阵列综合及自适应旁瓣对消方法研究

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时间:2019-03-08

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1、厦门大学学位论文原创性声明本人呈交的学位论文是本人在导师指导下,独立完成的研究成果。本人在论文写作中参考其他个人或集体己经发表的研究成果,均在文中以适当方式明确标明,并符合法律规范和《厦门大学研究生学术活动规范(试行)》。.另外,该学位论文为(0潮亨谢、)课题(组)另外,该学位论文为(彳嘶了。l葛彬悔虿)课题(组)的研究成果,获得(云菇垂础最题(组)经费或实验室的资助,在(云谨s伽雠妄验室完成。(请在以上括号内填写课题或课题组负责人或实验室名称,未有此项声明内容的,可以不作特别声明。)声明人(签名):隆辏伊f印年妒必日

2、厦门大学学位论文著作权使用声明本人同意厦门大学根据《中华人民共和国学位条例暂行实施办法》等规定保留和使用此学位论文,并向主管部门或其指定机构送交学位论文(包括纸质版和电子版),允许学位论文进入厦门大学图书馆及其数据库被查阅、借阅。本人同意厦门大学将学位论文加入全国博士、硕士学位论文共建单位数据库进行检索,将学位论文的标题和摘要汇编出版,采用影印、缩印或者其它方式合理复制学位论文。本学位论文属于:()1.经厦门大学保密委员会审查核定的保密学位论文,于年月日解密,解密后适用上述授权。

3、(V)2.不保密,适用上述授权。(请在

4、以上相应括号内打“√”或填上相应内容。保密学位论文应是已经厦门大学保密委员会审定过的学位论文,未经厦门大学保密委员会审定的学位论文均为公开学位论文。此声明栏不填写的,默认为公开学位论文,均适用上述授权。)声明人(签名):扣(岬年f月彪日)谬铭摘要在雷达或电子对抗系统中,由于主波束比较窄,干扰信号一般从天线旁瓣进入系统。尽管天线旁瓣增益比主瓣增益低得多,但是当干扰很强时,从天线旁瓣进入的有源干扰功率可能远远大于从主瓣进入的目标信号的功率。系统接收到的目标信号将有可能被干扰信号湮没,从而导致系统无法有效的工作。针对这种从副

5、瓣进入的有源强干扰,超低副瓣技术、旁瓣消隐技术以及旁瓣对消技术是目前工程上采用的主要的三种方法。超低副瓣技术的实现有赖于阵列综合方法的创新。阵元数目、阵元位置、阵元权系数决定了天线阵列的辐射特性,控制这三个因素可以改变辐射场的特征。阵列方向图综合是指按规定的方向图要求,用特定方法优化阵元数目、阵元位置、阵元权系数,使该天线系统产生的方向图满足指标要求。本文第一部分介绍了天线阵列基本原理和阵列综合方法,介绍了基于矩阵束的阵列综合方法,提出基于匹配追踪的阵列综合新方法。超低副瓣技术可以提高抗旁瓣干扰的能力,但其缺点是全角度

6、低副瓣实现难度大、代价高、分辨率损失大。旁瓣消隐技术的缺点是干扰出现时主天线通道输出的目标信号也会被屏蔽。因而工程上一般采用旁瓣对消技术,该技术仅需增加少量辅助天线就能对干扰方向自适应形成方向图零点,且具有抗干扰能力强、基本不影响主瓣增益和波束宽度、可恢复目标信号等优点。本文第二部分介绍了旁瓣对消基本方法及改进,为提高输出信噪比以及阵列方向图副瓣保形能力,本文提出自适应一自适应旁瓣对消方法。该方法首先利用辅助通道估计出干扰方向,然后采用波束形成技术使得辅助天线尽量在干扰方向形成最大波束,最后再进行旁瓣对消。仿真证明,该

7、方法可以提高输出信号信噪比,且具有较强的副瓣保形能力。关键词:阵列综合;旁瓣对消;自适应一自适应旁瓣对消AbstractInradarorelectronicwarfaresystems,theinterferencesignalenterintothesystemsgenerallyfromthesidelobebecamethemainbeamisnarrow.Undernormalcircumstances,thesidelobegainismuchlowerthanthemainlobegain.Butthep

8、owerofactiveinterferencesignalcomefromsidelobewillbefargreaterthanthepoweroftargetsignalcomefrommainlobewhentheinterferenceisstrong.Wecan'tseparatethetargetsignalfromtheinterferencesignal,thusthesystemcan'tworkeffectively.Forsuchastronginterferencefromsidelobe,w

9、ehavethreemethodstohandleit.Itcontainsultra·lowsidelobeteclmology,sidelobeblankingtechnologyandsidelobecancellationtechnology.Therealizationoftheultra—lowsidelobetech

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