欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:34554800
大小:3.92 MB
页数:55页
时间:2019-03-07
《纳米almoox薄膜的制备表征及其在含能scb上的应用》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、硕士学位论文纳米AI/MoOx薄膜的制备表征及其在含能SCB上的应用作者:付帅指导教师:叶迎华研究员朱朋讲师南京理工大学2014年03月Master’SDegreeDissertationPreparationandcharacterizationofnano-·Al/MoOxfilmsanditsapplicationinenergeticSCBFHShuaiSupervised硒Py吐YeHnghuaByLecturer.ZhuPengNanjingUniversityofScience&Technolog
2、yMarch,2014声明本学位论文是我在导师的指导下取得的研究成果,尽我所知,在本学位论文中,除了加以标注和致谢的部分外,不包含其它人已经发表或公布过的研究成果,也不包含我为获得任何教育机构的学位或学历而利用过的材料。与我~同工作的同事对本学位论文做出的贡献均己在论文中作了明确的说明。研究生签名:盐竖列平年罗月净学位论文利用授权声明南京理工大学有权保存本学位论文的电子和纸质文档,可以借阅或上网公布本学位论文的部分或全部内容,可以向有关部门或机构送交并授权其保存、借阅或上网公布本学位论文的部分或全部内容。对于保
3、密论文,按保密的有关规定和程序处理。研究生签名:二盐—丛L≯/午年罗且习[日硕士论文纳米A]JIVlOq薄膜的制备表征及其在含能SCB上的应用摘要利用磁控溅射工艺制备纳米al/MoO,薄膜,借助FESEM、AFM、XRD、XPS和DSC分析薄膜性质。结果表明:所制备的纳米AI/MoO,薄膜表面平整,层状结构清晰,层与层之间连接紧密,成膜质量好;纳米A1/MoO,薄膜中的Al以正方晶系存在,MoOx以非晶或弱的多晶状态存在,其组分包括:M003、M0205和M002;纳米Al/MoOx薄膜的DSC曲线有两个放热峰
4、,总反应放热量为3524J/g(达到理论放热量的75%),高出微米级厚度的AI/MoO,薄膜放热量40.5%。采用磁控溅射和反转剥离工艺将纳米舢力Ⅵoq薄膜集成于SCB,制备出含能半导体桥SCB.A1/MoOx。在SCB—A.I/MoO,脚线间并联NTC热敏电阻,可提高其抗射频能力。选用47心固体钽电容作为发火激励源,测试SCB.A1/MoO,与普通SCB之间的电爆性能差异。结果表明:SCB.Al/MoOx的电阻、临界发火时间及临界发火能量与普通SCB相比,无明显差异;电容作用总时间、作用总能量由于受到薄膜反应
5、放出的热量影响,与普通SCB相比,明显减小;相同激励条件下,SCB-AI/MoO.的电容输入能量利用率低于普通SCB,但由于薄膜发火释放出大量热,其输出能量效率高于普通SCB;SCB.A1/MoO,发火时生成的等离子体温度、发火持续时间、火焰高度和火焰面积均大于普通SCB;当自支撑刘瓜i薄膜与桥区存在一定间隙时,相同激励条件下,普通SCB不能点燃封装于其上的A1/Ni薄膜,而SCB.趟加。仉可以可靠的点燃A1/Ni薄膜。综合分析得出,SCB-A1/MoO,较普通SCB在点火能力及点火可靠性方面均有显著提高。关键
6、词:纳米al/MoO,薄膜,纳米薄膜表征,含能SCB,电爆特性Abstract硕士论文TheA1/Moqmultilayerrlano·filmswerepreparedbymagnetronsputteringtechnology.Theas—depositedAI/MoOxnano-filmswerecharacterizedbyvariedanalyticaltechniques,includingSEM,AFM,XRD,XPS,DSCandthereactionpathsandreactionkinet
7、icsofA1/MoO。exothermicreactionswerediscussed.Resultsshowthatthefilmsaresmoothandposessexcellentadhesionwithsubstrate.TheA1filmsintheA1/MoOxnarlo—filmsarecubicsystemandtheMoOxfilmsconsistingofM003,M0205andM002areamorphous.Twodistinguishableexothermicpeakscanb
8、eidentifiedfromtheDSCtracesandthevaluesofheatreleaseare3524J/g.TheSCB-A1/MoOJwasfabricatedusingacombinationofphotolithography,sputtering,andlifl—offtechniquesonaSCBwafer.TheNTCthermistorswereuse
此文档下载收益归作者所有