tio,2薄膜光诱导超亲水性的研究

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1、浙江大学硕士学位论文TiO<,2>薄膜光诱导超亲水性的研究姓名:陈喜明申请学位级别:硕士专业:应用化学指导教师:蒋新20050601浙江大ap.硕士毕业论文摘要本文主要研究掺杂Si02和V205对纳米Ti02薄膜超亲水性和光敏性的影响。论文首先综述了纳米复合材料和纳米丁i02的应用,对目前的一些纳米复合材料的制备方法进行了分类。详细阐述了TiO:薄膜超亲水性的影响因素、亲水机理、特点和应用,并总结了提高超亲水性和光敏性的手段,最后提出了自己的研究方向和思路。论文中以溶胶一凝胶法结合浸渍一提拉技术制各了Ti02薄膜、Si02一Ti0

2、2和V205一Ti02复合薄膜和复合粉末,结合x射线衍射仪(XRD),高分辨扫描电镜(HRSEM)、原子力显微镜(AFM)和热失重.差热(TG—DTA)对薄膜进行表征,建立结构与亲水性的关系。针对不同的体系,作者通过对文献和现有分析手段的研究设计了一系列的实验。研究发现,对于Si02一Ti02复合薄膜,si02的加入能够抑制Ti02锐钛矿晶型向金红石晶型的转化,并且抑制Ti02锐钛矿型晶粒的生长。复合薄膜的亲水性跟晶粒粒径有关,在Ti02具有一定绝对含量的条件下,晶粒越小越有利于薄膜的亲水性:对于v205.Ti02复合薄膜,V20

3、5的引入对Ti02晶粒大小以及晶型转化的影响类似于Si02的引入,都能抑制锐钛矿晶型向金红石晶型的转化,并且抑制Ti02锐钛矿型晶粒的生长。此外更重要的是,V205的引入拓展了Ti02薄膜的光谱响应,V205.Ti02复合薄膜在太阳光的照射下,也能展现出良好的亲水性能,接触角从照射前的35。左右下降到8。左右,而单纯的Ti02薄膜在太阳光的照射下,其接触角却几乎不变,随着钒添加量的增加,接触角总体上呈现下降趋势:对于光敏化机理的研究,V205.Ti02复合薄膜具有可见光响应的特性主要是由于v205的掺杂在二氧化钛的能带中引入钒的3

4、d能级。从而使光响应波长从紫外光向可见光的方向移动,并且由于V205是窄禁带半导体,与Ti02宽禁带半导体相复合,也能够提高电荷分离效率,扩展Ti02的光谱响应。论文最后总结论文工作的同时,提出了论文没有解决的问题,为以后Ti02薄膜亲水性和光敏化更进一步的研究工作明确了方向。关键词:薄膜超亲水性光敏化纳米Ti02浙江大学硕士毕业论文———__________-_●_—————————___●____●--___-————————_____-●、____p-—————————_____●_______H-______-●—————

5、——————————●-—————一ABSTRACTTheeffectofdopedSi02andV20sonthesuper-hydrophilicityandsensitivityofnanoTi02thinfilmswerestudiedinthisdissertation.First,theresearchandapplicationofnanocompsitesandnanoTi02werereviewedandtheauthorintroducedthepreparationmethodsofnanocomposite

6、sinresponsetothedissertation.Theauthorgeneralizedtheeffectfactorprinciples,characteristicsandapplicationsofthethinfilm.Andseveralkindsofmethodsofimprovingthesuper-hydrophilicityandsensitivitywererepresenteddetmled.Andatlast,onbaseofittheinvestigatedorientationofthisdi

7、ssertationwaspresented.Inthisresearch,Ti02thinfilm,Si02一Ti02andVzOs—Ti02nunocompositethinfilmsandnanocompositepowderwerepreparedonglasssubstratesbysol—gelprocessinganddip—coatingtechnique.Thefilmsaswellasthedriedpowderofbuu(gelwerecharacterizedbydifferenttechniques,su

8、chasX-raydiffractionCXRD),high—resolutionscanningelectronmicroscopy(HRSEM).atomicforcemicroscope(AFM)andthermogravimetry-dif

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