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时间:2019-03-29
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1、第16章基本放大电路第16章基本放大电路课堂讨论下一章上一章16.2放大电路的组成与工作原理16.3放大电路的静态与动态分析16.4共射放大电路16.5共集放大电路16.6共基放大电路16.7共源放大电路16.8多级放大电路16.9差分放大电路16.10互补对称功率放大电路16.1双极性晶体管与场效应晶体管返回主页LFChun制作大连理工大学电气工程系NPNEBC16.1双极型晶体管与场效应晶体管第16章基本放大电路一、双极型晶体管BJT1.BJT的基本结构管芯结构剖面图SiO2保护膜N型锗PPBCE铟球平面型(硅)合金型LFChun制作大连理工大学电气工程系基极基极集电极集电极发射极发射极
2、基区NPN集电区发射区结构示意图BECPNPBEC集电结发射结16.1双极型晶体管与场效应晶体管LFChun制作大连理工大学电气工程系BJT的内部结构平面型P型N型P型N型P型N型发射极基极集电极SiO2集电极SiO2发射极基极发射极基极集电极N型N型P型16.1双极型晶体管与场效应晶体管LFChun制作大连理工大学电气工程系2.BJT的图形符号和分类(1)按结构分类NPN型、PNP型。(2)按材料分类硅管、锗管。(3)按功率分类大功率管、小功率管.(4)按频率分类高频管、低频管。图形符号BCEEBCNPN型PNP型16.1双极型晶体管与场效应晶体管LFChun制作大连理工大学电气工程系BJ
3、T实物图片16.1双极型晶体管与场效应晶体管LFChun制作大连理工大学电气工程系BJT的管脚图16.1双极型晶体管与场效应晶体管LFChun制作大连理工大学电气工程系二、BJT的工作状态1.放大状态UB>UEUC>UBRC+UCC-+UBB-RBNPNBEC发射结正向偏置集电结反向偏置16.1双极型晶体管与场效应晶体管LFChun制作大连理工大学电气工程系RC+UCC-+UBB-RBNPNBEC1.放大状态UB>UEUC>UBIB=IBE-ICBOIC=ICE+ICBOIE,ICIBIE=IB+ICIEICIBICEICBOIBE二、BJT的工作状态16.1双极型晶体管与场效应晶体管L
4、FChun制作大连理工大学电气工程系RC+UCC-NPNBEC当IB=0时IE=IC=ICEOICEOICEO穿透电流BECRC+UCC-ICEO16.1双极型晶体管与场效应晶体管LFChun制作大连理工大学电气工程系直流电流放大系数β=ICEIBEβ=ICIBUCE=常数交流电流放大系数①β与β不是常数;②β≠β;β≈β③放大状态时:≈ICIB+UBB-BCERC+UCC-RBIEICIBIC-ICBOIB+ICBO=16.1双极型晶体管与场效应晶体管LFChun制作大连理工大学电气工程系结论①BJT处于放大状态的条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。对于NPN型:UC>UB>UE。对
5、于PNP型:UC<UB<UE。②BJT处于放大状态的特征是IC∝IBIC∝IBUCE=UCC-RCIC——IC=IB——IC=IB——UBE<UCE<UCC16.1双极型晶体管与场效应晶体管LFChun制作大连理工大学电气工程系放大状态时IC=IBUCE=UCC-RCIC当RB→IB→IC→UCE→UCE<UBE→UCE→02.饱和状态→IC不会再增加。→UCE不会小于零。+UBB-BCERC+UCC-RB集电结正向偏置IEICIB+UCE-16.1双极型晶体管与场效应晶体管LFChun制作大连理工大学电气工程系结论①BJT处于饱和状态的条件是发射结和集电结均正向偏置。
6、②BJT处于饱和状态的特征是IC不随IB的增大而增大:UCE≈0,C与E之间相当于短路的开关。BCEBCEICS集电极饱和电流+UCE-ICS+UCE-控制端IC=ICS=UCCRC16.1双极型晶体管与场效应晶体管LFChun制作大连理工大学电气工程系3.截止状态截止的条件发射结反向偏置,集电结反向偏置。截止的特征①IB=0,IC=ICEO≈0②UCE=UCC,C与E之间相当于断开的开关。+UBB-BCERC+UCC-RBBCEBCEICEO+UCE-ICEO+UCE-控制端IEICIB+UCE-16.1双极型晶体管与场效应晶体管LFChun制作大连理工大学电气工程系结论BJT的工作状态放
7、大状态开关状态饱和状态截止状态16.1双极型晶体管与场效应晶体管LFChun制作大连理工大学电气工程系三、BJT的特性曲线和主要参数1.BJT的特性曲线(共射极电路)(1)输入特性(3DG6)IB=f(UBE)——UCE=常数UCE≥1V25℃硅管:UBE0.6~0.7V锗管:UBE0.2~0.3VUCE≥1V75℃80604020UBE/VIB/A00.40.8硅管:0.5V锗管:0.1V16.1双极
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