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时间:2019-05-09
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1、系统性能分析专题之接入问题分析中兴通讯学院CDMA-BSS课程团队课程内容接入的过程接入的里程碑接入过程中的定时器接入过程中的切换接入失败的分析案例分析接入的过程-介绍接入就是移动台向基站发出消息的一种尝试,包括:移动台主动的起呼接入(OriginationCall)–移动台发送OriginationMessage消息开始的呼叫移动台寻呼响应接入(TerminationCall)–移动台对GeneralPageMessage(GPM)或者UniversalPageMessage(UPM)进行响应,发送PageResponse的呼叫这两种接入类型很相似,只是在呼叫流程的开始阶段有所区
2、别。接入的过程–系统接入状态定时器(Origination)起呼接入状态包含两个关键子状态:更新开销消息子状态移动台起呼接入试探子状态接入的过程–系统接入状态定时器(Termination)被呼接入状态包含两个关键子状态:更新开销消息子状态寻呼响应接入子状态接入的过程–呼叫流程(Origination)接入的过程–呼叫流程(Termination)接入的过程–接入试探序列接入的过程–接入试探接入的过程–接入信道时隙接入相关参数(续)在寻呼信道周期下发接入信道信息Accesschannelmessage中包含了手机接入时使用的参数,消息结构如右图所示:接入相关参数接入信道发射功率控制
3、参数接入的初始功率偏置(INIT_PWR)标称发射功率偏置(NOM_PWR)功率增量(PWR_STEP)前反向路径路损补偿常数(偏移功率)接入试探次数(NUM_STEP)注:在频段类别为0时(800MHZ频段),标称发射功率偏置(NOM_PWR)必须为0手机初始发射功率(dbm)=-手机接收功率(dbm)+偏移功率+标称发射功率偏置(NOM_PWR)+接入的初始功率偏置(INIT_PWR)+干扰校正因子关于偏移功率和干扰校正因子干扰校正因子=min(max(IC_THRESS-ECIO,0),IC_MAXS)ECIO是在先前500ms内测量的最强激活导频的每载频Ec/Io(dB)其
4、中:IC_THRESS为干扰校正因子门限IC_MAXS为干扰校正因子最大步进问题:为什么要引入干扰校正因子?接入相关参数(续)1.Acc_chan:此参数设置为与每个寻呼信道相对应的接入信道的数目减一。2.nom_pwr,init_pwr3.pwr_step:定义了一个探测序列中连续探测脉冲之间的功率增量。设置思路:设置过高会使当MS需要发射连续的探测脉冲时,反向链路上产生附加的干扰的概率增大;设置过低,在基站能够成功获取MS探测脉冲所需要的MS发射的探测脉冲的个数增加。这样会导致接入信道的负载增大,随之增加了接入碰撞的概率,增加接入时间。接入相关参数(续)4.num_step:定
5、义为每个探测序列的接入探测数减1。设置思路:1)设置高将增大探测序列成功接入的概率,但会增加反向链路的干扰;2)设置低将产生相反的结果:反向链路上的干扰降低,但是探测序列的接入成功率会降低。因为使用pwr_step和num_step都是为了实现相同的目的,即保证基站成功接收MS接入,所以在这些值之间存在折衷值。换言之,如果pwr_step设为一个低值,则num_step必须设为相对较高的值。反之,如果pwr_step设为一个高值,则num_step必须设为较低的值。接入相关参数(续)5.max_cap_sz:定义为每消息中接入信道消息包数减3。设置思路:设置高会浪费接入信道容量,因
6、为无论实际信息需要多少帧,每个消息都发送3+max_cap_sz个帧。注释:在中兴1x系统中,max_cap_sz必须大于等于3.6.pam_sz:定义为接入信道前缀数减1。设置思路:设置高会浪费接入信道容量,因为每个消息发送1+pam_sz个前缀;设置低会降低基站成功获取MS探测脉冲的概率,从而导致移动台重发。接入相关参数(续)7.acc_tmo设置思路:如果设置过低,移动台在发射一个接入探测脉冲之后等不及基站发出确认就发射下一个探测脉冲。因此,可能会发射一些不必要的探测脉冲,造成接入信道负载过重,并加大碰撞的概率。CDMA2000使用acc_tmo设置限制基站发送确认(ack)
7、的时间,即ack应在acc_tmo*80msec内发射。这样,如果acc_tmo很小,基站可能无法满足规定要求,尤其是在重载条件下。如果设置过高,当每个接入尝试要求多个接入探测脉冲时,接入尝试的过程会放慢。接入相关参数(续)9.probe_bkoff:定义了发送接入探测脉冲的最大延时,相当于所使用的最大延时时隙减一。图中的RT。设置思路:如果设置过高,当每个接入尝试要求多个接入探测脉冲时,接入尝试的过程会放慢;如果设置过低,同一序列的探测脉冲重发和重新碰撞的概率得不到
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