lcd液晶显示接线原理

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1、第三讲朗睿LCD系列产品介绍第三讲朗睿产品介绍总线类产品智能型产品NXPARM7简单介绍产品发展方向外购产品总线类产品简介如果您使用的是单片机、ARM及DSP等微控制器，并希望通过简单易操作的控制器来控制相应的液晶屏,那么请选用总线接口控制方案总线型液晶显示器采用VRAM显示方式。VRAM（VideoRandom-AccessMemory）视频存储技术是近年来比较流行的专门用于图形处理的双端口存储技术，常用于中、高档显示卡。采用缓存、逻辑仲裁、存储阵列，实现两个设备同时对同一存储阵列访问而不需要等待，且互不干扰。

2、该显示器接口采用并行总线方式（数据总线、地址总线以及选、读、写等信号），可以很方便地连接到单片机或微处理器的总线上，用户可以象使用普通存储器一样使用它。或者可以把显示器看成是自己设备外挂的一个RAM。存储器地址单元同液晶屏幕上的像素点一一对应，用户可以把这个存储器理解为“显示映像”存储器。如果希望在液晶屏幕上某一位置显示文字或图形，只需要向存储器内对应区域写入相应的数据即可。VRAM存储器的一个字节由8位构成，显示器屏幕上的一个“像素”点由R、G、B三个“点”来组成。总线产品及命名规则LR-050VRAMLR-0

3、56VRAMLR-057VRAMLR-064VRAMLR-080VRAMLR-104VRAM系列产品命名规则总线产品介绍（1）总线产品介绍（2）系统结构图LR-056VRAM显示器的基本原理如下图所示，DC/DC电压变换器产生液晶所用各种驱动电压DC/AC逆变器则用来点亮冷阴极背光灯（CCFL）。分时技术让显示与写入数据同时进行，实现了画面的高速更新，并且互不干扰。接口定义表引脚号引脚定义引脚号引脚定义1▲D02D13D24D35D46D57D68D79WRCS10BGO/C11A012保留13GND14GND1

4、5RDCS16A1517+12V18+12V19保留20保留21A122A223A324A425A526A627A728A829A930A1031A1132A1233A1334A14技术释义WRCS为写数据控制信号，低电平有效；RDCS为读数据控制信号，低电平有效；当您连续写入显示数据时，两次写入显示数据的时间间隔应大于700ns；BGO/C为高电平时打开背光灯正常显示，为低电平时关闭背光灯；“保留”为另作他用，我们保留其解释权。内存与屏幕点阵的对应关系LR-056VRAM屏幕点阵为320列×234行，每个点对应

5、3个像素(RGB)。内存中的1个字节对应2个点(6个像素),其对应关系如下表：D7D6D5D4D3D2D1D0保留BGR保留BGR技术释义：“保留”为我们内部定义，您在使用中可以使其任意置“1”或置“0”;表中D0～D3为低半字节，D4～D7为高半字节；屏幕显示过程中的显示顺序为:先显示低半字节后显示高半字节；(1)每行占用100个内存地址,其中00H–A0H地址单元为可显示的，其他的不参与显示;(2)以下X表示横向坐标取值范围为0～319;Y表示纵向坐标，取值范围为0～233对于坐标为（X，Y）的点，对应内存地

6、址ADD的计算公式为：ADD=y×100H+INT（X/2）+1000H若X为偶数列，则对应当前地址的低半字节;若X为奇数列，则对应当前地址的高半字节。举例：如让屏幕上坐标为（0、1）的点显示为红色;解答：ADD=1×100H+INT（0）+1000H=1100H因X=0为偶数列，故其对应1100H单元中的低半字节即可向地址为1100H单元内送入数据0x9H。其中每块矩形单元代表屏幕上一个点的数据及该点相应的内存地址，表中D0～D3或D4～D7表示该点对应的数据位，()中的数据表示该点所对应的内存地址。从显示内存

7、读数据LR-XXX-VRAM中由于读出数据和显示数据不能同时进行，所以读数据之前应先把地址送出、锁存后，再读出数据。具体操作如下：第一次读操作完成地址输出，读到一个无效数据，从第二次读操作读到的数据为有效数据；如果要读M个数据，则需要读M+1次，依次类推读第M位数据的同时送出第M+1位数据的地址N.读操作结果说明MOVA，#N锁存地址N；读出的数据无效MOVA，#(N+1)（N）→A锁存地址N+1，读出N内的数据MOVA，#(N+2)(N+1)→A琐存地址N+2，读出N+1的数据………MOVA，#(N+M)(N+

8、M-1)→A锁存地址N+M，读出N+1的数据注：以上程序操作为MCS-51操作，其中N表示内存地址基本操作方法请参见下表应用示例为了加快用户的开发进程，我们列举一个应用实例，该实例由MCS51系列单片机来驱动LR-056VRAM彩色液晶显示器,完成清屏和使屏幕显示指定颜色的程序。应用示例电路分析智能型产品介绍智能型显示器采用集成化高速度工业ARM7（PHILIPS）型CP