密封式继电器贮存寿命预测方法的研究

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1、分类号:TM581密级:UDC:621.3编号:201221401004河北工业大学硕士学位论文密封式继电器贮存寿命预测方法的研究论文作者:邵丹学生类别:全日制学科门类:工学学科专业:电气工程指导教师:李文华职称:教授DissertationSubmittedtoHebeiUniversityofTechnologyforTheMasterDegreeofElectricalEngineeringRESEARCHONTHESTORAGELIFEPREDICTIONMETHODOFHERMETICALLYSEALEDR

2、ELAYbyShaoDanSupervisor:Prof.LiWenhuaNovember2014摘要密封式继电器是一种常用的低压电器元件,密封性良好,能够承受高温、低温、辐射、振动等各种恶劣环境,广泛用于飞机、卫星、火箭、导弹等及其相关配套设备中,更是航天继电器的首选。随着我国航天事业的迅速发展,对继电器的可靠性有了更高的要求,应运而生的是寿命试验和寿命评估的新技术和新理论。密封式继电器作为航天继电器使用时长期处于贮存状态,贮存可靠性和工作可靠性同等重要,为保证其寿命剖面各阶段始终保持在备用激活状态,对继电器贮存寿

3、命进行准确预测有非常实际的意义。论文首先介绍了课题的研究背景及国内外发展现状,阐述了可靠性寿命加速试验原理及分类,并对密封式继电器贮存退化参数进行了小波阈值去噪处理。围绕着密封式继电器贮存寿命预测这一核心,本课题研究综合环境应力对密封式继电器贮存寿命的影响,建立了两种继电器贮存退化参数预测模型。模型一为基于遗传算法优化BP神经网络的密封式继电器贮存退化参数预测模型,模型二基于主元分析和RBF神经网络建立了继电器的贮存退化参数预测模型。文中对多种算法进行了介绍,并比较了算法的优劣,对其存在的一些缺点进行了改进。基于MA

4、TLAB进行模型的搭建及仿真,分析预测结果,对各模型方法进行误差评价,通过继电器的退化模型预测常温下继电器的贮存寿命。关键字:密封式继电器,贮存寿命,小波阈值去噪,遗传算法,主元分析,神经网络IABSTRACTHermeticallysealedrelayisakindofcommonlyusedlow-voltageelectricalcomponents,sealingperformanceisgood,aswellastheadvantageofbeingabletowithstandthehightemper

5、ature,lowtemperature,radiation,vibrationandotherharshenvironment.Anditiswidelyusedinthefieldsofaircraft,satellite,rocket,missileandrelatedequipment.Especiallythefirstchoiceofaerospacerelay.WiththerapiddevelopmentofChina'saerospaceindustry,thenewtechnologyandnew

6、theoryoflifeassessmentandlifetestareputforwardforhigherreliabilityofrelay.Sealedrelayisalwaysusedasaerospacerelayinlong-termstorage,storagereliabilityandoperationreliabilityareofequalimportance.Toensurethateverystageoflifeprofileofsealedrelayremainactiveinreser

7、ve.Accuratepredictionforstoragelifeofrelayareofpracticalsignificance.Theresearchbackgroundandthedomesticandforeigndevelopmentsituationofthetopicarebrieflyintroducedatthebeginningofthepaper.Theprincipleandtheclassificationofstoragelifeacceleratedtestareexpounded

8、.Waveletthresholdde-noisingisusedforprocessingsealedrelaystoragedegradationparameters.Aroundthiscoreofsealedrelaypredictingstoragelife.Thisresearchstudiescomprehensiveenviro

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