墙体材料烧结砖的焙烧机理与工艺

墙体材料烧结砖的焙烧机理与工艺

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1、2010年第5期一·材Materials·3·第36卷总第157期SichuanBuiIdfnl2010年1O月墙体材料烧结砖的焙烧机理与工艺李海(四川省建材工业科学研究院,四川成都610081)摘要:本文结合笔者多年实践经验,详细阐述了墙高,但抗冻性能差;含量过少,满足不了矿物固相反应的体材料烧结砖的焙烧机理与工艺,并结合实际,对烧结砖需要,制品的抗压强度低。生产中存在的问题及处理措施进行了深入分析探讨和总结,1.2.2三氧化二铝(A12O3)供同仁参考。如A1O,含量多,砖坯焙烧温度偏高,制品的耐火度关键词:烧结砖;焙烧;机理;工艺高,但抗冻性能差;含量过

2、少,满足不了矿物固相反应的中图分类号:TU522.064文献标识码:B需要,制品的抗折强度低。文章编号:1672—4011(2010)05—0003—031.2.3三氧化二铁(Fe2O)FeO是一种助熔剂,含量较多时,烧成温度偏低。另1焙烧的目的和原理外,它还影响制品的颜色,焙烧时窑内处于还原气氛时,焙烧是烧结砖生产中最后一道生产工艺。产品的质量、氧化铁被还原成低价铁的氧化物,制品呈黑灰色。若处于产量和综合的经济效果都将通过它集中地反映出来,是十氧化气氛时,则制品呈红色。分关键的工序。砖制品焙烧的过程是一个复杂的物理、化1.2.4氧化钙(CaO)和氧化镁(Mg

3、O)学变化过程。从矿物学讲,发生矿物结构的变更,生成新细散状态的碳酸钙和氧化镁(Ca、Mg往往以碳酸盐状态的矿物;从化学角度讲,发生分解化合、再结晶;从物理存在于原料中),是强烈的助熔剂,它会使坯体的烧结温度化学讲,发生扩散、烧结、熔融;从物理学讲,发生颜色、范围变小,并相应地使制品产生多孔现象,但过多则有害。容重、吸水率、强度变化。这些变化都不是有顺序地、而1.2.5三氧化硫(SO)是彼此重叠地进行的。焙烧的目的在于使砖瓦制品达到应硫在焙烧时产生SO,气体,腐蚀金属制品,有损工人有的物理化学性能,成为性能良好的建筑材料。健康,同时SO,气体体积膨胀,使制品崩

4、溃松散,影响制1.1基本概念品质量。对砖瓦原料化学成份的要求见表1。(1)焙烧。随着温度的不断升高,粘土中的易熔物质表1砖瓦原料化学成份的要求(%)开始熔化,坯体内的气孑L率逐渐降低,密度增大,直至使制品具有一定物理化学性能的过程叫焙烧。(2)焙烧温度。正常焙烧所需要的温度,称为焙烧温度。一般为950—1050。2焙烧工艺(3)软化温度。达到正常焙烧温度后如果温度继续升高,则坯体逐渐软化变形,直至局部熔融,此时的温度称2.1点火为软化温度(软化到一定程度时的温度,又称为耐火度)。点火是焙烧制品的开始。点火前应作好相关的准备工(4)焙烧温度范围。焙烧温度和软化温

5、度之间的温差,作,如干柴燃料(发火柴和优质煤)及工具等。称为焙烧温度范围。(一般为750℃,通常情况为大于(1)点火位置。轮窑宜选在出弯第二门,前面至少装5O℃)。好六个窑室;隧道窑宜选在焙烧带后段。(5)烧结。当焙烧温度达到850℃以上时,坯体内的(2)窑头码法。一般码成阶梯式,防止变形倒塌。铝、铁、钙、镁、钠等金属氧化物开始分解,并在高温作(3)操作程序。①下柴上煤铺设;②按倒梯形提4~5用下,与硅化合生成新的硅酸盐物质。其中的易熔物熔化个风闸(烟);③用纸糊上灶下的通风孔;④从火床下点火,在坯体中形成液相(波动相),熔化了的波动物质在未熔化并观察火焰燃烧

6、情况,逐渐取纸升温;⑤有3~5排底火时的密粒周围把它们互相牢固地粘结起来,使坯体内的气孔调整风闸,并开始窑上外投煤;⑥底火有6~7排时,大灶率逐渐降低,密度越来越大。在降温冷却时重薪结晶,形处于保温状态;⑦底火有10—12排时,大灶停止加煤,并成比较稳定的晶体,从而固定了制品的形状,这个过程叫将通风机挡住大部分,只留下面一小部分通风,让其自然做烧结。过程转化的程度,取决于原料成分、焙烧温度、冷却;⑧保温带有2~3个门时(前后共约12h),大灶可逐制品的厚度和烧成的连续时间。渐拆除。(6)烧成曲线。在单位时间内烧成温度的坐标轨迹称2.2风闸的作用和使用为烧成曲线

7、。合理的烧成曲线是保证焙烧质量的一个重要风闸是烧成窑炉的重要组成部分,它是接通窑室支烟因素。道口到总烟道至烟囱的闸门。风闸在焙烧中的主要作用是:1.2原料的化学成份对制品的影响调节窑的通风量及压力状况,控制窑内气体运动的方向和1.2.1二氧化硅(SiO:)窑内断面上的火度,因此,如何根据火情正确地使用并及如SiO,含量多,砖坯焙烧温度偏高,制品的耐火度时调整风闸,对提高窑的焙烧效率有重要的作用。··!J。J材2010年第5期2010年10月Sich,zBz^一第36卷总第157期^v...。...●●.2.2.1风闸的使用形式通常有三种常焙烧。^v...。..

8、....。I(1)低速高阶梯式(如图1

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