武汉理工大学材料科学基础考研真题大纲

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1、材料科学基础复习大纲第二章晶体结构2.1结晶学基础1、概念：品体品胞晶胞参数七大晶系品也1指数晶

2、侨族品向指数晶向族2、晶面指数和晶向指数的计算2.2结合力与结合能按照结合力性质不同分为物理键和化学键化学键包括离子键共价键金属键物理键包括范徳华键蛍键晶体中离子键共价键比例估算（公式2.16）离子晶体晶格能2.3堆积（记忆常识）1、最紧密堆积原理及其使用范围：原理略适用范围：典型的离子晶体和金属晶体原因：该原理是建立在质点在电子云分布呈球形対称以及无方向性的基础上的2、两种最紧密堆积方式：面心立方最紧密堆积AB

3、CABC密排六方最紧密堆积ABABAB系统中：每个球周围有6个八而体空隙8个四而体空隙N个等径球体做最紧密堆积时系统有2N个四面体空隙N个八面体空隙八面体空隙体积大于四面体空隙3、空间利用率：品胞中原子体积与品胞体积的比值（要学会计算）两种最紧密堆积方式的空间利川率为74.05%（等径球堆积时）4、影响晶体结构的因素内因：质点相对人小（决定性因索）配位数（概念及计算）极化（概念，极化对晶体结构产牛的影响）外因（了解）：同质多晶类质多晶同质多晶转变2.4单质晶体结构（了解）2.5无机化合物结构（重点每年必考）分

4、析结构从以下几个方面入手：晶胞分子数，何种离子做何种堆积，何种离子添隙，添隙百分比，正负离子配位数，正负离子电价是否饱和，配位多而体，添隙半径的计算（刚好相切时），隙结构与性质的关系。1、NaCl型：4个21C1分子C1离子做面心立方密堆积，Na离子填充八面体空隙，填充率100%,正负离子配位数均为6,电价饱和。【NaC16】或【C1N°6】八面体结构与性能：此结构在三维方向上键力均匀，因此无明显解理，破碎后呈颗粒状，粒为多而体形状。离子键结合，因此有较高的熔点和硬度2、立方ZnS结构：4个ZnS分子S离子做

5、面心立方密堆积，第三章晶体结构缺陷2.1结构缺陷类型缺陷（概念）：晶体点阵结构中周期性势场的畸变按照几何形态分类：点，线，面，体点缺陷包括：空位，间隙，杂质，色心线缺陷有：位错而缺陷有：晶界，表而按照缺陷产生原因分类：热缺陷（本征缺陷），杂质缺陷和非化学计量缺陷（非木征缺陷）热缺陷分为北伦克尔缺陷和肖特基缺陷（理解图3.2）（北伦克尔缺陷的特征是空位和间隙质点成对出现，肖特基缺陷特征是止负离子空位成对出现。）3.2点缺陷（本节略，重点为缺陷反应方程式的书写以及缺陷浓度的计算）符号，书写原则，98页下而的两个基

6、本规律热缺陷浓度的计算：热力学方法，化学平衡方法3.5固溶体固溶体（概念）分类：根据位置分为置置换型固溶体，间隙型固溶体根据固溶度分为有限固溶体（不连续囱溶体），无限固溶体（连续I古I溶体）形成置换固溶体的条件（4条）形成问隙型固溶体的条件为什么间隙固溶体不能是连续固溶体（149页最下血）会写方程式理论密度计算，化学式的确定3.6非化学计量化学物（要仔细看课本，理解）四种类型不再赘述，关键是要导出方程式，得出空位浓度，电子浓度与氧压力和温度的关系,并说明其■密度，导电性的关系。另外注意"型半导体与P型半导体第

7、五章表面结构与性质5.1固体表面及其结构产生表面现象的根本原因：材料表面质点排列不同于材料内部，材料表面处于高能量状态。弛豫：概念，画图说明，举例（NaCl单晶）重构：概念，画图说明，举例（硅111面劈裂后的衣面）固体的表面张力与表面自由能：概念，与液体表面张力和表面自由能的区别（5.1.1.4）表面力场固体表面结构：品体表面结构（双电层得形成过程212页第三段及图5.6）5.3润湿与黏附1、润湿：是一种流体从固体表面置换另一种流体的过程分类：沾湿，浸湿，铺展三种行为自发进行的热力学条件:公式5.365.37

8、5.385.395.402、接触角与YOUNG方程YOUNG方程的推导,公式5.43三种行为的接触角判据:将方程带入公式5・365.375.385.395・40得出公式5・455.465.473、表而粗糙度的影响：226页最下而一段的结论4、黏附及其化学条件黏附的概念良好的黏附的表面化学条件:230页四条,另外231页三条第八章相变8.1相变概述1、相变分类按照热力学分类：按照化学位偏导数的连续性分为一级相变，二级相变一级：两相化学位相等，但化学位一阶偏导数不相等，反应在宏观性质上，热焙突变,热效应较大，体积

9、膨胀或收缩二级：两相化学位相等，化学位一阶偏导数相等，但化学位二阶偏导数不相等。表现在宏观性质上，热容，压缩系数和体膨胀系数发牛变化，而体积及热效应没有实变。按照相变机理二分为成核工长相变，连续性相变，有序无序相变和马氏体相变2、相变的条件（重点）温度条件：推导，结论（418页倒数第二段）压力浓度条件综上所述：相变要白发进行，系统必须过冷（过热）或者过饱和&2成核生长相变包括成核和生长两个过程1、核