rtv涂层损伤对绝缘子交流污闪特性的影响研究

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1、RTV涂层损伤对绝缘子交流污闪特性的影响研究重庆大学硕士学位论文（专业学位）学生姓名：李星指导教师：张志劲（教授）学位类别：工程硕士（电气工程领域）重庆大学电气工程学院二O一五年五月StudyontheInfluencetoPollutionFlashoverPerformanceofInsulatorwithRTVCoatingDamageAThesisSubmittedtoChongqingUniversityinPartialFulfillmentoftheRequirementforProfessionalDegreeByLiXingLiXingSupervisedbyP

2、rof.ZhangZhijinofSpecialty:ME(ElectricalEngineeringField)SchoolofElectricalEngineeringofChongqingUniversity,Chongqing,ChinaMay,2015重庆大学硕士学位论文中文摘要摘要室温硫化硅橡胶（RTV）防污涂料目前被广泛运用于瓷绝缘子表面，以提高绝缘子的污闪电压。由于运行多年后的RTV涂层表面会出现不同程度的龟裂、脱落等损伤现象，可能会对绝缘子的耐污性能产生影响，需要深入研究。本文在总结国内外现有成果的基础上，选择了涂覆了RTV涂料的XP-160盘式绝缘子作为试品，

3、在重庆大学重点实验室人工雾室里开展了RTV涂料不同损伤下的污闪试验，论文的主要工作及结论如下：①采用专用仪器对RTV涂层表面液滴静态接触角进行测定，对比分析两种涂料S-RTV和P-RTV的憎水性能，选取憎水性能更优的P-RTV涂料进行自然积污试验和人工污闪试验。②研究RTV涂料绝缘子在自然环境下的积污特性，试验测量普通XP-160绝缘子和RTV涂料绝缘子自然积污试验下的ESDD和NSDD，对比分析两者的区别，得出RTV涂料对绝缘子积污特性的影响。③试验研究RTV涂层表面在无损伤、连续性扇面损伤、内环面损伤、外环面损伤下绝缘子串的交流闪络特性，试验结果表明污闪电压随盐密和RTV涂层

4、损伤面积的增大而减小；同一程度损伤面积下，污闪电压值由大到小的顺序为：无损伤>外环面损伤>内环面损伤>扇面损伤；不同损伤位置和损伤面积下RTV绝缘子相对于无损伤RTV绝缘子的污闪电压下降系数k的变化趋势与污闪电压相一致。④试验研究RTV涂层表面间断性损伤下绝缘子的交流污闪特性，试验结果表明同等面积不同间断损伤下污闪电压的大小为：单个间断损伤<两个间断损伤<三个间断损伤<四个间断损伤，而随着损伤总面积的增大，污闪电压逐渐减小。⑤测量表面涂层不同连续损伤状况下的RTV涂料绝缘子闪络过程中的泄漏电流，根据测量结果得出临界闪络电流，试验结果表明临界闪络电流随盐密和RTV涂层损伤面积的增大

5、而增大；同一程度损伤面积下，临界闪络电流由大到小的顺序为：扇面损伤>内环面损伤>外环面损伤。⑥对RTV不同损伤下绝缘子串的交流污闪过程进行了拍摄，并提出绝缘子污闪放电分为放电起始阶段、起弧阶段、电弧变化发展阶段以及大电弧桥接导致闪络四个阶段。关键词：室温硫化硅橡胶，自然积污，涂层损伤，污闪电压下降系数，泄漏电流I重庆大学硕士学位论文英文摘要ABSTRACTRTVanti-pollutionflashovercoatingisextensivelyusedonthefaceofporcelaininsulatortoraiseitsflashovervoltagerecently.

6、TherearesomekindsofdamagelikecracksorabscissiononthefaceofRTVcoating-insulatorwhichhavebeenusedformanyyear.Duetothisphenomenonprobablyhavesomeinfluencetoinsulator’santi-pollutioncharacteristic,whichisworthtointensivestudy.Basedontheexistingresearchresultsathomeandabroad,thispaperselectXP-160i

7、nsulatorcoatedwithRTVanti-pollutionflashovercoatingastestsample.Alotoflaboratoryinvestigationsonthepollution-flashoverperformancesofRTVsampleinsulatorstringswithdifferentdamagewerecarriedoutintheartificialfogroomatKeyLaboratoryofChongqingUniv