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1、翰碩寬頻科技(深圳)有限公司編號No.EDA-AXXX-002工程標準版本Rev.A滌淪電容日期Date2004/8/25頁碼Page6OF6-6-目錄章節 狀態主題頁次1.0 目的32.0 範圍 33.0參考定義34.0 責任單位 35.0 常規電性能 36.0 機械特性47.0進料檢驗重點48.0應用49.0信賴度實驗410環呆材材料項目要求5編訂審核核准黃文藝*****本文件及其內容爲翰碩公司之財産,未經授權不得複製*****FormPSF0043A翰碩寬頻科技(深圳)有限公司
2、編號No.EDA-AXXX-002工程標準版本Rev.A滌淪電容日期Date2004/8/25頁碼Page6OF6-6-修訂履歷章節版本修訂類容ECNNO.日期全部A初版發行LH-04-8952004.8.25*****本文件及其內容爲翰碩公司之財産,未經授權不得複製*****FormPSF0043A翰碩寬頻科技(深圳)有限公司編號No.EDA-AXXX-002工程標準版本Rev.A滌淪電容日期Date2004/8/25頁碼Page6OF6-6-1.0.目的爲數位機生産所用到滌電容提供技術依據。2.0.
3、範圍PBI生産單位所使用的滌淪電容;3.0.參考定義3.1.電容容量(Cp):電容量C的大小代表電容存儲電荷的能力的大小,C=Q/U。3.2.損耗角正切(DF):在電場的作用下,電容器在單位時間內發熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。tgψ=1/ωRC,ω爲電流角頻率,R爲電容等效電阻,C爲電容容量。3.3.額定電壓(U):電容器在電路中能夠長期穩定、可靠工作,所承受的最大直流電壓。對於結構、介質、容量相同的器件,耐壓越高,體積越大。3.4.滌淪電容:也即金屬箔
4、式聚酯膜介質直流固定電容器(CL11);3.5.絕緣電阻:用來表明漏電大小的。一般小容量的電容,絕緣電阻很大,在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。4.0.責任單位產品開發處製造工程處品保採購開發資材製造處5.0.常規電性能5.1.滌淪電容的標識方法及代碼含義: XXXXXX注:滌淪容的標識中第一、二表示電容的額定電壓值;第三、四、五代表電容容值;第六位代表電誤差精度。5.2.電容表示方法:電容前2碼表示有效數字,第3碼表示0的個數,第4碼表示誤差。例如:103J=10*103=10000P=10nF=0.01u
5、F,誤差爲±5%.5.3.誤差代碼爲:精度代碼適應範圍±0.05PF±0.1PF±0.25PF±0.5PF±1%±2%±3%±5%±10%+/-15%±20%-20%~+80%通用代碼ABCDFGHJKMZPBI代碼00CDI00JKMLZ5.4.電容耐壓值代碼表:電壓值(V)50631001251602002504005006006308001000150016002500對應代碼1H1J2A2B2C2D2E2G2H2X2J2K3A3T3C3E物料號中代碼456----------7---------
6、----------------------*****本文件及其內容爲翰碩公司之財産,未經授權不得複製*****FormPSF0043A翰碩寬頻科技(深圳)有限公司編號No.EDA-AXXX-002工程標準版本Rev.A滌淪電容日期Date2004/8/25頁碼Page6OF6-6-5.5.CL11(滌淪)電容電性能:·聚脂薄膜作介質,鋁箔作電極,有感捲繞·外部浸封絕緣材料·體積小,重量輕,高絕緣性能·適用於節能燈、電視機、收錄機及電子儀器,儀錶的直流和脈動電路中使用環境溫度-55℃~+85℃電容量偏差
7、等級±5%(J)、±10%(K)、±20%(M)耐電壓2倍額定電壓絕緣電阻≥30000MΩ(20℃1min)損耗角正切≤0.01(1KHz)耐久性試驗後的性能項目電容量變化≤%絕緣電阻≥MΩ損耗角正切≤穩態濕熱:+40℃;90%~95%RH;500h±5150000.01耐久性:+85℃;1.5U;2000h±5150000.01主要容值:50V/63V/100V:0.001Uf ~ 0.47Uf6.0.機械特性:6.1.尺寸: 單位:(mm)項目型號料號W(max)H(max)T(max)PDL(mi
8、n)2A103J52201-6103L6.0103.54.00.522.02A102J52201-6102L6.0103.54.00.522.02A222J52201-4222L6.0103.54.00.522.02A224J52201-5224012.313.56.88.50.623.02A104J52201-510409.812.84.87.00.523.0注:滌淪電容的容量越大、耐壓值越高則其體積越大.6.2.引出端強度:引腳正向拉力
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