zno-co基纳米材料的电致阻变和磁电阻效应

《zno-co基纳米材料的电致阻变和磁电阻效应》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、、ｓ，Ｉ．—＇Ｉ？■？Ｉ．＜＿＞．１，、，＇ＡＶ＞－Ａ＇、．．＇－＇＇＇、．＇．，换；．、＇耗＇■／巧．．巧＼／分类号’！片、、巧級違馬，无ＵＤＣ：中＾单惊巧码，ｌｏｎｇｖＡ－＇＼’Ｖ诚钱臟毒山西师范大学硏究生硕击学位论文Ｖ化嘴远曲－Ｃ内典ｏ基纳米材稱的电致阻巧巧碰电阻效应已遇读璋ｉＡ’；如ｆ’＂＂：１舍巧－，指导教师李小丽副教搜山西师范大举化学与材料科学學巧ｎ’把护：—申请学位级别理學巧去专业名碌化

2、学芭接；论文提交日期２０１６年４月１０目论女容銳日期２０化年５月２１日学位授予单位山西卿范大聲学位巧予日期２０１６卑７月１日、答辩委员会主巧许小紅教授ｔ；：；１括，评閱人王峰副教授化竹巧副教搜＇－？－＼；｜－．■＇＇’、．；■、，．Ｖ’ｖ４‘Ｖ＇■Ｖ設．Ｉ＇；、６５２４日’Ｖｖ孤月ｌ：；克１年；、ｔ、＇－．．、，■、；，－１：＇Ｍ飞、＇―、■片片；；一．，、：．，：、‘＇？＇＇如Ｌｌ，直独创声明本人郑重声明：所呈交的学位论文

3、是本人在山西师范大学攻读学果位期间，在导师指导下独立进行的研巧工作Ｗ及所取得的研究成其他。据人本人所知，除了文中特别加圳＝示注的地方外，论文中不包含学或其他已经发表或撰写过的研巧成果，也不包含为获得山西师范大教育机构的学位或证书使用过的材料。本声明的法律后果将完全作者由本签人承担。名学：位论文版权使签字日期；本用授权书文学位论文作者完全了解山西师范大学有关保留、使用学位论的规定，有权保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和位电子论版文，允许论文被查阅和借阅。本人授权山西师范大学可将学影的全部或部分

4、内容编入有关数据库进行网络出版，可采用文在巧解、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。（保密的学位论密后适用本授权书）。作者签、■＊‘导名：例签字日期；？叫师签字：签字日期：中文摘要论文题目：ZnO-Co基纳米材料的电致阻变和磁电阻效应专业：化学硕士生：贾娟签名：指导教师：李小丽签名：摘要自旋忆阻器件兼具电致阻变和磁电阻效应，可以实现多个电阻态，在多态非易失性存储器和人工神经网络等技术中具有广阔的应用前景，因此，寻找一种能同时对电场和磁场响应的材料至关重要。本文设计并采用磁控溅射方法制备了以ZnO-Co和ZnO/ZnO

5、-Co作为功能层、以Pt作为电极的自旋忆阻器件，研究了它们的电致阻变和磁电阻效应。(1)以ZnO-Co颗粒膜作为功能层的Pt/ZnO-Co/Pt器件表现出稳定的双极性电阻转变行为，并且其不需要软击穿过程，这可能是因为功能层ZnO中的Co颗粒的存在不仅可以作为导电丝形成的前驱体，而且还有助于局域电场的增强，从而在减小导电丝形成随机性的同时还可以进一步降低能耗；(2)以ZnO/ZnO-Co双层膜作为复合功能层的器件在表现出双极性电阻转变行为的同时，在高、低阻态下均具有室温磁电阻效应，因此，通过外加电场和磁场的调控，Pt/ZnO/ZnO-Co/Pt器

6、件可以实现四个电阻态。分析表明，其电致阻变行为归因于氧离子迁移导致的氧空位的积累以及功能层中Co的贡献。高、低阻态下的磁电阻效应分别符合隧穿机制和巨磁电阻机制；(3)在上述结果的基础上，通过改变ZnO-Co层中Co的含量可以有效调制ZnO-Co的电阻，从而使得在以ZnO-Co膜作为功能层的器件中也可以同时实现电致阻变和磁电阻效应。总之，以ZnO-Co和ZnO/ZnO-Co作为功能层的器件均显示双极性阻变特性，并且在高、低阻态下均具有室温磁电阻效应。因此，通过电场和磁场的调控，我们可以在ZnO-Co基自旋忆阻器件中实现多个电阻态。该结果可以为未来

7、采用更容易和简单的方法实现多个电阻态提供重要思路。【关键词】：磁控溅射；ZnO/ZnO-Co薄膜；电致阻变效应；磁电阻效应【论文类型】：基础I英文摘要Title:CoexistenceoftheresistanceswitchingandmagnetoresistanceeffectinZnO-Conano-materialMajor:ChemistryName:JuanJiaSignature:Supervisor:Xiao-liLiSignature:AbstractThespinmemristivedevicescombiningmemr

8、istanceandmagnetoresistancehavepromisingapplicationsinmultibitnonvolatileda