、x射线异常透射形貌、透射电镜、扫描电镜和能量色散谱等实验方法研究SI．GaAs单晶的位错与微缺陷。发现几乎所有高位错密度的sI．GaAs单晶的表层都具有网络状胞状结构或系属结构，首次对该胞状结构和系属结构的形成机制进行了研究；

3、直接观察微缺陷，配合EDs(能量色散谱)鉴定sI．GaAs中微缺陷的物理本质，同时分析其产生原因，讨论与位错的相互作用。最后用扫描电镜观察胞状或系属结构，来评估其对衬底电学参数不均匀性的影响。研究成果对材料和器件生产者了解晶体缺陷对于器件生产的危害，改进材料生产工艺，控制生产流程以及提高器件质量等方面提供理论依据。关键词：半绝缘砷化镓，位错，胞状结构，微缺陷雕UDYoNTHEDlSLoC√气TloNCELLSTRUCTUREANDMlCRoDEFECTSlNS1．GaAsCRYS-

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