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时间:2019-03-08
《反应溅射法制备铝掺杂氧化锆薄膜及其热稳定性的研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、万方数据第22卷第6期无机材料学报V01.22,No.62007年11月JournalofInorganicMaterialsNov.,2007文章编号:1000—324X(2007)06—1206—05反应溅射法制备铝掺杂氧化锆薄膜及其热稳定性的研究马春雨1,李智2,张庆瑜1(1.大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连116023;2.大连大学机械I程学院,大连116622)摘要t采用反应射频磁控溅射在Si(100)基片上制备丁不
2、可微结构的铝掺杂氧化锆薄膜.利用高分辨透射电子显微镜、x射线衍射仪和原子力显微镜研究
3、了退火温度对铝掺杂氧化锆薄膜热学稳定性、界面稳定性和表面粗糙度的影响,探讨了铝掺杂氧化锆薄膜的,一y特性与薄膜的微观状态之间的关系.研究结果显示·在铝掺杂氧化锆薄膜中掺入不同量的Al对薄膜的微结构有较大影响,随着薄膜中Al/Zr原子含量比的增大,薄膜微结构经历从a-Zr02(来掺热)到t-(Zr,A])02相和c-(Zr,AI)02相(hl/Zr=Ua)再到*(zr’AI)02(AI/Zr=4/5)的变化;与纯ZrOz薄膜相比,Al掺杂氧化锆(Al/Zr=4/5)薄膜的结晶化温度明显提高,薄膜热学稳定性得到改善.关键词t薄
4、膜物理学;铝掺杂氧化锫薄膜;磁控溅射;热稳定性中圉分类号:0484文献标识码:AThermalStabilityofA1一dopedZr02FilmsPreparedbyReactiveRFMagnetronSputteringMAChun—Yul,LIZhi2,ZHANGQing-Yul(1StateKeyLaboratoryofMaterialsModificationbyLaser,IonandElectronBeam,DalianUniversityofTechnology,Dalian116024,China;2
5、DepartmentofMechanicalEngineering,DalianUniversity,Dalian116622,ChinalAbstract:A1一dopedZr02filmswithdifferentmicrostructuresweredepositedonSi(100)substratesbyusingreactiveRFulagnetronsputteringprocesswithmetallicZrandAlastargetsinanargon-oxygenatmosphere.Thefilmsw
6、erecharacterizedwithhigh-resolutiontransmissionelectronmicroscope(HRTEM),X-raydiffraction(XRD),andatomicforcemicroscope(AFM)toinvestigatevarietyofthethermalstabili妣theinterfacialstabilityandthesurfaceroughnessofthefilmswithdifferentannealingtemperatures.Theinfluen
7、ceofthenficrostructuresofAl-dopedZr02thinfilmsontheirelectrical■ycharacteristicswasalSOdiSCUSSed.TheresultsshowthattheatomiccontentofAlinfilmshasasignificantinfluenceonthemicrostractures,uponincreasingtheatomiccontentratioofA1/Zr,thestructuretransitionofthefilmsis
8、evZr02(pure)—}t-(Zr,A1)02andc-(Zr,AI)02(Al/Zr=l/4)-*a一(Zr,AI)02(Al/Zr=4/5)Al-dopedZr02thinfilmswithAl/Zratomicratioof4/5hastheincreaseinthecrystallizationtemperaturecomparedtoapureZr02film,SOthethermalstabilityofthefihnsisimproved.Keywords:thinfilmphysics;Al—doped
9、Zr02thinfilm;magnetronsputtering;thermalstability1引言随着超大规模集成电路的快速发展,器件的特征尺寸在不断减小,特别是进入到亚0.1“m尺寸范围时,Si02栅介质尺寸将达到纳米数量级,此时栅电极与沟道问的直接隧穿将会变得非常严重,因此寻找合适的、可替代传
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