soi二极管型长波红外探测器单元电路设计

soi二极管型长波红外探测器单元电路设计

ID:35034157

大小:4.84 MB

页数:72页

时间:2019-03-16

soi二极管型长波红外探测器单元电路设计_第1页
soi二极管型长波红外探测器单元电路设计_第2页
soi二极管型长波红外探测器单元电路设计_第3页
soi二极管型长波红外探测器单元电路设计_第4页
soi二极管型长波红外探测器单元电路设计_第5页
资源描述:

《soi二极管型长波红外探测器单元电路设计》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、摘要近年来,红外焦平面阵列(IRFPA)被广泛应用于军事、医疗、工业等领域,其中非制冷型IRFPA可在室温下工作,大大降低了生产成本而备受青睐。IRFPA由红外探测器和读出电路构成,SOI二极管型红外探测器利用PN结的良好温度特性,可与标准CMOS工艺兼容,实现与读出电路的集成封装,成为目前非制冷型IRFPA的重要发展方向,因此对其专用读出电路的设计是目前整个IRFPA的研究重点。本文在对SOI二极管型红外探测器结构及工作原理的详细分析后,设计了专用的前端单元电路,该电路采用Gm-C-OP积分放大器的结构,将探测器产生的微弱电

2、压信号经跨导放大器(OTA)转化为电流信号,再经电容反馈跨阻放大器(CTIA)积分转化为电压信号输出。设计的Gm-C-OP积分放大器采用差分输入的结构,可以有效地消除环境及芯片温升对探测器输出信号的影响,大大提高了读出电路的均匀性。文中设计了三种具有高线性度的Gm-C-OP积分放大器,详细介绍了其工作原理与设计过程,采用0.35μm5VCMOS工艺进行了版图设计与后仿真,并对流片后的芯片进行了封装与测试。测试结果表明:三种Gm-C-OP积分放大器均可实现对输入0~2mV微弱电压信号的线性响应,线性度达97%,输出范围大于2V,

3、并可完成积分放大器的增益可调功能。但三种积分放大器均存在一定程度的输入失调电压,论文最后对其原因进行了分析,并采用斩波稳定技术设计了一种具有低失调电压的积分放大器,给出了相应的仿真结果。关键词:非制冷型红外焦平面阵列SOI二极管读出电路Gm-C-OP积分放大器斩波稳定ABSTRACTInfraredFocalPlane(IRFPA)iswidelyusedinmilitary,medicaltreatment,industry,etc.UncooledIRFPAhaslowcostandlessvolumeduetothead

4、vantageofnon-refrigeration.Composedofdetectorandreadoutcircuit(ROIC),thecharacterofIRFPAquitedependsonthetwoelements.Silicon-on-insulator(SOI)diodedetectorisconstructedwithPNjunctiondiodesfabricatedintheSOIfilmandbasedonstandardCMOSprocess,whichcanbeintegratedwithRO

5、ICandhasbecomethedevelopmentdirectionofuncooledIRFPA.Thedetectorusesitsforwardvoltagedependenceoftemperaturecausedbyinfraredradiationtoachievedetection.Therefore,itisimportanttodesignaspecificROIC.Inthispaper,aunitcircuitforlongwavelengthinfrareddetectorusingSOIdiod

6、ehasbeendesigned.TheunitcircuitisaGm-C-OPintegratedamplifier,whichconsistsofanOTAandaCTIA.TheOTAconvertstheinputvoltagefromthedetector,intocurrent,whichisthenconvertedtovoltagebyCTIA.Byadoptingdifferentialinputstructure,theGm-C-OPintegratedamplifiercaneliminatetheef

7、fectofambienttemperatureandimprovetheuniformityoftheoutputsignal.ThreekindsofhighlylinearGm-C-OPintegratedamplifieraredesignedandtheirworkingprinciplesareprovided.Thecircuitswerefabricatedina0.35μmCMOSprocessunder5Vsupplyvoltage.TestingresultsshowthatthethreeGm-C-OP

8、integratedamplifierscaninvertthesmallinputvoltagerangingfrom0to2mVintoapropervoltagelinearly.Thelinearityis97%andthedynamicrangeisover2V.H

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。