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1、湘潭大学毕业论文题目：集成电路的单粒子多位翻转效应学院：材料与光电物理学院专业：学号：姓名：指导教师：完成日期：2012年5月20日V湘潭大学毕业论文（设计）任务书论文(设计)题目：集成电路的单粒子多位翻转效应学号：姓名：专业：微电子学指导教师：系主任：一、主要内容及基本要求1、了解论文研究的背景和意义；2、理解单粒子多位翻转的形成机理和各种影响因素；3、学会用SentaurusTCAD建立模型，建立单管模型对引起单粒子多位翻转的双极放大效应进行模拟分析和建立双管模型对引起单粒子多位翻转的双极放大效应和扩散效应进行有效机理分析；4、依据“理论-建模-加固”的原则对
2、集成电路加固电路进行分析和讨论。基本要求：1、了解集成电路单粒子多位翻转的机制及各种影响因素；2、会用一些基本软件例如SentaurusTCAD等来仿真所要研究的问题；3、建立基本的模型仿真单粒子多位翻转的各种特性；4、能根据仿真结果，按“机制-建模-加固”的思路，提出有效的加固措施。二、重点研究的问题1、集成电路单粒子多位翻转的机制及各种影响因素；2、如何建立单粒子多位翻转的模型；3、如何用可行的方法来抑制单粒子多位翻转。V三、进度安排序号各阶段完成的内容完成时间1查看文献1月20日~3月5日2学习TCAD工具仿真3月6日~4月5日3建立模型并仿真4月6日~5月
3、6日4撰写论文5月7日~5月17日5修改论文并制作ppt5月18日~5月26日6答辩5月26日四、应收集的资料及主要参考文献[1]P.Roche,G.Gasiot,eta1.ComparisonofsofterrorrateforSRAMsincommercialSOIandbulkbelowthe130nmtechnologynode[J].IEEETrans.Nucl.Sci,2003,50(6):2046-2454.[2]刘必慰.集成电路的单粒子效应建模与加固方法研究[D].博士学位论文.国防科技大学,2009.[3]J.A.Zoutendyk,H.R.Sc
4、hwartz,etal.Lateralchargetransportfromheavy-iontracksinintegratedcircuits[J].IEEETrans.Nucl.Sci,1988,35(6):1644-1647.[4]O.A.Ausan,A.F.Witulski,eta1.Chargecollectionandchargesharingina130nmCMOStechnology[J]IEEETrans.Nucl.Sci,2006,53(6):3253-3258.[5]贺朝会,李国政等.CMOSSRAM单粒子翻转效应的解析分析[J].半导体学
5、报,2000,21(2):174-178.[6]刘征.纳米集成电路单粒子效应电荷收集及若干影响因素的研究[D].博士学位论文.国防科技大学,2011.[7]M.Zhu,L.Y.Xiao,etal.Reliabilityofmemoriesprotectedbymulti-biterrorcorrectioncodesagainstMBUs[J].IEEETrans.Nucl.Sci,2011,58(1):289-295.[8]A.D.Tipton,X.W.Zhu,etal.Increasedrateofmultiple-bitupsetfromneutronsat
6、largeanglesofincidence[J].IEEETrans.Nucl.Sci,2008,8(3):565-570.[9]B.W.Liu,S.M.Chen,etal.TemperaturedependencyofchargesharingandMBUsensitivityin130nmCMOStechnology[J].IEEETrans.Nucl.Sci,2009,56(4):2473-2479.[10]刘衡竹,刘凡宇等.90纳米CMOS双阱工艺下STI深度对电荷共享的影响[J].国防科技大学学报,2011,33(2):136-139.[11]陈超,吴
7、龙胜等.130nmNMOS器件的单粒子辐射电荷共享效[J].半导体技术,2010,35(1):46-49.V湘潭大学毕业论文（设计）评阅表学号姓名专业毕业论文（设计）题目：集成电路的单粒子多位翻转效应评价项目评价内容选题1.是否符合培养目标，体现学科、专业特点和教学计划的基本要求，达到综合训练的目的；2.难度、份量是否适当；3.是否与生产、科研、社会等实际相结合。能力1.是否有查阅文献、综合归纳资料的能力；2.是否有综合运用知识的能力；3.是否具备研究方案的设计能力、研究方法和手段的运用能力；4.是否具备一定的外文与计算机应用能力；5.工科是否有经济分析能力。论文
8、（设计）质
