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1、A beabsorbin集中精力做某事 accesscontrollist访问控制表 activeattack主动攻击 activeXcontrolActiveX控件 advancedencryptionstandardAES,高级加密标准 algorithm算法 alterationofmessage改变消息 applicationlevelattack应用层攻击 argument变量 asymmetrickeycryptography非对称密钥加密 attributecertificate属性证书 authentication鉴别 authority机构 a
2、vailability可用性 Abruptjunction突变结 Acceleratedtesting加速实验 Acceptor受主 Acceptoratom受主原子 Accumulation积累、堆积 Accumulatingcontact积累接触 Accumulationregion积累区 Accumulationlayer积累层 Activeregion有源区 Activecomponent有源元 Activedevice有源器件 Activation激活 Activationenergy激活能 Activeregion有源(放大)区 Admittanc
3、e导纳 Allowedband允带 Alloy-junctiondevice合金结器件 Aluminum(Aluminium)铝 Aluminum–oxide铝氧化物 Aluminumpassivation铝钝化 Ambipolar双极的 Ambienttemperature环境温度 Amorphous无定形的,非晶体的Amplifier功放扩音器放大器 Analogue(Analog)comparator模拟比较器 Angstrom埃 Anneal退火 Anisotropic各向异性的 Anode阳极 Arsenic(AS)砷 Auger俄歇 Augerp
4、rocess俄歇过程 Avalanche雪崩 Avalanchebreakdown雪崩击穿 Avalancheexcitation雪崩激发 B brute-forceattack强力攻击 Backgroundcarrier本底载流子 Backgrounddoping本底掺杂 Backward反向 Backwardbias反向偏置 Ballastingresistor整流电阻 Ballbond球形键合 Band能带 Bandgap能带间隙 Barrier势垒 Barrierlayer势垒层 Barrierwidth势垒宽度 Base基极 Baseconta
5、ct基区接触 Basestretching基区扩展效应 Basetransittime基区渡越时间 Basetransportefficiency基区输运系数 Base-widthmodulation基区宽度调制Basisvector基矢 Bias偏置 Bilateralswitch双向开关 Binarycode二进制代码 Binarycompoundsemiconductor二元化合物半导体 Bipolar双极性的 BipolarJunctionTransistor(BJT)双极晶体管 Bloch布洛赫 Blockingband阻挡能带 Blockingcont
6、act阻挡接触 Body-centered体心立方 Body-centredcubicstructure体立心结构 Boltzmann波尔兹曼 Bond键、键合 Bondingelectron价电子 Bondingpad键合点 Bootstrapcircuit自举电路 Bootstrappedemitterfollower自举射极跟随器 Boron硼 Borosilicateglass硼硅玻璃 Boundarycondition边界条件 Boundelectron束缚电子 Breadboard模拟板、实验板 Breakdown击穿 Breakover转折 B
7、rillouin布里渊 Brillouinzone布里渊区 Built-in内建的 Build-inelectricfield内建电场 Bulk体/体内 Bulkabsorption体吸收 Bulkgeneration体产生 Bulkrecombination体复合 Burn-in老化 Burnout烧毁 Buriedchannel埋沟 Burieddiffusionregion隐埋扩散区 C
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