pedot-pss在zno上肖特基结

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1、学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解北京交通大学有关保留、使用学位论文的规定。特授权北京交通大学可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，提供阅览服务，并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编以供查阅和借阅。同意学校向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘。(保密的学位论文在解密后适用本授权说明)学位论文作者签名：签字日期：洌9年珊阑f日导师签名：象歪签字日期：文o『口年‘月料乏>I歹El∥l▲■r中图分类号：TN311UDC：北．!·：兰：·尿父硕士学学校代码：10004密级：公开通大学位论文PEDOT-PSS在ZnO上的肖特基结PEDOT-PSSSchottky

2、contactsonZnO作者姓名：胡伟导师姓名：朱亚彬学位类别：工学学号：08122228职称：副教授学位级别：硕士学科专业：光学工程研究方向：光电子材料与器件北京交通大学2010年6月致谢本论文的工作是在我的导师朱亚彬教授的悉心指导下完成的，朱亚彬教授严谨的治学态度和科学的工作方法给了我极大的帮助和影响。朱亚彬教授悉心指导我们完成了实验室的科研工作，在学习上和生活上都给予了我很大的关心和帮助，在此衷心感谢两年来朱亚彬老师对我的关心和指导。张希清教授对于我的科研工作和论文都提出了许多的宝贵意见，在此表示衷心的感谢。在实验室工作及撰写论文期间，纳杰、李颜彩等同学对我论文中的薄膜测试研究工作

3、给予了热情帮助，孙建和代千等同学对我论文中热蒸发仪器的使用给予了热情帮助，在此向他们表达我的感激之情。另外也感谢我的家人，他们的理解和支持使我能够在学校专心完成我的学业。≮．i中文摘要摘要：ZnO是一种直接宽带隙化合物半导体材料，室温下禁带宽度约为3．376V，激子束缚能(60meV)。近年来，ZnO纳米材料受到广泛关注，在紫外光发射、场效应管透明传导方面具有广阔的应用前景，此外还可应用于光电探测器，电机械耦合传感器、变频器和生物机械。因此，制备高质量的ZnO肖特基结具有重要的意义。本论文利用磁控溅射技术在Si02基片上制备ITO薄膜作为导电阴极，依次采用反应磁控溅射技术、旋转涂膜方法和真

4、空蒸发方法制备ZnO薄膜，PEDOT．PSS薄膜和Au膜，完成Au／PEDOT．PSs／Zno／ITo／Si02肖特基结制备。分为以下几个部分：(1)采用射频反应磁控溅射技术，在玻璃和石英衬底上制备了ZnO薄膜，XRD研究了不同氧分压对ZnO薄膜结构的影响。XRD结果表明，当生长温度为200口，生长气氛为氩气和氧气：Ar：02=20：10，工作气压为0．5Pa，溅射功率为95W时，ZnO薄膜具有最小的(002)衍射峰半宽和(002)择优取向。(2)ZnO薄膜样品置于不同温度下退火，用x射线衍射仪(Ⅺm)研究了退火对ZnO纳米结构的影响。AFM和XRD结果显示：在850研恳火后的ZnO薄膜纳

5、米结构晶格质量较好，此方法制备出的ZnO薄膜具有较好结构特性和较高的光学质量，为进一步实现ZnO薄膜器件提供了一种可行方法。(3)采用旋转涂膜的方法，在玻璃衬底上制备了PEDOT．PSS薄膜，用四探针测电阻的方法测量了薄膜的电阻率。研究结果表明：随温旋转速度的升高，薄膜的厚度降低，薄膜的均匀性更好，薄膜的电阻率没有明显变化。(4)在ZnO薄膜上旋涂PEDOT．PSS薄膜，形成肖特基结，测试了I．V曲线，分析了退火对肖特基结特性的影响，结果显示：ZnO经过850簿C气退火处理使得肖特基结光电特性得到很大提高，肖特基结的反向饱和电流I。从未退火处理时的1．36×10。6A减小到8．48X10～

6、A，理想因子n从未退火处理时的1．93减小到1．16，肖特基势垒高度以从未退火处理时的0．72eV增大No．79eV。关键词：氧化锌；肖特基结；PEDOT．PSS；旋转涂膜；射频磁控溅射^}0ABSTRACTABSTRACT：ZnOisadirectwidebandgapcompoundsemiconductormaterials，atroomtemperaturethebandgapisabout3．37eV,excitonbindingenergyis(60meV)．Inrecentyears，ZnOnano—materialsreceivedextensiveattention．It

7、haspotentialapplicationsintheUVemissionandtransparentconductiveFET．alSOitCanbeusedinphotodetectors，electro—mechanicalcouplingsensors，andbio．mechanicaltransducer．Therefore，thepreparationofhigh-qualityZnOSchottkyco