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时间:2019-03-16
《三元混晶al_xga1-xsb的第一性原理研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、''‘1、粒、少--.,明V节\方.;呼’‘'、.^"子.禹片V_<一r—?甲-点学巧代巧:10126八学号:31346007.'"""'-:-■-V-;?-;?-分类号:-.--编号、’、‘"'、‘—-;六I--、卢^7打.V..-心.'.-'.\批一-'沪’、'.扣'絲旅INNERMONGOLIAUNIVERSITY.-樂.’義夏;難捕±撃隹繼费'MA浸T恩肢BI浸餐蓝ETATI(〇M爲,"^一.?一产..;S元混晶A一lGaSb的第^^性原理研究;yi巧'.
2、一伊..度'.'.V.■-布—、一:如-■‘?.户一、■;矿: ̄..廷X''爲义.’為.,,;;姑.冷斬’户'.''.-:‘.护n:矜,、?、k-’'V,?41’.学院;物理科学与技术学院;響J馨"‘而、‘式.业茜专;物理学一-—■■II?记'余若:V研究方向;凝聚态物延-f>’\‘f一告、.—襄姓名;毛青琴一■/XAI—\;;、v乾指导教师;赵国军教授:、’.-.'ly成J辨度,:v、,■’’-*、‘V<记一‘、^_<'、
3、、.,.公\v.V巧‘’’.;'\成轉、V:*韦?.歡户、‘'-,V.一.,帶、Y?■'.■.、'.一肯,.\.',X乂■乂*辑接、一,斗、、、.-'<-'一r、..’''’,'.对、.:.:1::c..茗聲、:、产■■■...*■?一??.?r??-?-?:。'.rfy.--^>'V^*学校代码:10126学号:31346007分类号::编号论文题目一S元混轟AlxGai_xSb的第性原理研壳学院:物理科学与巧犬学院专业:物理学
4、研究方向:攤聚态物理姓名:毛青琴指导教师:赵国軍教授2016年5月5日原创性声明:所呈交的学位论文是本人在导师的指导下进行的研究工作及取得的研究成荣本人声明。除本文已经注明引用的内容外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得内巧古大举及其他教育机构的学位或证书而使用过的材料一同工作的同志对本研巧所做的任何贡献巧已在论文中作。与我了明确的说明并表示谢意。^到学位论文作者签名:表着舅指导教师签名:勺I日期:闲扣日期:在学期间研究成果使用承诺书,:本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定
5、即内蒙古大学有权将学位论文的全部内容或部分保留并向国家有关机构,,、部口送交学位论文的复印件和磁盘允许编入有关数据库进行检索也可W采用影印,、缩印或其他复制手段保存、汇编学位论文。为保护学院和导师的知识产权作者在学期间取得的研究成果属于内蒙古大学。作者今后使用涉及在学期间主要研究内容或研究成果,须征得内蒙古大学就读期间导师的同意;若用于发表论文,版权单位必须署名为内蒙古大学方可投稿或公开发表。;学位论文作者签名;毛為濟指导教师签名ML/。5巧巧日期.;中!t八日期:王1诉b一a-bH元混晶ALG,xS的第性原理硏究摘要相比巧化傢
6、半导体材料,锦化嫁具有烙点低、电子迁移率高、光电转化率-V族HGaSb的闪轉矿型晶格与其他阳元混晶的晶格相匹配,尤高等优点,且A1AlGa-xSb材料,可W通过调节A1组分改变带隙其是通过惨形成的H元混晶xi的宽度,制作出人们需要的光电器件。为了深入地了解S元混晶AUGai-xSb的性一性原理平面波超软厮势方法,研巧质,我们采用基于密度泛函理论之上的第a化、AlSb、InSb和H元混晶AlGa-Sb0苗封。了闪巧矿结构Gxix的相关性质()GaSb、A1化和In化都是直接带隙半导体,其能结果表明,结构优化后的带结构都是分为下、中、上价带和导带四部分;我
7、们还计算了这些材料的复介、电函数,W及定容比热、炯烙、自由能等热、复折射率、反射光谱和损失谱0-1000K力学函数在温度为范围内的变化情况,发现定容比热随温度的变化规-巧替定律律遵循租隆。一AlGai-化材料的电子结进步在结构优化的基础上,我们研究了H元混晶xx构和光学性质。通过对不同A1细分下AlxGai-xSb的总能量与形成能的计算,得。Aa-SbAGa_Sb的晶格常数到了,并与实验值就行了对比随后我们研究了LGixU,x。在不同A1姐分情况下
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