inznon薄膜晶体管的研制

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1、密级：公开Ｈ学校代码；１０００４ｊｊｊ■ｆｃ＾如交道乂＾＃補ＢＥＩＪＩＮＧＪＩＡＯＴＯＮＧＵＮｉＶｇ民ＳＩＴＹ化学位论翊誦帛体舖績胃ｍ觀彭云学科专业电子韓学与技术誦巾麵於交道乂攀硕女学位论文ＩｎＺｎＯ：Ｎ薄膜晶体管的研制Ｐｒｅａｒａｔｉｏｎａｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｈａ巧ｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆＩｎＺｎＯ：Ｎ化ｉｎｆｉｌｍｐｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ作者：彭云飞导师：张希清北京交通大学２０１６年６月学位论文版权使用授权书本学位论

2、文作者完全了解北京交通大学有关保留、使用学位论文的规定。特授权北京交通大学可Ｗ将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，提供阅览服务，并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编Ｗ供查阅和借阅。同意学校向国家有关部口或机构送交论文的复巧件和磁盘。（保密的学位论文在解密后适用本授权说明）学位论文作者签名；：导师签名签字日期：Ｖ／Ａ年Ａ月＾日签字日期：２＾，＜年６月衫日０００４学巧代巧：１密级：公开北京交通大学硕±学位论文ＩｎＺｎＯ：Ｎ薄膜晶体管的研制＂Ｐｒｅｐａｒａｔｉ

3、ｏｎａｎｄｅｌｅｃ化ｉｃａｌｃｈａｉａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆＩｎＺｎＯ：Ｎｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ作者姓名；彭云飞学号：１３１２１６３２：导师姓名张希清职称；教授学位类别：工学学位级别；硕±学科专业：电子科学与技术研究方向；光电子材料与器件北京交通大学２０１６年６月ｔ致谢本论文的工作是在我的导师张希清教授的悉也指导下完成的，张希清教授严谨的治学态度和科学的工作方法给了我极大的影响，帮我解决科研难题的同时，、也给我极大的给我在科研工

4、作中的信屯，激励我不断的前进。此外，在学习上和生活上张老师都给予了我很大的关也和帮助、，让我可Ｗ排除干扰，专屯科研，再次衷也感谢Ｈ年来张希清老师对我的关屯、和指导。在本人攻读硕±学位期间，衣立新教授、王永生教授、姚志刚工程师、王申伟老师对我的科研工作提供了支持，并且给予我了及时的改进意见，并且在我撰写论文期间，提供了宝贵的建议，特别感谢几位老师的指导和帮助。在实验室工作及撰写论文期间，王海龙、李彬、周东站、胡佐富、吴怀吴、、指导高耸师兄对我的研巧工作给予了耐屯，戴仕千、李然、王琪等师弟也热情帮

5、。助，在此向他们表达我的感激之情感谢理学院辩论队给予我极大的生活与工作的热情，感谢孙明瑜在生活与工一，是他们让我在学校的日子里感受到集体的温暖般作中的关也和呵护，和家人的关爱。感谢物研１３０３班同学们的帮助和鼓励，感谢王欢、洪晓霞的睹伴与包容，是你们让我学习和生活的更加快乐。此外，我的父母、弟弟、妹妹，，是他们的，特别感谢我的家人还有付长林理解和支持使我能够在学校专屯、完成我的学业，希望他们可Ｗ健康快乐。最后，感谢北京交通大学理学院工作细、团委和教学科对我学习工作的指导，感谢北京交通大

6、学图书馆为我提供学习资料和帮助。愿我的母校越来越好。ｉｉ北京交通大学硕±学位论文中文摘要中文摘要摘要：薄膜晶体管（ＴｈｉｎＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＴＴＴ）广泛应用于显示领域，随着人们对湿示器件尺寸和性能需求的提高，非晶娃Ｔ巧因迁移率太低（小于ＩｃｍＶＶｓ）、多晶娃Ｔ巧大面积一致性差Ｗ及对可见光敏感等缺点己不能满足其在工业上的应用。ＷＺｎＯ为代表的金属氧化物薄膜晶体管Ｗ光敏性弱、迁移率髙、开口率高等。、优点吸引了越来越多的关注和研究但是，ＺｎＯ基Ｔ巧现阶段也存在如０空位Ｚｎ

7、填隙等缺陷，性能不稳定，迁移率还不足够商等问题，这些都限制了透明金属氧化物Ｔ巧的进一步发展。针对Ｗ上问题，我们用磁控满射的方法研制了－－ｎＺｎＯ：ＮＴ巧，并通过优化制备ＩｎＺｎＯ：Ｎ薄膜的条件ｎＺｎＯ：ＮＴ巧的电学性Ｉ，提离Ｉ能。本文主要研巧工作如下：一ｎＺｎＯ－、：ＮＴ巧性能的影响ＩｎＺｎＯ：Ｎ研巧了有源层厚度对Ｉ，结果表明，随着薄膜厚度的増加，迁移率先増加后减小。当有源层厚度为３０ｎｍ时器件性能最佳，－其迂移率为３７．ｌｃｍ７ＶＳ９．Ｖ比为２．４Ｅ＋０７，闽值电压为１，开关；ｎ

8、ＺｎＯ－一二、研巧了退火温度对Ｉ：ＮＴＦＴ性能的影响结果表明，在，定范围内随着退火温度的増加，器件性能逐渐变好；退火温度过高时，器件性能急剧退化。‘５０Ｃ时，当退火温度为９，晶体管性能最佳，其迁移率为３７．ｌｃｍ７Ｖｓ闽值电压为－９＋．１Ｖ２．４Ｅ０７，开关比为；Ｈ－、研巧了器件Ａｒ对ＩｎＺｎ