泉州五中高三年语文试卷

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1、泉州五中高三年语文试卷第I卷一、（12分，每小题3分）阅读下文，完成1〜4题。美国科学家称：纳米存储装置可为计算机提供巨大存储空间碳纳米管的直径非常小，只相当于分了量级。如果每个纳米颗粒都存储一比特（bit）的计算机数据，那么碳纳米管的存储容量将十分巨大。科学家们也在不断试验，争取早日制造出山纳米技术生产的计算机记忆存储工具。美国徳克萨斯州农工大学和伦塞勒工学院的科学家们设计出一种纳米技术闪存记忆模型。这种记忆装置每平方厘米可以存储40G数据,每立方厘米可以存储1,000兆兆数据。一兆兆是1,000G比特，或者

2、说是26张高密度DVD的容量。其中每一个存储单位都由一对互和交义的碳纳米管组成，碳纳米管中填满铁或其它磁性物质。碳纳米管是由碳原子组成的薄片卷曲而成。碳原子具冇良好的电子特性，且碳纳米管的直径不到一纳米。研究人员通过磁化物质控制电流的方法存储数据，这种方法与普通的硬盘存储读取模式相同。徳克萨斯州农丁•大学一位电气T程学副教授说道，山纳米管交叉组成的阵列中，每一个交叉点都可以存储一个比特的数据0或1。假如人们将与H前常用微处理器所使用的半导体管数H相同的碳纳米管交叉起來，那么它的存储容量将为一百万G字节。通常来说

3、，中间层为无磁性介质，两边包裹着磁性物质的存储单元所能通过电流量取决于磁性物质的磁力线方向。每一个电子运动都会产生磁场。当电子穿过与其产生的磁力线平行的磁性介质时，电子就可以顺利通过。而当相反情况发生时，所有电子都会被阻挡。每两个碳纳米管呈直角相交。需要向纳米管写入数据时，读写装宣会向纳米管相交的结点发出正向或负向的电流脉冲，以改变结点的磁场方向。读取数据时，读写装宣则会发出一个较微弱的电流脉冲，这个脉冲或者总是正向，或总是负向。假如所在结点的磁场方向与读写装置发出的微弱电流脉冲柑反，那么此电流脉冲就会突然减弱

4、。所通过电流的强度就代农着计算机中的二进制存储单位0或1。因为碳纳米管非常小，由碳纳米管制成的存储设备将貝有巨大的存储容量和极高的存储速度。或许最高存取速度可以达到毎秒钟l,000G字节。山纳米工艺制成的存储设备耗电最也会非常低。伦塞勒工学院材料学工程师PulickelAjayan说道，用这种纳米管交义方法制成的存储设备比其它方法制成的存储设备使用起來更加持久和稳定，因为其它方法都需要对碳纳米管进行复杂的操作，例如使纳米管弯曲。研究人员下一步T作是要研究这种记忆体在各种条件下的性能差异，以找出能够发挥其最佳性能

5、的制造方法。然后他们将努力把单个的纳米管存储单元集成起來排列成三维结构，并用它们制成计算机存储设备。预计科学家能够在五年内完成此项研究。碳纳米管存储设备将具有巨大的市场潜力，但是科学家必须把理论转化为实际，而这个过程通常需要很长时间才能完成。诺贝尔奖获得者JackKilby曾经在理论上证实可以把半导体管集成在一起制成讣算机芯片，而研究人员通过这个理论制造出第一个讣算机芯片用了十五年的时间。研究人员目前的研究成果就如同当年人们第-•次想象出半导体管一样，这只是纳米存储技术发展的第一步。（转载自:中国科技信息网）1

6、.对碳纳米管的解说不正确的一项是（）A它的直径不到一纳米，只相当于分了量级。它是由由碳原子组成的薄片卷曲而成。B研究人员采用与普通的硬盘存储读取模式相同的方法存储数据。C它是美国德克萨斯州农工人学和伦塞勒工学院的科学家们研制出的-•种计算机记忆存储设备。D每两个碳纳米管呈直角和交，一对互和交义的碳纳米管就是一个数据存储单位。1.下列对第八段画线句子意思理解不正确的一项是（）A为了表示计算机二进制存储单位0或1,首先要让读写装置向纳米管相交的结点发出一个电流脉冲,以改变其磁场方向。B在与纳米管相交的结点的磁场方向

7、相同的情况下，读写装置发出的电流脉冲不会突然减弱。C如果读写装置发出的电流脉冲突然减弱，就农明纳米管相交的结点的磁场方向是负向的。D代表计算机二进制存储中位的电流强度是由读写装置发出的微弱电流脉冲的方向和纳米管相交结点的磁场方向决定的。2.下列表述符合原文意思的一项是（）A美国科学家设计出來的碳纳米管存储装置每立方凰米可以存储1（）G数据，最高存取速度可以达到每秒钟1,O（）OG字节。B由丁•别的方法为了使碳纳米管弯曲都需要进行复杂的操作，和比Z下用直角和交的方法制成的礦纳米管存储设备使用起來会更加持久和稳定。

8、C研究人员正在把单个的纳米管存储单元集成起來排列成三维结构，并用它们制成计算机存储设备。D虽然碳纳米管存储设备具冇巨大的市场潜力，但是它现在还处在理论研究阶段，还需要一段比较长的时间才能而市。3.根抓文章所提供的信息，推断正确的一项是（）A碳纳米管存储设备的制成意味着计算机纳米存储技术的发展走出了至关重要的一步。B由于容量大、存取速度更快、耗电量低等优点,碳纳米管存储设备一经而市,它将