任务三二极管、三极管的识别、检测

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1、任务三二极管、三极管的识别、检测一、任务描述使学生学会二极管、三极管识读和检测二、教学模块1、二极管的识别、检测2、三极管的识别、检测模块一二极管的识别、检测（一）、知识链接1、半导体（1）半导体半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。常用半导体材料有：硅、锗、砷化镓以及大多数金属氧化物。在半导体中存在两种导电的带电物体：一种是带负电的自由电子，另一种是带正电的空穴。自由电子和空穴在外电场的作用下，都有定向移动的效应，都能运载电荷形成电流，通常称为载流子。金属导体内的载流子只有自由电子一种，而且数量很多，远远超过半导体中

2、载流子的数量，因而金属导体的导电性能比半导体好。（2）半导体的导电特性半导体的导电特性有：热敏性、光敏性、掺杂性。热敏性表现为：当环境温度变化时，半导体导电能力明显发生改变(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。光敏性表现为：当受到光照时，导电能力明显增强；无光照时，导电能力明显减弱(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。半导体的掺杂性则表现为：在纯净的半导体中掺入某些杂质（微量元素），使其变成杂质半导体，它的导电能力会发生极大的变化(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。（3）半导

3、体的类型半导体根据内部两种载流子数量的分布情况，可分为三种类型：①纯净半导体（又叫本征半导体）：内部的自由电子和空穴数量相等。如：硅、锗单晶体。②P型半导体（又叫空穴型半导体）：内部的空穴数量多于自由电子数量。如：硅、锗单晶体中加入3价的微量硼元素。③N型半导体（又叫电子型半导体）：内部的自由电子数量多于空穴数量。如：硅、锗单晶体中加入5价的微量磷元素。2、PN结及PN结的单向导电性（1）PN结利用特殊的工艺，将P型半导体和N型半导体进行有机的结合，会在两者的结合面形成一个薄层，这个薄层称为空间电荷区，也就是PN结。见图3-

4、3-1。图3-3-1：PN结的形成（2）PN结的单向导电性当PN结的P区为高电位，N区为低电位时，即PN结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态，见图3-3-2（a）；反之，当PN结的P区为低电位，N区为高电位时，即PN结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小几乎为零，反向电阻较大，PN结处于截止状态，见图3-3-2（b）。因此，PN结具有正向导通、反向截止的单向导电特性。(a)正向导通(b)反向截止图3-3-2：PN结的单向导电性3、半导体二极管半导体二极管又称晶体二极管，简称二极管，是将

5、一个PN结封装在密封的管壳内并引出两个电极构成的。其中，与P区相连的引线为正极（又称阳极A）；与N区相连的引线为负极（又称阴极K）。如图3-3-3所示。因此，二极管也同样具有结具有正向导通、反向截止的单向导电特性。图3-3-3：二极管结构图及图形符号（1）半导体二极管的分类①按材料分：可分为：锗二极管、硅二极管两大类。两者性能的区别：锗管正向压降小于硅管（锗管为0.2～0.4V，硅管为0.5～0.8V）；锗管反向漏电流大于硅管（锗管约为几百毫安，硅管小于1μA）；锗管PN结可承受的温度低于硅管（锗管约为100℃，硅管约为20

6、0℃）。名称原理特性用途整流二极管利用PN结单向导电性，多用硅半导体制成整流：把交流电变成脉动直流检波二极管高频特性好，常用点接触型把调制在高频电磁波上的低频信号解调出来稳压二极管利用二极管反向击穿时两端电压不变的原理起稳压限幅、过载保护作用，广泛用于稳压电源装置开关二极管利用二极管正偏压时电阻很小、反偏压时电阻很大的单向导电特性在电路中对电流进行控制，起接通、关断的开关作用变容二极管利用PN结结电容随着加到二极管上的反向电压大小而变化的特性在彩电等调谐电路中取代可变电容器发光正向电压在1.5～3V时，可将电简称LED，用于

7、指示，是一种新型二极管能转化为光能而发光冷光源，可组成LED数码管显示数字、符号光电二极管将光信号转换成电信号，有光照时其反向电流随光照强度增大而正比上升用于光的测量或作为光电池表3-3-1：常用二极管特性表②按用途分：可分为：普通二极管和特殊二极管两大类。普通二极管包括：整流二极管、检波二极管、开关二极管等；特殊二极管包括：稳压二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管、阻尼二极管等。③按结构特点分：可分为：点接触型二极管和面接触型二极管。④按外形封装分：可分为：玻璃、金属、塑料、环氧树脂等封装形式。图3-3-4：部分二极

8、管图形符号（2）二极管的型号命名第一部分第二部分第三部分数字表示电极数字母表示材料和极性用汉语拼音字母表示器件类别2：二极管A：N型锗材料B：P型锗材料C：N型硅材料D：P型硅材料P：普通管V：微波管W：稳压管C：参量管D：低频大功率管（fa＜3MHz,Pc≥1W）A：高频大功率管（fa≥