1.55μm半导体激光器增益谱和线宽增强因子的理论和实验研究

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3、bmittedtoUniversityofChineseAcademyofSciencesInpartialfulfillmentoftherequirementForthedegreeofMasterofScienceChangchunInstituteofOptics,FineMechanicsandPhysicsApril,2016独创性声明ＩＩＩ本人郑重声明：所提交的学位论文是本人在导师指导下独立进行研究工作所取得的ｉ！Ｉ成果。据我所知，除了特别加标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或Ｉ＝撰写过的研究成果对本人的研究做出重要贡献的个人和集体，

4、均已在文中作了明确的ｉ说明。木声明的法律结果由木人承担Ｃｉ＾乂。＇学位论文作者签名：日期：７《３＿—ＡｉＩＩＩＩＩＩＩ学位论文使用授权书Ｉ本学位论文作者完全了解中国科学院大学及中国科学院长春光学精密机械与物涅！研究所有关保留、使用学位论文的规定，即：中国科学院大学及中国科学院长春光学精Ｉｊ密机械与物理研究所有权保留并向国家有关部口或机构送交学位论文的复印件和电子ｉ版，允许论文被查阅和借阅。本人授权中国科学院大学及中国科学院长春光学精密机械！与物理研究所可＾文将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索．可ｙ、采

5、用影＂目。、缩印或其它复制手段保存、汇编本学位论文。！（保密的学位论文在解密后适用本授权书）Ｉ者签名：指导教师签名：Ｉ学位论文作Ｉ日期：日期：Ｉ学位论文作者毕业后去向：＾’ｉ工作单位：电话：ｉ巧地址邮编：：Ｉ通ｉ摘要1.55μm半导体激光器增益谱和线宽增强因子的理论和实验研究曾真（凝聚态物理）导师：曾玉刚摘要半导体激光器增益谱和线宽增强因子是直接评估器件质量的关键参数，可以直接反应器件结构和材料优劣。本文首先针对器件样品A测试器件两端放大自发荧光辐射谱获得了1.55μmAlGaInAs/InP应变补偿多量子阱半导体激光

6、器的增益谱。分析了随着载流子注入、能带填充水平与激射波长和增益谱的关系，对比实验测量增益谱与理论模拟增益谱，可以得出此测量方法具有可行性的结论。利用Hakki-Paoli方法通过高分辨光谱仪测量出器件样品B边发射1.55μmF-P腔激光器纵膜，计算出改良后的半导体激光器增益谱，改良后的激光器激射波长得到了明显的改善，激射波长正好为1.55μm，测试结果反馈出我们对器件的分析结果很准确，此测试方法具有科研价值。通过两种方法测试的AlGaInAs/InP应变补偿多量子阱半导体激光器增益谱，得到了各自器件的线宽增强因子，可以看出电流比较小的时候，线宽增强因子比较小。实验测试结果与模拟计算结果相

7、比较，可以看出所使用的两种方法都具有可行性，分析认为对于计算半导体增益谱和线宽增强因子Hakki-Paoli测试计算方法更优。这是第一次利用两端单程放大自发辐射测试计算方法得到了1.55μm半导体激光器的线宽增强因子，具有创新性。其次，首先提出两种方法结合起来分析器件在阈值前后的增益特性，使更完整的表现出器件的增益质量，具有首创意义。关键字：半导体激光器；增益谱测量；线宽增强因子；应变补偿多量子阱ⅠAbstractTheoretic