izo tft参数提取与电应力退化特性研究

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2、＇＞］圓．．■１？作者姓名王静工程领域集成电路工程校内指导教师刘玉荣教授校外指导教师刘远高工所在学院电子与信息学院论文提交日期２０１６年３月StudyonExtractionParametersandDegradationunderElectronicalStressofIZOTFTADissertationSubmittedfortheDegreeofMasterCandidate：WangJingSupervisor：Prof.LiuYurongSouthChinaUniversityofTechnology

3、Guangzhou,China分类号：ＴＮ４０５学校代号；１０５６１学号：２０１３２１０１０２巧华南理工大学硕±学位论女ＩＺＯ巧Ｔ参数提取与电应力退化特性硏究作者姓名；王静指导教师姓名、职称：刘玉荣教授申请学位级别：专业硕±学科专业名称；集成电路工程研究方向：半导体器件及可靠性研究论文提交’曰期：如＼（７年月０曰论文答辩曰期：年０月ｆ曰１＾》学位授予单位：华南理工大学学位授予日期；年月日答辩委员成员：＾主席么蚕员／．：ｉｄＩＡ４４茶？作华南理下大学学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的论文是本人

4、在导师的指导下独立进行研究所取得的研究成果。除了文中特别加标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体己经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均己在文中＾ｉｔ＾明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。作者签名：曰期：如６年月曰学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定目，Ｐ：研巧生在校攻读学位期间论文工作的知巧产权单位属华南理工大学。学校有权保存并向圈家有关部口或机构送交论文的复印件和电子版，允许学位论文被查阅（除在保密期内的保密论文外）；学校可公

5、布学位论文的全部或部分内容，可臥允许采用影印、缩印或其它复制手段保存、汇编学位论文。本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。本学位论文属于：□Ｓ密，在年解密后适用本授权书。叟上９／禾保密，同意在校园网发布，供校内师生和与学校有共享协议的单位浏览；同意将本人学位论文提交中国学术期刊（光盘版）电子杂志社全文出版和编入ＣＭＱ《中国知识资源总库）），传播学位论文的全部或部分内容。＂＂（请在臥上相应方框内打Ｖ）作者签名：日期：办／／．一少之Ｉ指导教师签名：＇日期：乂ｆ左．？、么Ｌ作者联系电话：电子邮雜：联系地址（含

6、邮编）；摘要近年来，随着信息产业高速发展，基于薄膜晶体管的显示技术也获得了长足的进展。目前在电应力下引起器件特性退化是制约其在平板显示领域应用的主要瓶颈。因此，论文针对掺铟氧化锌薄膜晶体管（IZOTFT）在各种电应力下的退化特性研究具有实用价值和科学意义。论文对IZOTFT主要电学参数提取方法和电应力退化特性展开了较为系统的研究，主要内容和结果包括:(1)对IZOTFT的基本电特性进行了表征，提取阈值电压，亚阈值摆幅，有效迁移率等性能参数。采用多频C-V法和沟道电阻法(CRM)相结合的方法提取出漏、源接触电阻；采用传输线法(TLM)和沟道电阻法(CRM)提取的源

7、漏接触总电阻相近，其值约为1.45MΩ。在提取出漏源电阻的条件下，结合RC网络与多频C-V法提取了有源层中态密度(DOS)，并拟合出类受主缺陷态密度的具体参数。通过1/噪声特性研究，提取出界面19-3-1态陷阱态密度为1.45×10cmeV。(2)研究了IZOTFT在栅电压应力下退化特性。结果表明，在栅压应力下，器件电退化主要表现为，在负栅压应力下，阈值电压Vth的正向漂移，而在正栅压应力下Vth向负漂移，这是因为负栅应力下栅绝缘层所捕获电子，而在正栅压应力下穴注入栅绝缘层和陷阱态产生有关，并通过1/噪声特性进一步验证了该解释的正确性。(3)研究了IZOTF