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时间:2019-03-21
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1、飞I—■金去料*著UNIVERSYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINA■IT^|||||^^^^^||||硕±学位论文MASTERTHESISI]'.;■:,L(^^M■^fl\/:mn'mm'H论文题目基于殘化铜材料的s端电子器件建模妍究mmB,H|:hhh学科专业电子科学与技术.?打.20-為学号1321030517作者姓名王庚_指
2、导教师唐武教授—分类号密级注1UDC学位论文基于磷化铟材料的三端电子器件建模研究(题名和副题名)王庆(作者姓名)指导教师唐武教授电子科技大学成都(姓名、职称、单位名称)申请学位级别硕士学科专业电子科学与技术提交论文日期2016.3.15论文答辩日期2016.5.13学位授予单位和日期电子科技大学2016年6月30日答辩委员会主席评阅人注1:注明《国际十进分类法UDC》的类号。Themodelresearchforthree-termimalelectronicdevicebasedonInPmateri
3、alAMasterThesisSubmittedtoUniversityofElectronicScienceandTechnologyofChinaMajor:ElectronicscienceandtechnologyAuthor:QingWangSupervisor:Prof.WuTangSchool:SchoolofMicroelectronicsandSolid-StateElectronics独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。据我所知,除了文
4、中特别加[^标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。作者签名=本日期:年知V日论文使用授权本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文的规定,有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可
5、W采用影印、缩印或扫描等复制手段保存。、汇编学位论文(保密的学位论文在解密后应遵守此规定))作者签名:^导师签名:曰期:1/的户年月曰摘要摘要InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)由于自身具有高的电子迁移率、高的功率增益、低的噪声系数以及低功耗等特点,成为毫米波单片集成电路(MMIC)以及太赫兹单片集成电路(TMIC)领域最理想的三端电子器件之一。而在MMIC或者TMIC的设计过程中,建立准确的器件模型是至关重要的。本文基于自主研发的InP基HEMT器件,利用多种测试手段获取器件的直流
6、性能、交流性能、脉冲性能,综合研究了器件模型的由来并建立了准确的小信号模型。随后研究了陷阱电荷给器件带来的一些影响。最后在前面两部分的研究内容的基础上利用EEHEMT模型,对器件的大信号模型进行了研究,从而获得了一个较为准确的器件大信号模型。取得的研究成果如下:1.根据对InPHEMT器件原理的综合分析,利用传统的16个参数的HEMT器件小信号模型,优化了提取本征参数的算法。在Dambrine提出的本征Y参数公式基础上,直接推导了器件模型的本征元件参数,相比较Dambrine引入一个假设条件而得到的计算结果更为
7、精确。2.由于InPHEMT器件本身固有的一些效应,在某些偏置电压下测得的S参数会发生一些反常的现象。此时传统16个参数的小信号模型无法拟合。根据对器件物理和二端口网络知识的分析,引入两个特殊的支路进入传统的小信号模型。根据传统模型和新模型的对比,可以看出新模型能更好地模拟器件的小信号特性。3.对于HEMT器件存在的陷阱电荷问题,通过脉冲IV测试装置对器件输出电流的测试,表征了输出电流受脉冲宽度和栅端静态电压的影响规律。从而揭示了器件内部的陷阱电荷对电流崩塌现象的作用机制,为下一步建立大信号模型中对器件陷阱电荷
8、的考虑提供了理论基础。4.针对国内缺乏大信号模型指导电路设计的现状。以EEHEMT模型作为基础,利用IC-CAP软件来对器件的大信号模型参数进行提取,然后在ADS软件工具里进行优化仿真,最终建立了一个较为准确的InPHEMT器件的大信号模型,该模型能够很好地拟合器件的直流性能和交流性能。为下一步InPHEMT器件在MMIC电路中的设计打下了基础。关键词:InPHEMT,小信号模型,大信
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