low-k介质硅晶圆切割崩裂失效研究

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1、５学校代码：１０２８学号；２０１３４３２８１１０易１牡考ＳＯＯＣＨＯＷＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹｂｉｂｂｍｉ＇—－－－—：Ｌｏｗ－ｋ介质枉晶圆切割崩裂失效研究—ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎｔｈｅＤｉｅＣｈｉｐｐｉｎａｉｌｕｒｅｏｆｇＦＬｏｗ－ｋＤｉｅｌｅ幻ｌｉｅｓＷａｆｅｒｉｎＷａｆｅｒＳａｗｉｎｇ：硏究生姓名赵腊玲：＿：指导教师姓名专业名称集成电路工程＂研究方向集成电路封装＾：ｌｊ所在院部电子信息学院论文提交日期２０１６年１２月－Ｊ．」＿远置；

2、Low-k介质硅晶圆切割崩裂失效研究中文摘要Low-k介质硅晶圆切割崩裂失效研究中文摘要轻薄短小成为半导体发展的趋势，而硅晶圆的切割划片技术是集成电路封装小型化的关键基础工艺技术。随着薄型化及Low-k(低介电常数)介质硅晶圆的出现，由于材料其本身的特性，传统机械切割(刀片切割)方式加工过程中经常出现芯片崩裂，会造成可靠性失效的严重后果，所以通常需要通过工艺参数的优化以及引入激光切割工艺来改善Low-k介质硅晶圆切割中产生的崩裂现象。本文在切割工艺分析、失效机制研究的基础上，重点研究改善Low-k介质硅晶圆因切割崩裂而导致的可靠性失效问题。本论文包含以下几个研究内容：

3、（1）硅晶圆切割工艺原理的研究从研究机械切割的工艺原理入手，结合研究Low-k介质硅晶圆材料的特点指出机械切割针对Low-k介质硅晶圆切割的工艺限制，从而引入激光切割，进一步对其工艺原理以及工艺参数进行研究。（2）切割崩裂失效现象及改善的研究切割中的常见同时也是最严重的异常就是切割崩裂，从失效现象及失效机理的研究找出影响崩裂的主要因素并进行改善。（3）Low-k介质硅晶圆切割的工艺优化为了解决Low-k介质硅晶圆切割产生的崩裂，同时控制其他相应问题的产生，通过分别对主要参数的优化验证，找到最佳工艺生产条件。本文在切割工艺分析、失效机制研究的基础上，找出了影响Low-k介质

4、硅晶圆切割崩裂的主要原因。在此基础上有针对性的进行优化实验，确定了合适的工艺条件和范围，解决了Low-k介质硅晶圆的崩裂问题，达到了达到了确保切割品质与可靠性的目的。I中文摘要Low-k介质硅晶圆切割崩裂失效研究关键词：Low-k介质硅晶圆，切割，崩裂，可靠性，工艺参数作者：赵腊玲指导教师：张冬利IIResearchontheDieChippingFailureofLow-kDielectricsWaferinWaferSawingAbstractResearchontheDieChippingFailureofLow-kDielectricsWaferinWaferSa

5、wingAbstractSlimmerandthinnersemiconductorproductisnowatrendrequiredbythemarket,whilethetechnologyofwafersawingisinfactthekeyandfundamentalprocesstominiaturizeintegratedcircuitassemblyproduction.WiththeapplicationsofthinnerandLow-k(lowdielectricconstant)wafer,inthetraditionalmechanicalwaf

6、ersawing(bladesawing)process,diechippingconstantlyoccursduetothecharacteristicsofthematerialitself,resultinginaseriousconsequenceofreliabilityfailure.ThusitisessentialtoresolvediechippingissuesduringLow-kdielectricswaferthroughoptimizingtheprocessparametersandintroducinglasergroovetechnol

7、ogy.Basedontheanalysisoftechnologyandfailuremechanismofwafersawingprocess,thisthesisfocusesonhowtoovercometheproductreliabilityfailurewhichiscausedbyLow-kdielectricswaferdiechipping.Thisthesisincludesthefollowing:(1)Studiesonthewafersawingprocessprinciple;Startingwi