《半导体器件物理》(孟庆巨)勘误new

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1、《半导体器件物理》（孟庆巨）勘误第一章P4：(1-16)：k－kP7：(1-30)：右端m白体P24：：p35：公式（1-109）及隔1行：分子1改为tp42：“对（1-146）式求导并将，和（1-144）中：（1-144）－（1-140）p51：（1-199）,改为：,下一行亦做相应改动。P52下11行：（1-203）－（1-200）第二章P61：式（2-17）：P63：图2-5（a）P73改为：P75：图2-12（c）错：同一水平。P77：上8行（2-51）－（2-50）P77：公式（2-267）改为：P78：图2-1

2、5的55改为：―55P79：“对于线性缓变结”，后面的改为：P82：公式（2-93）改为：p83：边界条件公式(2-95)改为：P86：上数第二段改为：从图2-22可见，从=0到，P87：公式（2-113）改为：（2-113）P87公式（2-113）下2行：图2-22改为2-21。第三章P99：图3-6右边箭头下延到虚线。P101：公式（3-9）上一行“利用（3-3）式”，去掉。P105：改为：P105：下1行“第三项”改为第一项P107：公式（3-34）改为：P107：公式（3-35）改为：（3-35）P108：图3-1

3、3关－关系P110上数第3行去掉“和（3-20）分别”P110：上数第6行（3-2）改为（3-0）P111：图3-15（c）电流箭头改为向上。P113：公式（3-54）改为：（3-54）114：下段扩散电阻改为扩展电阻。P119：上5：（3-56）－（3-55）P121公式（3-80）改为P125上9：t=0-改为p125公式3-97第二括弧项前的+号改为-号。P137：3.14节第9行：改为：()第四章P141：图4-2（c）下箭头延至导带底。P145：公式（4-13）下面一行：改为：。P146：图4-7：改为：P151

4、：上10行：（4-26）－（4-27）第五章P160：解：P162：最下一行：（5-13）－（5-12）P163：下第4行（5-20a）－（5-19a）P165上第10行<<改为P168：MOSFET－MESFETP169：5.9节第3行：在<111>方向－在<100>方向第六章P177：上第8行4.2－4.4。公式（6.14）小写。P178：公式（6-20）改为：＝（6-20）P178：下2行：P181：（6-32）改为（6-32）P182：上第4行去掉。P183：公式（6-43）改为：P186：公式（6-52）改为：（

5、6-52）P187：6.4.1节上数第8行“显然”二字和第9行去掉。P188：图6.11（a）有误。P196：公式（6-71）为P198：公式（6-72）为：P196：图6-17中：（6-68）－（6-72）P201：公式（6-87）为：P205：上7行：公式（6-94）为：公式（6-97）为：第七章P213:公式（7-1）下一行：光电子－光子P218：7.3节上数6行：R－P219：公式（7-10）P222：公式7-25下二行“根据（7-24）式可以看到，”去掉。（7-2）－（7-3）P236公式7-31为：第八章P24

6、2：上11行：第二个“跃迁前”改为“跃迁后”图8-1下1行“电子的波函数”改为“电子的波数”P254图8-11b：P257：公式（8-28）为：P267下7行：-为有源层第一○章P311上19行：P312：公式（10-5）为：P312：上3行：（）改为（）.